Wpływ powłok HfO2 i Al2O3 na dynamikę sieci nanodrutów GaN. Analiza statystyczna wyników spektroskopii Ramana Influence of HfO2 and Al2O3 Shells on Lattice Dynamics of GaN Nanowires. Statistical Analysis of the Results of Raman Spectroscopy
Rozwój nanotechnologii w przypadku związków półprzewodnikowych z grupy III-V oferuje nowe możliwości wytwarzania wydajniejszych urządzeń optoelektronicznych pracujących w zakresie światła UV. Ich przykładem są nanodruty rdzeń-powłoka na bazie azotku galu (GaN). Cechą nanodrutów jest duży stosunek powierzchni do objętości oraz wysoka jakość struktury krystalicznej. Badania nanostruktur wymagają odpowiedniego przystosowania metod charakteryzacji, których wykorzystanie napotyka ograniczenia technologiczne. Rozwiązaniem jest analiza danych uzyskiwanych podczas pomiarów i zastosowanie metod, które pozwolą potwierdzić występowanie istotnych statystycznie różnic, a także zapewnić odtwarzalność wyników. W niniejszym rozdziale zaproponowano wykorzystanie metod wnioskowania statystycznego w celu zweryfikowania występowania istotnych statystycznie różnic w częstościach wzbudzeń fononowych wyznaczanych na podstawie pomiarów widm Ramana. Pomiary ramanowskie i analizę danych przeprowadzono dla serii próbek nanodrutów typu rdzeń GaN – powłoka Al2O3 lub HfO2, otrzymanych na podłożu krzemowym. Zmierzone częstości wzbudzeń fononowych, w szczególności modu GaN E2high, poddano analizie, wykazując istotne statystycznie różnice pomiędzy próbkami o różnych grubościach powłok. Potwierdzono ich wpływ na właściwości strukturalne i dynamikę sieci krystalicznej nanodrutów. Pokazano również, że wykorzystanie podejścia statystycznego w analizie wyników ramanowskich istotnie zwiększa ich wiarygodność.
The development of nanotechnology of the III-V compounds semicon-
ductors provides new opportunities for producing highly-efficient optoelectronic
devices that operate in the UV light range. One example is the core-shell nanowires
based on gallium nitride (GaN), which have high surface-to-volume ratio and high-
quality crystalline structure. However, characterization of nanostructures requires
the adaptation of appropriate techniques, which are limited by external factors.
To overcome these limitations, data obtained from measurements must be analysed
with methods which confirm statistically significant differences, as well as ensure
the reproducibility of results. This chapter proposes using statistical inference
methods to verify statistically significant differences in the frequencies of phonon
excitations, determined with Raman spectra measurements. Raman measurements
and data analysis were carried out for a series of GaN nanowires of GaN coated
with Al2O3 or HfO2 shells, obtained on a silicon substrate. The analysis of phonon
excitation frequencies, especially the GaN E2high mode, confirmed statistically sig-
nificant differences between samples. The influence of the shells on the structural
properties and crystal lattice dynamics of nanowires was also confirmed. Moreover,
the study shows that using a statistical approach in the analysis of Raman results
significantly improves their reliability.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE W OKRESIE WAKACYJNYM BIBLIOTEKA BĘDZIE FUNKCJONOWAŁA W ZMIENIONYCH GODZINACH::
od 15 do 31 lipca:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna:
9.00 - 15.00
(poniedziałek-piątek)
Czytelnia Działu Zbiorów Specjalnych:
9.00 - 15.00
(poniedziałek-piątek)
od 1 do 31 sierpnia:
BIBLIOTEKA BĘDZIE NIECZYNNA
UWAGA:
Zwrotu wypożyczonych materiałów można dokonać u dyżurującego bibliotekarza w Wypożyczalni Głównej od 9.00 do 15.00.
Na pozycje, których termin zwrotu przypadnie od 1 do 31 sierpnia, wprowadzona zostanie prolongata (nowy termin zwrotu – 6 września).