Przekształtnik wysokiej częstotliwości z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Przekształtnik wysokiej częstotliwości z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN
High-frequency power converter using modern GaN transistors
Autorzy:: Swadowski, M.
Zygoń, K.
Jąderko, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1817901.pdf
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: tranzystory GaN
straty łączeniowe
wysoka częstotliwość
grzanie indukcyjne
termografia
Źródło:: Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały; 2015, 71, 35; 29--39
1733-0718
Język:: polski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Modern transistors made with gallium nitride in the application of induction heater voltage converter are described in this paper. Advantages of modern GaN transistors in comparison to the MOSFETs are shown. Total power losses and maximum junctions temperature are significantly reduced.

Informacja

Powiązane pozycje