Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Drozdowski, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    Study of Misfit Dislocations Profiles in ZnSe/GaAs Structures by Raman Scattering
    Autorzy:
    Bała, W.
    Drozdowski, M.
    Kozielski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929718.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Hv
    Opis:
    In this paper we present the Raman scattering measurements of the ZnSe epilayers grown on (001) GaAs substrate by molecular beam epitaxy method. We have studied dependence of the frequency shift of LO(ZnSe) mode in the Raman spectra vs. thickness of the ZnSe layer. The intensity of LO(ZnSe)/LO(GaAs) ratio vs. orientation angle α of the E vector of the exciting light on the ZnSe/GaAs interface relatively to the sample orientation is presented too.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 689-692
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characterization of the Band Bending in ZnSe-GaAs Heterojunctions by Raman Scattering
    Autorzy:
    Bała, W.
    Drozdowski, M.
    Kozielski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1879935.pdf
    Data publikacji:
    1991-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Hv
    61.70.Wp
    Opis:
    The band bending effect at the ZnSe-GaAs interface Was studied by means of Raman scattering induced by electric-field related to longitudinal-optical (LO) phonons. It has been shown that the variation of the band bending in GaAs can be modifled by changes in the electron concentration of ZnSe epilayer and the variation of the sample temperature.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 225-228
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Study of SrLaAlO$\text{}_{4}$ and SrLaGaO$\text{}_{4}$ Substrate Crystals by Raman Spectroscopy
    Autorzy:
    Drozdowski, M.
    Kozielski, M.
    Pajączkowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1964243.pdf
    Data publikacji:
    1997-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.-y
    78.30.-j
    33.20.Fb
    63.20.-e
    Opis:
    In this paper the study of SrLaAlO$\text{}_{4}$ and SrLaGaO$\text{}_{4}$ single crystals using the Raman scattering method is presented. The obtained results are discussed in terms of nature of the crystallografic imperfections and point defects which might arise during the crystal growth process.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 1; 139-142
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation of the Strains at ZnSe/GaAs Interfaces by Raman Scattering
    Autorzy:
    Bała, W.
    Drozdowski, M.
    Kozielski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1891888.pdf
    Data publikacji:
    1991-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Hv
    61.70.Wp
    Opis:
    Investigations of the strains at the n-ZnSe epilayers grown on GaAs substrate using polarized Raman spectra are presented. It has been shown that Raman scattering experiment can be used as a method for investigation of the splitting between the heavy- and light-hole bands in n-ZnSe thin films.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 5; 723-730
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Molecular Electric Fields on Elastic Properties of Perovskite-Like Substrates
    Autorzy:
    Hoffmann, T. J.
    Drozdowski, M.
    Kasprowicz, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1964365.pdf
    Data publikacji:
    1997-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    46.30.Cn
    Opis:
    The dynamics of ABCO$\text{}_{4}$ deformable crystals with electroelastic interacting was expressed by theoretical model with wave-linear approximation. The one-dimensional problem was considered assuming that the field variables are represented by plane electroelastic waves. As a result the dispersion equation for these crystals was obtained. Using this model the data concerning the elastic properties of SrLaGaO$\text{}_{4}$ are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 1; 187-190
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Elastooptic Constants of SrLaAlO$\text{}_{4}$ and SrLaGaO$\text{}_{4}$ Single Crystals Determined by Brillouin Scattering
    Autorzy:
    Drozdowski, M.
    Pajączkowska, A.
    Kasprowicz, D.
    Ziobrowski, P.
    Gloubokov, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1964361.pdf
    Data publikacji:
    1997-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    33.20.Fb
    78.35.+c
    63.20.-e
    Opis:
    In this paper we report the elastooptic constants p$\text{}_{ij}$ of strontium lanthanum aluminate, SrLaAlO$\text{}_{4}$ and strontium lanthanum gallate SrLaGaO$\text{}_{4}$ single crystals, which were determined at room temperature using Brillouin scattering method. In order to investigate the elastooptic constants of SrLaAlO$\text{}_{4}$ and SrLaGaO$\text{}_{4}$ single crystals, a substitution method proposed by Cummins and Schoen, and developed by Nelson and Lax was used. The obtained results are also discussed in terms of the nature defects which might arise in these crystals during growth process.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 1; 177-181
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoluminescence, Reflectivity and Raman Investigations of Nanocrystallites in Luminescent Porous Silicon
    Autorzy:
    Bała, W.
    Głowacki, G.
    Łukasiak, Z.
    Drozdowski, M.
    Kozielski, M.
    Nossarzewska-Orłowska, E.
    Brzozowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1876076.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Hv
    78.66.-w
    Opis:
    Raman scattering, reflectivity and photoluminescence measurements of the porous silicon layers prepared on (001) p/p$\text{}^{+}$ silicon epitaxial wafers by anodization method are presented. We have studied dependence of the frequency shift and halfwidth of LO mode in Raman spectra and shift of the luminescence peak in photoluminescence spectra vs. anodization conditions.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 445-448
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Growth and Optical Properties of Li$\text{}_{2}$B$\text{}_{4}$O$\text{}_{7}$ Single Crystals Pure and Doped with Yb, Co and Mn Ions for Nonlinear Applications
    Autorzy:
    Podgórska, D.
    Kaczmarek, S. M.
    Drozdowski, W.
    Berkowski, M.
    Worsztynowicz, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2042117.pdf
    Data publikacji:
    2005-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.25.Bs
    42.70.Mp
    81.10.Fq
    Opis:
    The paper reports on the growth conditions of Li$\text{}_{2}$B$\text{}_{4}$O$\text{}_{7}$ single crystals in both pure and Yb, Co, Mn doped systems. The crystals were grown by the Czochralski method using an intentional concentration of the above-mentioned ions at a level of 0.5 mol.%. The pure and Mn-doped crystals were found to be highly transparent and clear. The crystals doped with Yb$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$ had a lot of precipitations making them opaque. The Co-doped crystals were purple-blue in colour and highly transparent. The growth of Yb and Co doped Li$\text{}_{2}$B$\text{}_{4}$O$\text{}_{7}$ crystals was reported for the first time in this paper. Absorption was measured in the range of 200 to 3200 nm, moreover analysis of changes in the absorption spectrum ofγ-irradiated pure and doped Li$\text{}_{2}$B$\text{}_{4}$O$\text{}_{7}$ crystals was performed. Some thermoluminescence properties were measured, e.g. energies and lifetimes of the traps of different charge carriers occurring in the crystals at low temperatures.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 3; 507-518
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Excited State Absorption and Thermoluminescence in Ce and Mg Doped Yttrium Aluminum Garnet
    Autorzy:
    Wiśniewski, K.
    Koepke, Cz.
    Wojtowicz, A. J.
    Drozdowski, W.
    Grinberg, M.
    Kaczmarek, S. M.
    Kisielewski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2007834.pdf
    Data publikacji:
    1999-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Hx
    78.55.-m
    78.60.Kn
    73.50.Gr
    29.40.Mc
    78.20.-e
    78.20.Wc
    78.40.-q
    Opis:
    In this paper we report preliminary results of optical studies on Y$\text{}_{3}$Al$\text{}_{5}$O$\text{}_{12}$ (YAG) crystals codoped with Ce and Mg. By using measurements of luminescence, absorption, and luminescence excitation spectra we demonstrate that although the basic features introduced to the YAG host by the Ce-doping remain intact, the Mg-codoping imposes some significant changes on other properties of the material. These changes are potentially important for laser and/or scintillator applications of YAG:Ce and are due, most likely, to modifications of defect populations in the material. We characterize them by using the techniques of thermoluminescence and excited state absorption under excimer laser pumping. These techniques, interestingly, yield results that seem inconsistent. While the thermoluminescence signal of the Mg-doped sample is strongly reduced, suggesting that trap concentrations in the presence of Mg are suppressed, the excited state absorption signal, which we also relate to the traps, is higher. We offer a tentative explanation of this contradiction between the two experiments that involves a massive transfer of electrons from the Mg-related defects to the excited state absorption centers caused by the excimer pump itself.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1999, 95, 3; 403-412
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Spectroscopy and Thermoluminescence of LuAlO$\text{}_{3}$:Ce
    Autorzy:
    Wiśniewski, D.
    Drozdowski, W.
    Wojtowicz, A.
    Lempicki, A.
    Dorenbos, P.
    de Haas, J. T. M.
    van Eijk, C. W. E.
    Bos, A. J. J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1945649.pdf
    Data publikacji:
    1996-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.90.+t
    78.55.-m
    61.80.Ed
    29.40.-n
    Opis:
    The present status of the LuAlO$\text{}_{3}$:Ce scintillator is reviewed. Scintillation mechanism of this material is based on capture by Ce$\text{}^{3+}$ of holes and then electrons from their respective bands. Results of spectroscopic and thermoluminescence experiments are presented to support this model.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 2; 377-384
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies