Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Bała, W." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 16
Tytuł:
Effect of Accumulation Layer on Tunneling in ZnSe-ZnTe Double Barrier Heterostructures
Autorzy:
Bała, P.
Ryszewski, R.
Bała, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1872642.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
03.65.-w
73.40.Gk
Opis:
The tunneling probability in double barrier heterostructures can be affected by various effects. One of the most significant is presence of the accumulation layer placed before the structure. The presented time-dependent results show that charge trapped in the accumulation region oscillates in the triangular quantum well and tunnels sequentially through the double barrier structure resulting in periodical changes of the charge density right to the heterostructure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 341-344
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Study of Misfit Dislocations Profiles in ZnSe/GaAs Structures by Raman Scattering
Autorzy:
Bała, W.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929718.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Hv
Opis:
In this paper we present the Raman scattering measurements of the ZnSe epilayers grown on (001) GaAs substrate by molecular beam epitaxy method. We have studied dependence of the frequency shift of LO(ZnSe) mode in the Raman spectra vs. thickness of the ZnSe layer. The intensity of LO(ZnSe)/LO(GaAs) ratio vs. orientation angle α of the E vector of the exciting light on the ZnSe/GaAs interface relatively to the sample orientation is presented too.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 689-692
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterization of the Band Bending in ZnSe-GaAs Heterojunctions by Raman Scattering
Autorzy:
Bała, W.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1879935.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Hv
61.70.Wp
Opis:
The band bending effect at the ZnSe-GaAs interface Was studied by means of Raman scattering induced by electric-field related to longitudinal-optical (LO) phonons. It has been shown that the variation of the band bending in GaAs can be modifled by changes in the electron concentration of ZnSe epilayer and the variation of the sample temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 225-228
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Tunneling in Double-Barrier Heterostructures - Comparison of Time-Dependent and Stationary Approach
Autorzy:
Bała, P.
Ryszewski, R.
Bała, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929716.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
03.65.-w
Opis:
The tunneling probability through a double-barrier ZnSe/ZnTe structure is calculated using both wave-packet time dependent quantum mechanics and stationary planar-wave approximation. The obtained I-V characteristics are compared and very good consistence in resonant peaks width and position is observed. The absolute value of tunneling probability obtained in time-dependent and stationary approach is also similar.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 685-688
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dependence of Exciton Linewidth on the Composition of Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se Layers Grown by MBE
Autorzy:
Bała, W.
Głowacki, G.
Gapiński, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933707.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Εt
78.20.Ci
78.66.Hf
Opis:
This work deals with the study of the photoluminescence and reflectivity properties of Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se epilayers grown by molecular beam epitaxy on (001)GaAs and (111)ZnTe substrates. The photoluminescence spectra of Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se layers grown on GaAs and ZnTe substrates are dominated by blue emission bands. The energetical positions and relative intensities of the bands depend on Mg contents in the epilayers. The shift of the maxima of blue emission toward higher photon energies and a simultaneous steep increase in the linewidth with an increase in Mg concentration are observed. A small amount of Mg added to ZnSe leads to a sharp increase in the linewidth from 2 meV in pure ZnSe layer grown on GaAs substrate to about 180 meV in Zn$\text{}_{0.78}$Μg$\text{}_{0.22}$Se.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 667-670
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of the Strains at ZnSe/GaAs Interfaces by Raman Scattering
Autorzy:
Bała, W.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891888.pdf
Data publikacji:
1991-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Hv
61.70.Wp
Opis:
Investigations of the strains at the n-ZnSe epilayers grown on GaAs substrate using polarized Raman spectra are presented. It has been shown that Raman scattering experiment can be used as a method for investigation of the splitting between the heavy- and light-hole bands in n-ZnSe thin films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 5; 723-730
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Time Dependent Tunneling in Double-Barrier ZnSe/ZnTe Structures
Autorzy:
Bała, P.
Kwiatkowski, J. S.
Bała, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921560.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
03.65.-w
73.40.Gk
73.60.Fw
Opis:
The wave-packet time dependent quantum mechanics is used to calculate tunneling probability through a double-barrier ZnSe/ZnTe structure. The time dependent I-V characteristics are obtained for several structures. The resonant peaks are observed and their changes with the barrier parameters are monitored.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 649-652
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Exciton Electroluminescence of ZnSe/ZnO Structures under Biaxial Stress
Autorzy:
Bała, W.
Firszt, F.
Łęgowski, S.
Męczyńska, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1924234.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Hv
61.70.Wp
Opis:
The strained ZnSe/ZnO structures grown on (111) ZnSe crystals by plasma oxidation was investigated by electro- and photoluminescence methods. The lines of heavy and light hole excitons under biaxial compressive stress are measured as a function of the temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 896-899
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Deep Level Studies in Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se Layers Grown by MBE
Autorzy:
Płachetko, S.
Ząbik, G.
Łukasiak, Z.
Borowski, P.
Bała, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992065.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.80.Ey
Opis:
The deep levels present in semiconducting Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se (0 ≤ x ≤ 0.4) were investigated by means of deep level transient spectroscopy, photocapacitance transient and thermally stimulated depolarization. The thermal activation energy levels estimated from the deep level transient spectroscopy measurements are: E$\text{}_{T1}$=0.28 eV and E$\text{}_{T2}$=0.56 eV. For the Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se epilayers thermally stimulated depolarization curves consist of four overlapping peaks: 227.4 K, 243.6 K, 265.7 K, and 285.0 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 483-486
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Luminescence of Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se Layers Obtained by Thermal Diffusion of Mg into ZnSe and Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se Epilayers Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:
Bała, W.
Firszt, F.
Głowacki, G.
Gapiński, A.
Dzik, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931931.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
78.20.Ci
78.66.Hf
Opis:
This work deals with the study of photoluminescence properties of Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se epilayers grown by molecular beam epitaxy on (001) GaAs and (111) ZnTe substrates and Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se layers obtained by thermal diffusion of Mg into ZnSe single crystals. Luminescence spectra of Zn$\text{}_{x}$Mg$\text{}_{1-x}$Se layers are dominated by blue and violet emission bands with maxima positioned in the range of photon energies: 3.05-3.28 eV, 2.88-3.04 eV, 2.81 eV and 2.705 eV, depending on preparation conditions. In some samples the blue luminescence is observed up to room temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 161-164
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Properties of Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se Epilayers Studied by Spectroscopy Methods
Autorzy:
Głowacki, G.
Gapiński, A.
Derkowska, B.
Bała, W.
Sahraoui, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969076.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.-w
78.20.Jq
78.66.Hf
Opis:
Linear optical properties of the Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se (0 ≤ x ≤ 0.4) alloys have been studied using reflectance, spectroscopic ellipsometry and photoluminescence measurements. The refractive indices of Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se epilayers were investigated as a function of Mg composition (0 ≤ x ≤ 0.4). The energies of band gap E$\text{}_{g}$ and spin-orbit splitting E$\text{}_{g}$+Δ, have been determined. These energies are shifted gradually to higher values with increasing Mg content.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 321-325
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transient Photo-Induced Current Measurements in High Resistivity ZnSe Crystals
Autorzy:
Bała, W.
Firszt, F.
Dul, D.
Turlo, Z.
Borkowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1886609.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Jv
72.40.+w
Opis:
Using technique of computerized signal-averaging of photocurrent transient, we have studied the details of deep level states in high resistivity ZnSe crystals. The time resolved spectra of photocurrent and four-gate PICT spectra are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 295-298
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Free Carrier Concentration on Nonlinear Absorption of n-Type ZnSe Crystals
Autorzy:
Sahraoui, B.
Chevalier, R.
Nguyen Phu, X.
Rivoire, G.
Bała, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952689.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Jq
78.30.Hv
Opis:
The dependence of nonlinear absorption at 532 nm of n-type ZnSe crystals upon annealing temperature and free carrier concentration is reported. The nonlinear optical absorption as well as the efficiency of degenerate four wave mixing of ZnSe are investigated. It is found that the magnitude of the nonlinear absorption decreases with an increase in the electron concentration. The nonlinear refractive index change is estimated.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1070-1074
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Raman Analysis of Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se Layers Grown on GaAs and ZnTe Substrates
Autorzy:
Renucci, M. A.
Frandon, J.
Głowacki, G.
Gapiński, A.
Rozpłoch, F.
Bała, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952686.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.-j
Opis:
A study of the Raman scattering in Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se (0 ≤ x ≤ 0.4) epilayers grown by molecular beam epitaxy on (100) GaAs and (111)$\text{}_{Zn}$ ZnTe substrates has been performed. Two kinds of longitudinal optical phonon modes (LO$\text{}_{Zn-Se}$ and LO$\text{}_{Mg-Se}$) were observed under excitation of the Ar$\text{}^{+}$ and Kr$\text{}^{+}$ laser lines at room temperature, whose frequencies and intensities depend characteristically on the Mg content.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1065-1069
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoluminescence, Reflectivity and Raman Investigations of Nanocrystallites in Luminescent Porous Silicon
Autorzy:
Bała, W.
Głowacki, G.
Łukasiak, Z.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Nossarzewska-Orłowska, E.
Brzozowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1876076.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Hv
78.66.-w
Opis:
Raman scattering, reflectivity and photoluminescence measurements of the porous silicon layers prepared on (001) p/p$\text{}^{+}$ silicon epitaxial wafers by anodization method are presented. We have studied dependence of the frequency shift and halfwidth of LO mode in Raman spectra and shift of the luminescence peak in photoluminescence spectra vs. anodization conditions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 445-448
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 16

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies