In order to improve the modeling of Polysilicon thin film transistors (Poly-Si-TFTs) a precise evaluation of the excess current due to impact ionization is needed. In this paper we have proposed a simple model for the excess current resulting from the impact ionization occurring at high drain biases. Model is based on the estimation of the electric field in the saturated part of the channel. The electric field in the saturated region is obtained by the solution of the two- dimensional Poisson's equation. The model is semi-analytical and uses only one fitting parameter which is desirable for circuit simulation. The simulation results with the developed impact ionization current model are in excellent agreement with the available experimental output characteristics of the intrinsic n-channel Poly-Si-TFTs.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE W OKRESIE WAKACYJNYM BIBLIOTEKA BĘDZIE FUNKCJONOWAŁA W ZMIENIONYCH GODZINACH::
od 15 do 31 lipca:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna:
9.00 - 15.00
(poniedziałek-piątek)
Czytelnia Działu Zbiorów Specjalnych:
9.00 - 15.00
(poniedziałek-piątek)
od 1 do 31 sierpnia:
BIBLIOTEKA BĘDZIE NIECZYNNA
UWAGA:
Zwrotu wypożyczonych materiałów można dokonać u dyżurującego bibliotekarza w Wypożyczalni Głównej od 9.00 do 15.00.
Na pozycje, których termin zwrotu przypadnie od 1 do 31 sierpnia, wprowadzona zostanie prolongata (nowy termin zwrotu – 6 września).