Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "gallium" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 37
Tytuł:
Zmienność zawartości pierwiastków krytycznych (Be, Co, Ga, Ge) w węglu kamiennym LZW
Variability in the content of critical elements (Be, Co, Ga and Ge) in bituminous coal of the Lublin Coal Basin
Autorzy:
Auguścik, J.
Wasilewska-Błaszczyk, M.
Wójtowicz, J.
Paszek, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2061693.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Państwowy Instytut Geologiczny – Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
pierwiastki krytyczne
beryl
gal
german
kobalt
węgiel kamienny
korelacja
LZW
critical elements
beryllium
gallium
germanium
cobalt
hard coal
correlation
Lublin Coal Basin
Opis:
Przeprowadzone badania węgla kamiennego złoża Bogdanka, leżącego w obrębie Lubelskiego Zagłębia Węglowego (LZW) wykazały, że analizowane pierwiastki (Co, Ga, Ge) charakteryzują się dużą zmiennością. Wyjątek stanowił beryl (Be), który cechuje się zmiennością przeciętną. Badania korelacji między pierwiastkami potwierdziły wyniki wcześniejszych badań dotyczących występowania statystycznie istotnej korelacji między galem i kobaltem (Ga–Co). Otrzymane wyniki badań zawartości poszczególnych pierwiastków krytycznych były dalece odbiegające od dotychczas prezentowanych w opracowaniach naukowych publikowanych i niepublikowanych dla LZW. Badania te nie potwierdziły postulowanych wcześniej prawidłowości i wysokich koncentracji tych pierwiastków w węglach LZW. Uwierzytelniono jednak znacznie większe koncentracje tych pierwiastków w spągu pokładów. Analiza kontrolna prób wykonana w dwóch niezależnych laboratoriach wykazała duże rozbieżności w wynikach oznaczeń, szczególnie w odniesieniu do zawartości germanu; prawdopodobnie jest to związane z bardzo niskimi zawartości tego pierwiastka i trudnościami jego oznaczania.
The research on bituminous coal from the Lublin Coal Basin (LCB) has shown high variability of the chemical elements Co, Ge and Ga. An exception is beryllium that features medium variability. Analysis of the correlation between the elements confirms the results of previous studies on the occurrence of the statistically significant correlation between gallium and cobalt. The obtained contents of particular critical elements differed much more from those presented up-to-date in both published and unpublished scientific reports on the LCB. The research did not confirm regularities and high concentrations of the elements in the LCB coals, as postulated earlier. However, much higher concentrations of the elements were detected in the seam footwalls. The control analysis of the samples performed by two independent laboratories indicated huge discrepancies in the results, especially for the content of germanium, due to very low values and difficulty in marking this element.
Źródło:
Biuletyn Państwowego Instytutu Geologicznego; 2016, 466; 7--15
0867-6143
Pojawia się w:
Biuletyn Państwowego Instytutu Geologicznego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów SI GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the Liquid Encapsulated Czochralski method
Autorzy:
Hruban, A.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Materna, A.
Dalecki, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192082.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SI GaAs
obróbka termiczna
EPD
gallium arsenide
LEC thermal annealing
Opis:
Standardowa technologia otrzymywania półizolujących monokryształów SI GaAs składa się z 3 etapów tzn. syntezy, monokrystalizacji i obróbki termicznej, która jest niezbędna dla uzyskania rezystywności ρ ≥ 107 Ohmcm i ruchliwości nośników ładunku μ ≥ 5000 cm2/Vs. Synteza i monokrystalizacja są wykonywane w ramach jednego procesu w wysokociśnieniowym urządzeniu Czochralskiego. Standardowa obróbka termiczna jest procesem osobnym polegającym na wygrzewaniu kryształów w zamkniętych ampułach kwarcowych w atmosferze par As. Proces ten jest pracochłonny, wymaga dodatkowych urządzeń oraz zwiększa koszty. Przedmiotem pracy było uproszczenie technologii wytwarzania monokryształów SI GaAs przez obróbkę cieplną zintegrowaną z procesami syntezy i monokrystalizacji. Przeprowadzono zintegrowane procesy monokrystalizacji i wygrzewania otrzymując monokryształy o średnicach 2" i 3" i ciężarze ~ 3 kg. Własności takich kryształów porównano z monokryształami wytwarzanymi w procesach standardowych. Wykazano, że właściwości fizyczne takie jak: rezystywność, ruchliwość i gęstość dyslokacji nie zależą od sposobu prowadzenia procesu (standardowy, zintegrowany) lecz są tylko funkcją temperatury wygrzewania. Proces zintegrowany upraszcza technologię wytwarzania, a jednocześnie obniża poziom stresów termicznych eliminując pękanie kryształów.
A standard technological process of manufacturing SI GaAs single crystals consists of 3 steps, namely synthesis, crystal growth and thermal annealing, which are necessary to reach high resistivity (ρ ≥ 107 Ohmcm) and high carrier mobility (μ ≥ 5000 cm2/Vs). Usually both synthesis and crystal growth are realized in one process in a high pressure Czochralski puller. The thermal annealing process is carried out in a sealed quartz ampoule under arsenic (As) vapor pressure. This increases the costs of the process due to a need for the equipment and, in addition, is time consuming. The subject matter of this work was the improvement of the SI GaAs technology by integrating the thermal annealing step with synthesis and crystal growth. The integrated manufacturing processes of SI GaAs crystals with 2" and 3" in diameter and ~ 3000 g in weight were performed. Their physical properties were compared with these of the crystals obtained in a standard process. Preliminary results of this work indicate that it is possible to improve the SI GaAs technology and decrease the manufacturing costs. They also prove that thermal stress in the crystals can be decreased, as a result of which cracks will not appear during the mechanical treatment (cutting, lapping).
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 38-47
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie tranzystorów HEMT z azotku galu w impulsowych przekształtnikach mocy
Autorzy:
Janke, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118450.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
azotek galu
GaN
tranzystory HEMT
impulsowe przekształtniki mocy
gallium nitride
HEMT transistor
power converters
Opis:
Praca zawiera przegląd problematyki zastosowań tranzystorów HEMT (high electron mobility transistors) w wysokosprawnych układach przekształtników mocy. Wymieniono najważniejsze wymagania stawiane elementom półprzewodnikowym we współczesnych przekształtnikach energoelektronicznych. Przedstawiono główne cechy heterostruktur GaN-GaAlN i tranzystorów opartych na takich strukturach. Przedyskutowano różne rozwiązania konstrukcyjno-technologiczne struktur HEMT o cechach tranzystora normalnie wyłączonego (pracującego ze wzbogaceniem). Pokazano przykładowe parametry tranzystorów HEMT pracujących dla energoelektroniki. Omówiono także wybrane rozwiązania impulsowych przekształtników BUCK i BOOST oparte na tranzystorach HEMT i ich główne właściwości.
The applications of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMT) in modern power converters are reviewed. Basic demands for semiconductor devices used in switch-mode high efficiency power converters are summarized. Specific features of GaN-GaAlN heterostructure and HEMT’s are briefly described. Different solutions of enhancement-mode HEMT applicable in power converters of resulting parameters of HEMT-based enhancement-mode transistors are given. The exemplary power converters based on GaN HEMT’s, including BUCK and BOOST circuits are presented and their features discussed.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 5-27
1897-7421
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ powłok HfO2 i Al2O3 na dynamikę sieci nanodrutów GaN. Analiza statystyczna wyników spektroskopii Ramana
Influence of HfO2 and Al2O3 Shells on Lattice Dynamics of GaN Nanowires. Statistical Analysis of the Results of Raman Spectroscopy
Autorzy:
Szymon, Radosław
Zielony, Eunika
Sobańska, Marta
Żytkiewicz, Zbigniew
Lipiński, Tomasz
Nowacki, Krzysztof
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/chapters/28328178.pdf
Data publikacji:
2023-12-14
Wydawca:
Politechnika Częstochowska. Wydawnictwo Politechniki Częstochowskiej
Tematy:
analiza statystyczna
azotek galu
nanodruty
rdzeń-powłoka
skaningowa mikroskopia elektronowa
spektroskopia Ramana
core-shell
gallium nitride
nanowires
Ramana spectroscopy
scanning electron microscopy
statistical analysis
Opis:
Rozwój nanotechnologii w przypadku związków półprzewodnikowych z grupy III-V oferuje nowe możliwości wytwarzania wydajniejszych urządzeń optoelektronicznych pracujących w zakresie światła UV. Ich przykładem są nanodruty rdzeń-powłoka na bazie azotku galu (GaN). Cechą nanodrutów jest duży stosunek powierzchni do objętości oraz wysoka jakość struktury krystalicznej. Badania nanostruktur wymagają odpowiedniego przystosowania metod charakteryzacji, których wykorzystanie napotyka ograniczenia technologiczne. Rozwiązaniem jest analiza danych uzyskiwanych podczas pomiarów i zastosowanie metod, które pozwolą potwierdzić występowanie istotnych statystycznie różnic, a także zapewnić odtwarzalność wyników. W niniejszym rozdziale zaproponowano wykorzystanie metod wnioskowania statystycznego w celu zweryfikowania występowania istotnych statystycznie różnic w częstościach wzbudzeń fononowych wyznaczanych na podstawie pomiarów widm Ramana. Pomiary ramanowskie i analizę danych przeprowadzono dla serii próbek nanodrutów typu rdzeń GaN – powłoka Al2O3 lub HfO2, otrzymanych na podłożu krzemowym. Zmierzone częstości wzbudzeń fononowych, w szczególności modu GaN E2high, poddano analizie, wykazując istotne statystycznie różnice pomiędzy próbkami o różnych grubościach powłok. Potwierdzono ich wpływ na właściwości strukturalne i dynamikę sieci krystalicznej nanodrutów. Pokazano również, że wykorzystanie podejścia statystycznego w analizie wyników ramanowskich istotnie zwiększa ich wiarygodność.
The development of nanotechnology of the III-V compounds semicon- ductors provides new opportunities for producing highly-efficient optoelectronic devices that operate in the UV light range. One example is the core-shell nanowires based on gallium nitride (GaN), which have high surface-to-volume ratio and high- quality crystalline structure. However, characterization of nanostructures requires the adaptation of appropriate techniques, which are limited by external factors. To overcome these limitations, data obtained from measurements must be analysed with methods which confirm statistically significant differences, as well as ensure the reproducibility of results. This chapter proposes using statistical inference methods to verify statistically significant differences in the frequencies of phonon excitations, determined with Raman spectra measurements. Raman measurements and data analysis were carried out for a series of GaN nanowires of GaN coated with Al2O3 or HfO2 shells, obtained on a silicon substrate. The analysis of phonon excitation frequencies, especially the GaN E2high mode, confirmed statistically sig- nificant differences between samples. The influence of the shells on the structural properties and crystal lattice dynamics of nanowires was also confirmed. Moreover, the study shows that using a statistical approach in the analysis of Raman results significantly improves their reliability.
Źródło:
Potencjał innowacyjny w inżynierii materiałowej i zarządzaniu produkcją; 69-80
9788371939457
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Uranium and neodymium partitioning in alkali chloride melts using low-melting gallium-based alloys
Autorzy:
Melchakov, S. Y.
Maltsev, D. S.
Volkovich, V. A.
Yamshchikov, L. F.
Lisienko, D. G.
Osipenko, A. G.
Rusakov, M. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146407.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
neodymium
uranium
gallium
separation factor
reductive extraction
pyrochemical reprocessing
Opis:
Partitioning of uranium and neodymium was studied in a ‘molten chloride salt – liquid Ga-X (X = In or Sn) alloy’ system. Chloride melts were based on the low-melting ternary LiCl-KCl-CsCl eutectic. Nd/U separation factors were calculated from the thermodynamic data as well as determined experimentally. Separation of uranium and neodymium was studied using reductive extraction with neodymium acting as a reducing agent. Efficient partitioning of lanthanides (Nd) and actinides (U), simulating fission products and fissile materials in irradiated nuclear fuels, was achieved in a single stage process. The experimentally observed Nd/U separation factor valued up to 106, depending on the conditions.
Źródło:
Nukleonika; 2015, 60, No. 4, part 2; 915-920
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry
Autorzy:
Matys, M
Powroznik, P
Kupka, D
Adamowicz, B
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174326.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
surface photovoltage
gallium nitride
metal-insulator-semiconductor (MIS) structure
interface states
photodetector
Opis:
The rigorous numerical analysis of the surface photovoltage (SPV) versus excitation UV-light intensity (Φ), from 104 to 1020 photon/(cm2s) in a metal/insulator/n-GaN structure with a negative gate voltage (VG = –2 V) was performed using a finite element method. In the simulations we assumed a continuous U-shape density distribution function Dit(E) of the interface states and n-type doping concentration ND = 1016 cm–3. The SPV signal was calculated and compared in three different characteristic regions at the interface, namely i) under the gate centre, ii) near the gate edge and iii) between the gate and ohmic contact. We attributed the differences in SPV(Φ) dependences to the influence of the interface states in terms of the initial band bending and interface recombination controlled by the gate bias. The obtained results are useful for the design of GaN-based UV-radiation photodetectors.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 47-52
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Desorption of Argon Implanted into Gallium Arsenide
Autorzy:
Turek, Marcin
Droździel, Andrzej
Pyszniak, Krzysztof
Węgierek, Paweł
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2201837.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
thermal desorption spectroscopy
gallium arsenide
ion implantation
Opis:
Thermal desorption of Ar implanted with energies 150 keV and 100 keV with fluence 1×10^16 cm^-2 into GaAs is considered. A sudden release of Ar is observed in temperature range 1100 -1180 K as a single narrow peak in TDS (Thermal Desorption Spectroscopy) spectra. This is accompanied by a strong background signal from atmospheric Ar trapped in various parts of the spectrometer. Desorption peak shift analysis allows estimation of desorption activation energy values - these are 3.6 eV and 2.5 eV for implantation energies 150 keV and 100 keV, respectively. These results are comparable to that measured for Ar implanted into germanium target.
Źródło:
Advances in Science and Technology. Research Journal; 2022, 16, 4; 318--326
2299-8624
Pojawia się w:
Advances in Science and Technology. Research Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Simple, responsive and cost effective simultaneous quantification of Ga(III) and In(III) in environmental water samples
Autorzy:
Grabarczyk, M.
Adamczyk, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2082480.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
gallium(III)
indium(III)
trace analysis
environmental
water samples
Opis:
The simultaneous determination of Ga(III) and In(III) in environmental water samples was described. The procedure was based on adsorptive stripping voltammetry using an in situ plated bismuth film electrode as a working electrode. In order to obtain low detection limits and satisfactory separations of gallium and indium peaks on the voltammogram, cupferron was used as a complexing agent. The optimum composition of the supporting electrolyte was found to be: 0.1 mol l-1 acetate buffer (pH=5.0), 2 × 10-4 mol l-1 cupferron, 2 × 10-4 mol l-1 Bi(III), optimal voltammetric parameters were found to be: accumulation potential -0.9 V, accumulation time 60 s. The linear range of Ga(III) as well as In(III) was observed over a concentration range from 2.5 × 10-8 mol l-1 to 1.5 × 10-6 mol l-1. The method was satisfactorily applied to the simultaneous quantification of gallium and indium in environmental water samples. This facilitated a promising application of the recommended procedure for monitoring the environment, which is necessary to evaluate the soil-plant system.
Źródło:
International Agrophysics; 2019, 33, 2; 161-166
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Refractive index and salinity sensors by gallium-doped zinc oxide thin film coated on side-polished fibers
Autorzy:
Tien, Chuen-Lin
Mao, Hao-Sheng
Mao, Tzu-Chi
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1835762.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
refractive index
thin film
side-polished fiber
lossy mode resonance
gallium-doped zinc oxide
Opis:
This work presents a high-sensitivity refractive index and salinity sensor by using fiber-optic side-polishing and electron-beam evaporation techniques. Thin film coated on the flat surface of side-polished fibers can generate a lossy mode resonance (LMR) effect. A gallium-doped zinc oxide (GZO) thin film was prepared by an electron-beam evaporation with the ion assisted deposition method. The residual thickness of the side-polished fiber was 76.5 μm, and GZO film thickness of 69 nm was deposited on the flat surface of the side-polished fiber to fabricate LMR-based fiber sensors. The variation in the optical spectrum of LMR-based fiber sensors was measured by different refractive index saline solutions. The LMR wavelength shift is caused by the refractive index change, which is nearly proportional to the salinity. The corresponding sensitivity of the proposed fiber-optic sensor was 3059 nm/RIU (refractive index unit) for the refractive index range of 1.333 to 1.398. To evaluate the sensitivity of LMR salinity sensors, the saline solution salinities of 3.6%, 7.3%, 10.9%, 14.6%, 18.2% and 21.9% were measured in this work. The experimental result shows that the sensitivity of the proposed salinity sensor is 9.94 nm/%.
Źródło:
Optica Applicata; 2021, 51, 1; 23-36
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Recycling of Gallium from End-of-Life Light Emitting Diodes
Autorzy:
Nagy, S.
Bokányi, L.
Gombkötő, I.
Magyar, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/356762.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
LED
LED recycling
LED chip
gallium
mechanical enrichment
mechanochemical activation
leaching
Opis:
Nowadays Light Emitting Diodes (LEDs) are widely utilized. They are applied as backlighting in Liquid Crystal Displays (LCD) and TV sets or as lighting equipments in homes, cars, instruments and street-lightning. End of life equipments are containing more and more LEDs. The recovery of valuable materials – such as Ga, Au, Cu etc. – from the LEDs is essential for the creating the circular economy. First task is the development of a proper recycling technology. Most of the researchers propose fully chemical or thermal-chemical pathway for the recycling of LEDs. In the meantime our approach based on the thorough investigation of the structure and composition of LEDs, and shown in this paper, is the combination of mechanical and chemical techniques in order to recover more valuable products, as well as to facilitate the mass transfer. Our laboratory scale experiments are introduced, the final aim of which is Ga recovery in accordance with our above approach. It was experimentally proved that the LED chips contain Ga and can be recovered by mechanical processes along with copper-product. Ga is presented on the surface of the chips in GaN form. Mechano-chemical activation in high energy density stirred medium mill and the following acidic leaching resulted in the enrichment of 99.52% of gallium in the pregnant solution.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2017, 62, 2B; 1161-1166
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Production and quality control of 66Ga radionuclide
Autorzy:
Sabet, M.
Rowshanfarzad, P.
Jalilian, A.
Ensaf, M.
Rajamand, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146278.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
gallium-66
cyclotron
radiochemical separation
target recovery
Opis:
The purpose of this study was to develop the required targetry and radiochemical methods for production of 66Ga, according to its increasing applications in various fields of science. The 66Zn(p,n)66Ga reaction was selected as the best choice for the production of 66Ga. The targets were bombarded with 15 MeV protons from cyclotron (IBA-Cyclone 30) at the Nuclear Research Center for Agriculture and Medicine (NRCAM) with a current of 180 mA for 67 min. ALICE and SRIM (Stopping and Range of Ions in Matter) nuclear codes were used to predict the optimum energy and target thickness. Targets were prepared by electroplating 95.73% enriched 66Zn on a copper backing. Chemical processing was performed by a no-carrier-added method consisting of ion exchange chromatography and liquid-liquid extraction. Anion exchange chromatography was also used for the recovery of target material. Quality control of the product was carried out in two steps of chemical and radionuclide purity control. The activity of 66Ga was 82.12 GBq at EOB and the production yield was 410.6 MBq/mAh. The radiochemical separation yield was 93% and the yield of chemical recovery of the target material was 97%. Quality control tests showed a radionuclide purity higher than 97% and the amounts of chemical impurities were in accordance with the United States Pharmacopoeiae levels.
Źródło:
Nukleonika; 2006, 51, 3; 147-154
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Preparation and primary evaluation of 66Ga-DTPA-chitosan in fibrosarcoma bearing mice
Autorzy:
Akhlaghi, M.
Pourjavadi, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147065.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
DTPA-chitosan
degree of modification (DM)
gallium-66
radiolabeled
intratumoral injection
Opis:
Chitosan was chemically modified by diethylenetetraaminepentaacetic acid (DTPA) in different degrees of modification (DM = 6.1, 10.3, 15.7 and 20.9%). DTPA-chitosans were radiolabeled with gallium-66 radionuclide. The effect of several factors on labeling yield such as degree of modification, acidity and concentration of DTPA-chitosan solution, contact time and radioactivity was investigated. Radiolabeled DTPA chitosans were intratumorally injected to fibrosarcoma bearing mice and the leakage of radioactivity from the injection site was evaluated. In comparison with chitosan, all DTPA chitosans showed better efficiency in preventing the leakage of radioactivity from tumor lesion and DTPA-chitosan (DM = 10.3%) was the best which led to remaining 97% of injected dose in the injection site after 54 h of injection. The highest leaked radioactivity from the injection site was in the lungs, liver, spleen and the kidneys. Our results indicated that the DTPA modified chitosan can be an effective carrier for therapeutic radionuclides for tumor treatment by the intratumoral injection technique.
Źródło:
Nukleonika; 2011, 56, 1; 41-47
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Preparation and evaluation of a [66Ga]gallium chitosan complex in fibrosarcoma bearing animal models
Autorzy:
Pourjavadi, A.
Akhlaghi, M.
Jalilian, A. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147067.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
chitosan
gallium-66
internal radiotherapy
fibrosarcoma
intratumoral injection
Opis:
[66Ga]gallium chitosan complex was prepared with a high radiochemical purity (greater than 99%) in dilute acetic acid solution. The radiochemical purity of [66Ga]gallium chitosan complex was checked by using paper chromatography technique. The prepared complex solution was injected intratumoral to fibrosarcoma-bearing mice and the leakage of radioactivity from injection site was investigated. Approximately, 85.4% of the injected dose was retained in the injection site 54 h after injection and most of the leaked radioactivity was accumulated in the blood, liver (0.5%) and lung (6.5%).
Źródło:
Nukleonika; 2011, 56, 1; 35-40
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photodiode based on the epitaxial phosphide gallium with increased sensitivity at a wavelength of 254 nm
Fotodioda oparta na epitaksjalnym fosforku galu o zwiększonej wrażliwości przy długości fali 254 nm
Autorzy:
Dobrovolsky, Yurii G.
Lipka, Volodymyr M.
Strebezhev, Volodymyr V.
Sorokatyi, Yurii O.
Sorokatyi, Mykola O.
Andreeva, Olga P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408832.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
photodiode
gallium phosphide
sensitive, 254 nm
Schottky barrier
fotodioda
fosforek galu
czułość, 254 nm
bariera Schottky'ego
Opis:
The paper showsthe results of the development of a photodiode technology based on gallium phosphide structure n+-n-GaP-Au with high sensitivity. It provides the ion etching of the surface of the gallium phosphide before an application of a leading electrodeof gold. The barrier layerof a 20 nm thick gold is applied to thesubstrate in the magnetic field of GaP. When forming the contact with the reverse sideof the indium substrate at 600°C, there occurs the annealing of the gold barrier layer. At the maximum of the spectral characteristics obtained by the photodiode, it has a sensitivity of 0.13A/W, and at a wavelength of 254 nm – about 0.06 A/W. The dynamic range of the photodiode is not less than 107.
Artykuł pokazuje rezultaty rozwoju technologicznegofotodiody opartej na fosforku galu o strukturze n+-n-GaP-Auo wysokiej czułości. Umożliwia to wytrawianie jonowe powierzchni fosforku galu, zanim zastosowana zostanie elektroda przewodząca wykonana ze złota. Złota warstwa barierowa o grubości 20 nm jest nakładana na podłoże GaP w polu magnetycznym. Gdy powstaje stykz tyłu podłoża indowego w temperaturze 600°C, złota warstwa barierowa jest wyżarzana. Przy maksymalnej charakterystyce spektralnej uzyskanej przezfotodiodę, ma ona czułość 0,13 A/W, a przy długości fali 254 nm –około 0,06 A / W. Zakres dynamiczny fotodiody wynosi co najmniej 107.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 1; 36-39
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optimization of p-type contacts to InGaN-based laser diodes and light emitting diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
Autorzy:
Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
Muziol, Grzegorz
Żak, Mikolaj
Hajdel, Mateusz
Siekacz, Marcin
Feduniewicz-Żmuda, Anna
Skierbiszewski, Czesław
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173471.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
gallium nitride
molecular beam epitaxy
contacts
Opis:
We investigated the influence of the In0.17Ga0.83N:Mg contact layer grown by plasma assisted molecular beam epitaxy on the resistivity of p-type Ni/Au contacts. We demonstrate that the Schottky barrier width for p-type contact is less than 5 nm. We compare circular transmission line measurements with a p-n diode current-voltage characteristics and show that discrepancies between these two methods can occur if surface quality is deteriorated. It is found that the most efficient contacts to p-type material consist of In0.17Ga0.83N:Mg contact layer with Mg doping levelas high as 2 × 1020 cm–3.
Źródło:
Optica Applicata; 2020, 50, 2; 323-330
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 37

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies