Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Hot-Electron Transport Noise and Power Dissipation in GaN Channels at High Density of Electrons

Tytuł:
Hot-Electron Transport Noise and Power Dissipation in GaN Channels at High Density of Electrons
Autorzy:
Matulionis, A.
Liberis, J.
Matulionienė, I.
Ramonas, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813383.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Ht
72.70.+m
72.80.Ey
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 967-970
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The experimental results on transport, noise, and dissipation of electric power for voltage-biased Si-doped GaN channels are compared with those of Monte Carlo simulation. The measured dissipated power shows a stronger hot-phonon effect than the simulated one. On the other hand, the experimental results on the electron drift velocity at high electric fields show a weaker hot-phonon effect as compared with the simulated one. The misfit can be reduced if a conversion of the friction-active nonequilibrium longitudinal optical phonons into the friction-passive longitudinal optical phonons is considered.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies