Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "tranzystory" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 18
Tytuł:
Materiały organiczne w elektronice
Organic materials for electronics
Autorzy:
Żmija, J.
Małachowski, M. J.
Zieliński, J.
Wacławek, M.
Ścieżka, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/106376.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Towarzystwo Chemii i Inżynierii Ekologicznej
Tematy:
ciekłe kryształy
displeje
półprzewodniki organiczne
OLED
ogniwa słoneczne
lasery
cienkowarstwowe tranzystory
liquid crystals
displays
organic semiconductors
solar cells
lasers
thin film transistors
Opis:
Przedstawiono przegląd wykorzystania materiałów organicznych w optoelektronice. W ostatnich latach widoczne są znaczne postępy w tym względzie zarówno naukowe, jak i aplikacyjne. Stwarza to realne podstawy, aby sądzić, że powstaje nowa licząca się gałąź nauki powiązana z interesującymi zastosowaniami, które w zakresie ciekłych kryształów (CK) są realizowane od dawna. Najnowsze publikacje pokazują niewątpliwe perspektywy inżynierii materiałowej w badaniach oraz zastosowaniu stałych półprzewodników organicznych. Omówiono ostatnie osiągnięcia w konstrukcji displejów CK, fotoogniw, ogniw słonecznych, emiterów LED, laserów oraz elementów mikroelektronicznych, zwłaszcza cienkowarstwowych tranzystorów.
Review of papers connected with wide aspects of organic material engineering and its application in optoelectronics is presented. It creates an actual basis for new important branch of science and technology, which in LC case has been realized for decades already. Last achievements in fabrication of LC displays, photoelements, solar cells, OLEDs, lasers and microelectronic devices especially thin film transistors are presented. It is evident that a significant progress in science, technology and application of organic materials has been achieved.
Źródło:
Chemistry-Didactics-Ecology-Metrology; 2006, 11, 1-2; 69-80
2084-4506
Pojawia się w:
Chemistry-Didactics-Ecology-Metrology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A simple semi-analytical model for the Kink effect for the intrinsic n-channel polysilico thin film transistors
Autorzy:
Siddiqui, M. J.
Qureshi, S.
Alshariff, S. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378435.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Tematy:
cienkie warstwy
tranzystory
jonizacja
pole elektryczne
model analityczny
efekt Kinka
polisilikon
thin films
tranzistors
ionization
electric field
analylical model
Kink effect
polysilicon
Opis:
In order to improve the modeling of Polysilicon thin film transistors (Poly-Si-TFTs) a precise evaluation of the excess current due to impact ionization is needed. In this paper we have proposed a simple model for the excess current resulting from the impact ionization occurring at high drain biases. Model is based on the estimation of the electric field in the saturated part of the channel. The electric field in the saturated region is obtained by the solution of the two- dimensional Poisson's equation. The model is semi-analytical and uses only one fitting parameter which is desirable for circuit simulation. The simulation results with the developed impact ionization current model are in excellent agreement with the available experimental output characteristics of the intrinsic n-channel Poly-Si-TFTs.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2007, 39, 1; 1-4
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza strat powstających podczas załączania pary tranzystorów mocy MOS-FET oraz IGBT, pracujących w przekształtnikach rezonansowych
Analysis of power losses during turning on pair of power transistors MOS-FET and IGBT working in resonant inverter
Autorzy:
Balcerak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159538.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
sterowanie tranzystorami
praca równoległa tranzystorów
minimalizacja strat mocy
sterowniki
drivery
podwyższenie sprawności
porównywanie tranzystorów
tranzystory
przekształtniki impulsowe
KPS
Opis:
W niniejszym artykule przedstawiono topologię rezonansowego układu przekształtnikowego służącego do generacji bardzo krótkich impulsów o wysokiej mocy. Omówiono celowość równoległego łączenia ze sobą dwóch typów tranzystorów: MOS-FET i IGBT, pracujących jako klucze w przekształtnikach rezonansowych typu Kicker Power Supply (KPS). Przedstawiono wpływ niejednoczesności załączenia tranzystorów na sprawność przetwornicy oraz na straty mocy na tych tranzystorach. Zwrócono również uwagę na opóźnienia czasu załączania wprowadzane przez sterowniki tranzystorów mocy. Omówiono także wpływ wartości rezystancji łączącej sterownik z tranzystorem mocy na sprawność przetwornicy rezonansowej.
Paper presents topology of resonant inverter which is used to generate very short, high-power pulses. Advisability of parallel connecting two kinds of transistors: MOS-FET and IGBT, working as keys in resonant inverters in Kicker Power Supply (KPS) were discussed. Influence of unsimultaneity of turning on transistors to efficiency of inverter and the power losses on these transistors was presented. Paper discussed also the delays added by the drivers of power transistors and the influence of value of resistance connecting driver with power transistor on efficiency of resonant inverter.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 246; 59-72
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Complex fourier series mathematical model of a universal motor supplied by an igbt transistor
Model matematyczny silnika uniwersalnego zasilanego poprzez tranzystor IGBT przy wykorzystaniu zespolonych szeregów Fouriera
Autorzy:
Záskalický, P.
Kaňuch, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1369125.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
Tematy:
model matematyczny
silnik uniwersalny
tranzystory IGBT
IGBT transistor
universal motor
mathematical models
Opis:
The present contribution shows an analytical method of the calculus of the torque ripple and current waveforms of a universal motor supplied by an IGBT chopper. The chopper output voltage waveform is formulated by the Fourier series. The armature reaction of the motor is included in the calculus. The motor performance is computed using the circuit parameters determined by measurements. The calculated current waveforms are compared with the measured ones.
Źródło:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2012, 1, 94; 33-37
0239-3646
2084-5618
Pojawia się w:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
E-mail, E-papier E-skóra ?
E-mail, E-paper, E-skin ?
Autorzy:
Łapkowski, M.
Jarosz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1217315.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Przemysłu Chemicznego. Zakład Wydawniczy CHEMPRESS-SITPChem
Tematy:
e-skóra
tranzystory polowe
czujniki ciśnienia
e-skin
organic-FET
pressure sensor
Opis:
Przeszczepianie skóry jest zagadnieniem znanym już na dwa i pół tysiąca lat przed naszą erą, kiedy to przeprowadzano pierwsze eksperymenty z jej zakresu. Najnowszymi owocami tej dziedziny jest tzw. e-skóra - membrana wrażliwa na nacisk. Ostatnimi czasy ogłoszono powstanie dwóch jej modeli, autorstwa niezależnych zespołów naukowców. Artykuł opisuje ich budowę oraz zasadę funkcjonowania, a także opracowany wcześniej czujnik ciśnienia, który mógł stanowić inspirację dla twórców e-skóry.
The first experiments that gave birth to the discipline of skin grafting date back to two and a half millennia B.C. The most recent fruit of this branch of science is e-skin - a pressure-sensitive membrane. Lately, the completion of two models of such a membrane by independent research teams has been announced. The article describes the construction and the operating principles of those models, as well as a pressure sensor that has been developed before them and might have served as a source of inspiration for the creators of the e-skin.
Źródło:
Chemik; 2012, 66, 2; 119-122
0009-2886
Pojawia się w:
Chemik
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Przekształtnik wysokiej częstotliwości z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN
High-frequency power converter using modern GaN transistors
Autorzy:
Swadowski, M.
Zygoń, K.
Jąderko, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1817901.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
tranzystory GaN
straty łączeniowe
wysoka częstotliwość
grzanie indukcyjne
termografia
Opis:
Modern transistors made with gallium nitride in the application of induction heater voltage converter are described in this paper. Advantages of modern GaN transistors in comparison to the MOSFETs are shown. Total power losses and maximum junctions temperature are significantly reduced.
Źródło:
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały; 2015, 71, 35; 29--39
1733-0718
Pojawia się w:
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wybrane sposoby minimalizacji łączeniowych strat energii w wysokonapięciowych tranzystorach MOSFET pracujących z twardą komutacją
Selected methods to reduce hard-switching losses in high voltage power MOSFETS
Autorzy:
Grzejszczak, P
Barlik, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/160197.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
tranzystory MOSFET
łączeniowe straty energii
twarde załączanie
ładunek wsteczny diod
MOSFET
switching losses
hard commutation
body diode reverse recovery charge
Opis:
W artykule przedstawiono wybrane sposoby ograniczania łączeniowych strat energii w tranzystorach MOSFET pracujących z twardą komutacją. Głównym źródłem strat energii w tym procesie jest ładunek wsteczny diod zwrotnych komplementarnych łączników w gałęzi. W badaniach właściwości dynamicznych strukturalnych diod zwrotnych wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET wykazano ścisłą zależność ładunku wstecznego od długości czasu martwego w gałęzi przekształtnika. W związku z powyższym zaproponowano sposób minimalizacji dynamicznych strat energii przez dostosowanie czasu martwego w gałęziach przekształtnika do wartości prądu przełączanego przez tranzystory. Wyniki badań zaprezentowano dla tranzystorów MOSFET wykonanych w różnych technologiach
In this paper, selected methods to reduce switching losses in Power MOSFETs under hard switching operation were presented. The main part of these switching losses in two switches branch is body diode reverse recovery charge. Studies have demonstrated the dependence of the reverse recovery charge on the dead time length. Accordingly, the proposed methods of minimizing switching losses by adjusting the dead time length to switching current value. Simulation studies have shown a significant reduction in switching losses in the dual active bridge after applying the control algorithm with a variable dead time.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2015, 270; 5-13
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of GaN transistors to increase efficiency of switched-mode power supplies
Zastosowanie tranzystorów GaN do zwiększenia sprawności przetwornic impulsowych
Autorzy:
Aksamit, W.
Rzeszutko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/267239.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
gallium nitride
GaN transistors
power conversion
efficiency
azotek galu
tranzystory GaN
straty mocy w tranzystorach GaN
Opis:
During the last few years Gallium Nitride became a rapidly growing technology in the power conversion market. GaN HEMT transistors are now offered by several manufacturers and it is expected that in the nearest future they will replace conventional Si transistors in many applications. The aim of this article is to present the actual benefits of GaN transistors over Si by comparing both technologies from the point of view of power losses. It is shown that thanks to lower internal capacitances and lower reverse recovery charge GaN transistors offer significant improvements in power conversion efficiency, especially at higher frequencies. Calculations of power losses are performed on the example of a buck converter. Different types of GaN transistors with different voltage ratings are analyzed.
W ciągu ostatnich lat na rynku elektroniki mocy nastąpił dynamiczny rozwój technologii GaN. Tranzystory GaN HEMT są obecnie oferowane przez kilku producentów i przewiduje się że w najbliższym czasie w wielu zastosowaniach zastąpią one tradycyjne tranzystory Si. Celem tej publikacji jest przestawienie rzeczywistych zalet tranzystorów GaN w odniesieniu do Si poprzez porównanie obu technologii pod kątem strat mocy. W artykule pokazano że dzięki niższym pojemnościom wewnętrznym i niższemu ładunkowi QRR tranzystory GaN pozwalają na znaczącą poprawę sprawności, szczególnie przy wyższych częstotliwościach przełączania. Obliczenia strat mocy zostały przeprowadzone na przykładzie przetwornicy typu buck. Przeanalizowane zostały różne typy tranzystorów GaN o różnych napięciach znamionowych.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2016, 49; 11-16
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Relationship between crystalline structure of poly(3-hexylthiophene) blends and properties of organic thin-film transistors – a brief review
Wpływ struktury poli(3-heksylotiofenu) i jego mieszanin na właściwości organicznych tranzystorów polowych – krótki przegląd
Autorzy:
Chlebosz, D.
Janasz, Ł.
Pisula, W.
Kiersnowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/947465.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Chemii Przemysłowej
Tematy:
poly(3-hexylthiophene) (P3HT)
polymer blends
organic thin-film transistors
poli(3-heksylotiofen) (P3HT)
mieszaniny polimerowe
organiczne tranzystory cienkowarstwowe
Opis:
Poly(3-hexythiophene) (P3HT) is one of the most extensively studied polymers for applications in organic thin-film transistors. Semicrystalline P3HT is a p-type semiconductor enabling applications in the unipolar organic field-effect transistors (OFETs). Blending P3HT with small molecular compounds can enhance the mobility of charge carriers in the OFET active layer. When small molecules reveal electron conductivity and their phase separation upon crystallization in the presence of P3HT results in formation of heterojunctions, the blends can be considered candidates for active layers in the ambipolar OFETs. Regardless of unipolar or ambipolar, the charge carrier transport always depends on the inherent properties of the polymer and small molecules as well as the crystalline structure and morphology (nanostructure) of the blends. This paper is a brief review of the recent findings regarding relationships between structure and properties of the active layers of P3HT and P3HT blends-based OFETs. Herein we discuss examples of blends of P3HT with, amongst others, perylene diimide derivatives, and discuss their OFET-related properties, like charge-carrier mobility, in relation to both crystalline structure of the blend components and blend morphology. Some key issues related to morphology control by changing layer formation conditions are also indicated in this paper.
Poli(3-heksylotiofen) (P3HT) to semikrystaliczny polimer, charakteryzujący się przewodnictwem dziurowym (typu p), dzięki czemu jest stosowany w aktywnych warstwach organicznych tranzystorów polowych (ang. Organic Field-Effect Transistor, OFET). Badania prowadzone w ciągu ostatnich lat wykazały, że mieszanie P3HT z poliaromatycznymi substancjami małocząsteczkowymi może powodować zwiększenie ruchliwości nośników ładunku (dziur) w warstwie aktywnej OFET. Zastosowanie dwufazowych mieszanin P3HT z małocząsteczkowymi substancjami o przewodnictwie typu n (np. pochodnymi perylenodiimidów) umożliwia otrzymanie tranzystorów ambipolarnych, które można wykorzystać m.in. do wytworzenia układów komplementarnych. Niezależnie od rodzaju urządzenia – unipolarnego lub ambipolarnego – transport nośników ładunku zależy od właściwości użytych substancji oraz struktury krystalicznej i morfologii (nanostruktury) mieszanin. W niniejszej pracy, na podstawie przeglądu literatury, omówiono strukturę krystaliczną i morfologię przykładowych mieszanin P3HT. Ponadto, przedyskutowano relacje pomiędzy cechami strukturalnymi cienkich filmów otrzymanych z P3HT i jego mieszanin a właściwościami OFET.
Źródło:
Polimery; 2016, 61, 6; 433-441
0032-2725
Pojawia się w:
Polimery
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie tranzystorów HEMT z azotku galu w impulsowych przekształtnikach mocy
Autorzy:
Janke, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118450.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
azotek galu
GaN
tranzystory HEMT
impulsowe przekształtniki mocy
gallium nitride
HEMT transistor
power converters
Opis:
Praca zawiera przegląd problematyki zastosowań tranzystorów HEMT (high electron mobility transistors) w wysokosprawnych układach przekształtników mocy. Wymieniono najważniejsze wymagania stawiane elementom półprzewodnikowym we współczesnych przekształtnikach energoelektronicznych. Przedstawiono główne cechy heterostruktur GaN-GaAlN i tranzystorów opartych na takich strukturach. Przedyskutowano różne rozwiązania konstrukcyjno-technologiczne struktur HEMT o cechach tranzystora normalnie wyłączonego (pracującego ze wzbogaceniem). Pokazano przykładowe parametry tranzystorów HEMT pracujących dla energoelektroniki. Omówiono także wybrane rozwiązania impulsowych przekształtników BUCK i BOOST oparte na tranzystorach HEMT i ich główne właściwości.
The applications of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMT) in modern power converters are reviewed. Basic demands for semiconductor devices used in switch-mode high efficiency power converters are summarized. Specific features of GaN-GaAlN heterostructure and HEMT’s are briefly described. Different solutions of enhancement-mode HEMT applicable in power converters of resulting parameters of HEMT-based enhancement-mode transistors are given. The exemplary power converters based on GaN HEMT’s, including BUCK and BOOST circuits are presented and their features discussed.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 5-27
1897-7421
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Preludium do wysokonapięciowych półprzewodników z szerokim pasmem zabronionym. Tranzystory IGBT nowej generacji – niskie poziomy indukcyjności, małe straty i miękkie przełączanie
Autorzy:
White, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/304640.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Wydawnictwo Druk-Art
Tematy:
tranzystory
półprzewodnik
urządzenie energoelektroniczne
semiconductor
transistor
power electronics
Opis:
HITACHI, dostrzegając aktualne potrzeby rynku, wprowadza tranzystory IGBT nowej generacji w obudowie nHPD2 o niższych stratach mocy, niższej indukcyjności oraz wartościach EMI, torując jednocześnie drogę dla technologii półprzewodników WBG.
Źródło:
Napędy i Sterowanie; 2017, 19, 1; 32-35
1507-7764
Pojawia się w:
Napędy i Sterowanie
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 18

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies