Temat: silicon microstructures - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Model mikrokrzemowego czujnika z cewką planarną do pomiaru indukcji pola magnetycznego
Microsilicon sensor with planar coil for magnetic flux density measurements
Autorzy:: Prohuń, T.
Rybak, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/151445.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: MEMS
MOEMS
struktury krzemowe
pomiary indukcji magnetycznej
silicon microstructures
magnetic flux density measurements
Opis:: W artykule przedstawiono model czujnika do pomiaru indukcji stałego (jednorodnego) pola magnetycznego w postaci belki krzemowej z nanie-sionym płaskim uzwojeniem. Prąd przepływający przez uzwojenie cewki wytwarza strumień oddziałujący z zewnętrznym polem magnetycznym. Koniec belki ulega odkształceniu w kierunku osi z. Kąt ugięcia belki jest miarą indukcji zewnętrznego pola magnetycznego. Do analizy zastosowano metodę elementów skończonych oraz metodę pól sprzężonych ze względu na anizotropowość i niejednorodność struktury krzemowej. W pracy opisano charakterystyki wyjściowe czyli kąta ugięcia belki w funkcji indukcji B zewnętrznego pola magnetycznego. Przeanalizowano wpływ wymiarów geometrycznych belki na jej ugięcie.
In the article a magnetic flux density sensor was described. The sensor consist of silicon cantilever and planar coil. Current flowing by the coil produce magnetic flux around the coil. Influence of magnetic flux with external magnetic field causes cantilever deform. The angle of cantilever deformation in z axis means external magnetic field induction. In cause of magnetic anisotropy and heterogeneous of analyzed silicon structure the FEM method and couple field method was applied in simulation. The influence of dimensions of beam on beam-end deformation was described.
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9, 9; 78-80
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Modelowanie przestrzennego rozkładu pola magnetycznego przetwornika elektromagnetycznego do pomiaru indukcji zewnętrznego pola magnetycznego
Modeling 3D magnetic field of magnetic flux density sensor
Autorzy:: Prohuń, T.
Gołębiowski, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/157380.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: MEMS
MOEMS
struktury krzemowe
pomiary indukcji magnetycznej
silicon microstructures
magnetic flux density measurements
Opis:: W referacie przedstawiono model czujnika do pomiaru indukcji pola magnetycznego w postaci belki krzemowej z naniesionym płaskim uzwojeniem. Prąd przepływający przez uzwojenie cewki wytwarza strumień oddziałujący z zewnętrznym polem magnetycznym. Koniec belki ulega odkształceniu w kierunku osi z. Kąt ugięcia belki jest miarą indukcji zewnętrznego pola magnetycznego. Model czujnika składa się z belki wykonanej z krzemu monokrystalicznego oraz płaskiego uzwojenia wykonanego z aluminium. Ze względu na wielowarstwową, anizotropową budowę przetwornika do budowy modelu zastosowano metodę elementów skończonych (metodą pól sprzężonych i oprogramowanie COMSOL). W referacie pokazano rozkład przestrzennego pola magnetycznego cewki płaskiej i jego wpływ na zewnętrzne (mierzone) pole magnetyczne. W pracy przedstawiono wyniki symulacji dla różnych wartości parametrów konstrukcyjnych przetwornika w celu uzyskania zakładanej czułości dla wybranego zakresu pomiarowego indukcji zewnętrznego pola magnetycznego.
In the article a magnetic flux density sensor was described. The sensor consist of silicon cantilever and planar coil. Current flowing by the coil produce magnetic flux around the coil. Influence of magnetic flux with external magnetic field causes cantilever deform. The angle of cantilever deformation means external magnetic field induction. The influence of shape and dimensions of planar coil on magnetic energy density was described. In cause of magnetic anisotropy and heterogeneous of analyzed silicon structure the FEM method and couple field method was applied in simulation.
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 265-268
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Model przetwornika elektromagnetycznego zastosowanego w krzemowym czujniku drgań mechanicznych
Modelling of the Electromagnetic Transducer for Silicons Vibrations Sensor
Autorzy:: Rybak, M.
Gołębiowski, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/154931.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: MEMS
mikrostruktury krzemowe
drgania mechaniczne
czujniki Halla
MES
silicon microstructures
vibration measurement
Hall sensors
FEM
Opis:: W zastosowanej konstrukcji przetwornika na powierzchni cienkiej belki krzemowej umieszczono uzwojenie w postaci cewki płaskiej. Płynący przez przetwornik prąd elektryczny wytwarza pole magnetyczne, które oddziałuje na umieszczony w pobliżu hallotron. Drgania obiektu wywołują zmianę położenia przetwornika względem hallotronu, co powoduje zmianę sygnału wyjściowego. W pracy przebadano wpływ parametrów konstrukcyjnych przetwornika na wartość indukcji pola magnetycznego w hallotronie. Do analizy rozkładu pola magnetycznego zastosowano metodę elementów skończonych (program ANSYS).
The construction of the rectangular silicon beam with mass and the by electromagnetic transducer was described. In the silicon microsystem aluminium electrodes pattern on the beam surface was applied. The current flow by electromagnetic transducer produce magnetic field. Transducer magnetic field influence on Hall sensor. The beam vibrations caused change distance between transducer position by Hall sensor. The analysis of distribution magnetic field was presented. The method of the finite elements was applied to the analysis of the microsystem. The results for the electromagnetic transducer, which were calculated by means of ANSYS programme are presented and discussed.
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 605-608
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Formation of "black silicon" on a surface of Ni/Si structure by Nd:YAG laser radiation
Autorzy:: Medvid', A.
Karabko, A.
Onufrijevs, P.
Dauksta, E.
Dostanko, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/385280.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:: black silicon
self-organization
microstructures
Nd:YAG laser
Opis:: We have shown the possibility to form a new type of material known as "black silicon". After irradiation of a Si sample surface, covered with 30 nm thick Ni layer, by Nd: YAG laser beam at intensity 4.5 MW/cm2 the "black silicon" was formed. The formation and self-organization of conelike microstructures on the Ni/Si surface has been detected by scanning electron microscope (SEM). Light is repeatedly reflected between the cones in the way that most of it is absorbed, therefore the surface becomes like a "black body" absorber. The micro-chemical analysis performed on SEM has shown that the microstructures contain NiSi2. This was approved by presence of LO phonon line in Raman back scattering spectrum. The control of micro-cone shape and height was achieved by changing the laser intensity and number of pulses.
Źródło:: Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2009, 3, 4; 140-142
1897-8649
2080-2145
Pojawia się w:: Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "silicon microstructures" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język