Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Model mikrokrzemowego czujnika z cewką planarną do pomiaru indukcji pola magnetycznego

Tytuł:
Model mikrokrzemowego czujnika z cewką planarną do pomiaru indukcji pola magnetycznego
Microsilicon sensor with planar coil for magnetic flux density measurements
Autorzy:
Prohuń, T.
Rybak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/151445.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
MEMS
MOEMS
struktury krzemowe
pomiary indukcji magnetycznej
silicon microstructures
magnetic flux density measurements
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9, 9; 78-80
0032-4140
Język:
polski
Prawa:
CC BY: Creative Commons Uznanie autorstwa 3.0 Unported
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
W artykule przedstawiono model czujnika do pomiaru indukcji stałego (jednorodnego) pola magnetycznego w postaci belki krzemowej z nanie-sionym płaskim uzwojeniem. Prąd przepływający przez uzwojenie cewki wytwarza strumień oddziałujący z zewnętrznym polem magnetycznym. Koniec belki ulega odkształceniu w kierunku osi z. Kąt ugięcia belki jest miarą indukcji zewnętrznego pola magnetycznego. Do analizy zastosowano metodę elementów skończonych oraz metodę pól sprzężonych ze względu na anizotropowość i niejednorodność struktury krzemowej. W pracy opisano charakterystyki wyjściowe czyli kąta ugięcia belki w funkcji indukcji B zewnętrznego pola magnetycznego. Przeanalizowano wpływ wymiarów geometrycznych belki na jej ugięcie.

In the article a magnetic flux density sensor was described. The sensor consist of silicon cantilever and planar coil. Current flowing by the coil produce magnetic flux around the coil. Influence of magnetic flux with external magnetic field causes cantilever deform. The angle of cantilever deformation in z axis means external magnetic field induction. In cause of magnetic anisotropy and heterogeneous of analyzed silicon structure the FEM method and couple field method was applied in simulation. The influence of dimensions of beam on beam-end deformation was described.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies