Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "72.70.+m" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-8 z 8
    Tytuł:
    High-Frequency Noise in Modern FET/HEMT Channels Caused by the Excitation of 2D-Plasma Waves
    Autorzy:
    Shiktorov, P.
    Starikov, E.
    Gružinskis, V.
    Varani, L.
    Reggiani, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1505464.pdf
    Data publikacji:
    2011-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    72.30.+q
    72.70.+m
    Opis:
    The problems related with the intrinsic noise in FET/HEMT channels induced by continuous branching of the total current between channel and gate are considered in the framework of a simple analytical model and its predictions on the current-noise spectra. Main branching-induced effects such as the appearance of an additional noise related to the excitation of plasma waves, its dependence on FET/HEMT embedding circuits, interference properties, etc. are analysed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 117-120
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Theoretical Investigation of Large-Signal Noise in Nanometric Schottky-Barrier Diodes Operating in External Resonant Circuits
    Autorzy:
    Shiktorov, P.
    Starikov, E.
    Gružinskis, V.
    Varani, L.
    Vaissière, J.
    Reggiani, L.
    Pérez, S.
    González, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1178800.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    72.30.+q
    72.70.+m
    Opis:
    We report Monte Carlo simulations of electronic noise in heavily doped nanometric GaAs Schottky-barrier diodes operating in series with a parallel resonant circuit when a high-frequency large-signal voltage is applied to the whole system. Significant modifications of the noise spectrum with respect to the unloaded diode are found to occur in the THz-region.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 396-399
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis of Conditions for Free-Carrier Grating Formation in InP n⁺nn⁺ Structures using Monte Carlo Technique
    Autorzy:
    Gružinskis, V.
    Shiktorov, P.
    Starikov, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813353.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    72.30.+q
    72.70.+m
    Opis:
    Electron transport in 5μm long InP n⁺nn⁺ structure with the n-region doping of $10^{15} cm^{-3}$ is theoretically investigated by the Monte Carlo particle technique at low lattice temperature (T = 10 K), when dominating scattering mechanism is the optical phonon emission. It is shown that at the constant bias a free-carrier grating can be formed inside the n-region. The free-carrier grating formation conditions are analysed by Monte Carlo particle simulation of electric field profiles and noise in the considered InP structure.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 943-946
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Plasma Instability Noise in InP n⁺nn⁺ Structures: Monte Carlo Simulation
    Autorzy:
    Gružinskis, V.
    Shiktorov, P.
    Starikov, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813377.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    72.30.+q
    72.70.+m
    Opis:
    The current noise in n⁺nn⁺ InP structures at dominating low temperature (T = 10 K) optical phonon emission is simulated by Monte Carlo particle technique. The n-region length of simulated structures is varied from 1 to 100 μm. The peaks related to the near collisionless and optical phonon emission dominated plasma instabilities are recognized in current noise spectral density spectra.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 947-950
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hot-Electron Transport Noise and Power Dissipation in GaN Channels at High Density of Electrons
    Autorzy:
    Matulionis, A.
    Liberis, J.
    Matulionienė, I.
    Ramonas, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813383.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    72.70.+m
    72.80.Ey
    Opis:
    The experimental results on transport, noise, and dissipation of electric power for voltage-biased Si-doped GaN channels are compared with those of Monte Carlo simulation. The measured dissipated power shows a stronger hot-phonon effect than the simulated one. On the other hand, the experimental results on the electron drift velocity at high electric fields show a weaker hot-phonon effect as compared with the simulated one. The misfit can be reduced if a conversion of the friction-active nonequilibrium longitudinal optical phonons into the friction-passive longitudinal optical phonons is considered.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 967-970
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Monte Carlo Calculation of High Frequency Mobility and Diffusion Noise in Nitride-Based Semiconductors
    Autorzy:
    Starikov, E.
    Shiktorov, P.
    Gružinskis, V.
    Varani, L.
    Vaissière, J. C.
    Palermo, C.
    Reggiani, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041806.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    72.30.+q
    72.70.+m
    Opis:
    Monte Carlo simulations of high-field transport in semiconductor nitrides, GaN and InN, is used to calculate the velocity-field characteristics and the high-frequency behavior of the differential mobility, spectral density of velocity fluctuations, and noise temperature. It is found that due to very short relaxation time scales of nitrides, the characteristic frequencies associated with extrema and cutoff decay of the negative differential mobility, etc. are shifted to higher frequency range with respect to the case of standard A$\text{}_{3}$B$\text{}_{5}$ compounds. This property is favorable for applications of nitrides in the THz frequency range.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 408-411
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hot-Electron Transport and Microwave Noise in 4H-SiC
    Autorzy:
    Ardaravičius, L.
    Liberis, J.
    Kiprijanovič, O.
    Matulionienė, I.
    Matulionis, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041761.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    72.70.+m
    73.40.Kp
    Opis:
    Hot-electron transport and microwave noise are investigated for n-type 4H-SiC (n=2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$) subjected to a pulsed electric field applied parallel to the basal plane. At room temperature, the negative differential conductance, masked by field ionization at the highest fields, is observed in the field range between 280 and 350 kV/cm. The threshold fields for the negative differential conductance and field ionization increase with lattice temperature. The results on microwave noise are used to evaluate the effective hot-electron temperature and the hot-electron energy relaxation time.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 310-314
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High-Frequency Noise Sources in Quantum Wells
    Autorzy:
    Ardaravičius, L.
    Liberis, J.
    Matulionis, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035523.pdf
    Data publikacji:
    2002-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    72.70.+m
    73.40.Kp
    Opis:
    Hot-electron noise is investigated for InGaAs and InAs quantum wells containing a two-dimensional electron gas channel in a pulsed electric field applied parallel to the interfaces. Noise sources resulting from hot-electron "thermal" motion, electron temperature fluctuations, and real-space transfer are observed. The experimental results on hot-electron "thermal" noise are used to estimate energy relaxation time in the field range where other sources do not play any important role. Measurements of noise anisotropy in the plane of electron confinement are used to discuss real-space-transfer noise. High-frequency noise technique is used to study hot-electron trapping, and trap location in InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructure channels is determined.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 2; 329-335
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-8 z 8

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies