Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "electron mobility" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-15 z 15
    Tytuł:
    Electron mobility and drain current in strained-Si MOSFET
    Autorzy:
    Walczak, J.
    Majkusiak, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308631.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    electron mobility
    strained-Si MOSFET
    Opis:
    Electron mobility and drain current in a strained-Si MOSFET have been calculated and compared with the mobility and drain current obtained for the relaxed material. In the first step, our mobility model has been calibrated to the "universal mobility" according to the available experimental data for unstrained Si MOSFETS. Then, employing the mobility parameters derived in the calibration process, electron mobility and the drain current have been calculated for strained-Si MOSFETs.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 84-87
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Scattering mechanisms in MOS/SOI devices with ultrathin semiconductor layers
    Autorzy:
    Walczak, J.
    Majkusiak, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308021.pdf
    Data publikacji:
    2004
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    ultrathin SOI
    scattering mechanisms
    electron mobility
    Opis:
    Main scattering mechanisms affecting electron transport in MOS/SOI devices are considered within the quantum-mechanical approach. Electron mobility components (i.e., phonon, Coulomb and interface roughness limited mobilities) are calculated for ultrathin symmetrical DG SOI transistor, employing the relaxation time approximation, and the effective electron mobility is obtained showing possible mobility increase relative to the conventional MOSFET in the range of the active semiconductor layer thickness of about 3 nm.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 39-49
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
    Autorzy:
    Taube, A.
    Sochacki, M.
    Szmidt, J.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/226802.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    gallium nitride
    MOS-HEMT
    high electron mobility
    transistor
    AlGaN
    GaN
    simulation
    Opis:
    The article presents the results of modelling and simulation of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMT transistors. The effect of the resistivity of the GaN:C layer, the channel mobility and the use of high-κ dielectrics on the electrical characteristics of the transistor has been examined. It has been shown that a low leakage current of less than 10⁻⁶ A/mm can be achieved for the acceptor dopant concentration at the level of 5×10¹⁵cm⁻³. The limitation of the maximum on-state current due to the low carrier channel mobility has been shown. It has also been demonstrated that the use of HfO₂, instead of SiO₂, as a gate dielectric increases on-state current above 0.7A/mm and reduces the negative influence of the charge accumulated in the dielectric layer.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 3; 253-258
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Activation processes for two chosen aromatic hydrocarbon materials
    Mechanizm przewodnictwa ładunku w aktywowanych warstwach tetracenu i p-czterofenylu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Kuliński, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296486.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    tetracen
    ruchliwość elektronów
    ruchliwość dziur
    transport nośników ładunku
    tetracene
    electron mobility
    hole mobility
    carrier transport
    Opis:
    The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest that tetracene is better for utilization as a vapour sensors.
    Badano proces aktywacji i proces transportu nośników w warstwach tetracenu i czterofenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia, jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne. Wydaje się, że większe możliwości zastosowań w technologii cienkowarstwowej ze względu na dużą głębokość modulacji konduktywności i niewystępowania efektu przebicia ma p-czterofenyl. Tetracen może mieć zastosowanie jako materiał modulujący swoje przewodnictwo w obecności gazów pod warunkiem zastosowania grubszych warstw.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2009, 30; 47-64
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electron drift mobility in amorphous anthrone layers
    Ruchliwość dryftowa elektronów w amorficznych warstwach antronu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296490.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    ruchliwość elektronów
    transport nośników ładunku
    antron bezpostaciowy
    electron mobility
    carrier transport
    amorphous anthrone
    Opis:
    There were investigated the magnitude of the mobility and the type of the mechanism of the electron transport in the amorphous anthrone layers Enthrone (C14H10O) is the molecular crystal. The anthrone molecules due to theirs asymmetry posses permanent dipole moment, µ = 1.22 10-29 Cm. The anthrone samples were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with lower substrate temperatures. Structural examination of the obtained anthrone layers was made using X - ray diffraction. In order to attain that one employed an automatic diffractometer DAR. Drift electron mobility for obtained amorphous layers were determined with TOP method. Obtained results shows the almost lack of the mobility dependence due to the magnitude of the disorder, although the other results should be expected. Either obtained mobility value , less then 10-2 cm2/Vs and activation energy value on the kT level do not permit state unambiguously if we are here with hopping transport mechanism, or with the band transport with participation of the trapping states.
    Badano proces transportu elektronów w warstwach. Uzyskane wyniki nie przesądzają jednoznacznie z jakim rodzajem transportu mamy do czynienia. Uzyskane wyniki mogą sugerować występowanie zarówno transportu hoppingowego, jak i transportu w paśmie z udziałem pułapek.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2009, 30; 65-72
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Charge carrier conductivity mechanism for activated tetracene layers
    Mechanizm przewodnictwa ładunku w aktywowanych warstwach tetracenu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Kuliński, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296528.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    warstwa tetracenu
    proces aktywacji
    ruchliwość elektronów
    transport nośników ładunku
    tetracene films
    polycrystalline
    activation process
    electron mobility
    carrier transport
    Opis:
    The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest some ability to utilize.
    Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu. Uzyskane wyniki zdaj się sugerować, że mamy tu do czynienia, z jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2008, 29; 45-56
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Conductivity due to active collisions channel of adsorption of ethanol to thin layer of acenes
    Przewodnictwo zależne od kanału zderzeń aktywnych w adsorpcji etanolu do cienkich warstw acenów
    Autorzy:
    Kania, S.
    Kuliński, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296432.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    materiały polikrystaliczne
    warstwa tetracenu
    warstwa p-kwaterfenylu
    proces aktywacji
    ruchliwość elektronów
    ruchliwość dziur
    transport nośników ładunku
    polycrystalline
    tetracene films
    p-quaterphenyl films
    activation process
    electron mobility
    hole mobility
    carrier transport
    Opis:
    The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggests influence of collisions as a source of injection of the charge through surface potential barrier of adsorption.
    Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu i p-kwaterfenylu. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora sugeruje wzrost natężenia prądu związanego z adsorpcją jako wynik procesów dwuciałowych zderzeń z wstrzykiwaniem nośników ładunku do warstwy. Uzyskane wartości potwierdzają wyniki dla badanych związków uzyskane przy założeniu hoppingowego mechanizmu przewodzenia opisanego w [3, 4].
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2012, 33; 65-72
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania ewaluacyjne tranzystora 650 V E-HEMT GaN do zastosowań w wysokosprawnych przekształtnikach DC/DC
    Evaluation of a 650 V E-HEMT GaN transistor for high-efficiency DC/DC converters
    Autorzy:
    Czyż, P.
    Cichowski, A.
    Śleszyński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/269112.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    azotek galu
    GaN
    E-HEMT
    przekształtnik obniżający
    napięcie
    straty mocy
    gallium nitride
    enhancement mode
    high electron mobility transistor E-HEMT
    DC/DC converters
    power losses
    Opis:
    Tematem artykułu są badania wysokonapięciowego tranzystora z azotku galu typu E-HEMT w aplikacji przekształtnika obniżającego napięcie typu buck. W pracy przedstawiono krótką charakterystykę i zalety półprzewodników szerokoprzerwowych, a także opis tranzystora GS66508P-E03 w obudowie do montażu powierzchniowego (SMD). Następnie poruszono problem chłodzenia łącznika mocy SMD i przeprowadzono badanie porównawcze dwóch układów chłodzenia. Wykazano, że zaproponowany układ jest ponad dwa razy bardziej wydajny niż zalecany przez producenta. W głównej części opracowania zaprezentowano wyniki pomiarów sprawności przekształtnika. Osiągnięto sprawność > 92 % dla układu twardo przełączającego o częstotliwości pracy 200 kHz. Tym samym potwierdzono możliwość budowania wysokosprawnych przekształtników z tranzystorami GaN.
    In this paper a brief description of wide-bandgap semiconductors is given. Particularly, advantages of a 650 V GaN EHEMT transistor GS66508P-E03 are shown. This power switch is experimentally evaluated in a synchronous buck with two transistors in a half bridge configuration. The experimental results show that GaN transistors have very low total losses even when operating at high frequencies. The efficiency over 92% is achieved at the frequency of 200 kHz with 5 A output current and output power at a rate of 310 W. Additionally, in this work two different cooling systems for surface mounted transistor are compared. In a prototype for thermal evaluation one transistor has the cooling system with thermal vias through the PCB and alternatively the second one has the cooling system with the copper stud. The proposed cooling system with the copper stud is proven to have the twice smaller thermal resistance than the system with thermal vias. Another advantage is that in the same conditions the transistor is cooler and has lower on-resistance, what decreases the power losses.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2015, 47; 31-34
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electron drift mobility in amorphous antrachinone layers
    Ruchliwość dryftowa elektronów w amorficznych warstwach antrachinonu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296452.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    amorficzne warstwy antrachinonu
    ruchliwość dryftowa elektronów
    transport nośników ładunku
    amorphous antrachinone films
    electron drift mobility
    carrier transport
    Opis:
    There were investigated the magnitude of the mobility and the type of the mechanism of the electron transport in the amorphous antrachinone layers. Antrachinone (C14H8O2) is the molecular crystal. The antrachinone molecules are planar, centrosymmetric and posses permanent dipole moment practically equal zero. The antrachinone layerss were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with reduced substrate temperatures. Structural examination of the obtained antrachinone layers was made using X - ray diffraction. In order to attain that one employed an automatic diffractometer DAR. Drift electron mobility for obtained amorphous layers were determined with TOP method. Obtained mobility value, were less then 10-3 cm2 /Vs and activation energy value was on the kT level.
    Badano proces transportu elektronów w amorficznych warstwach antrachinonu. Uzyskane wyniki nie przesądzają jednoznacznie, z jakim rodzajem transportu mamy do czynienia. Niemniej uzyskane wyniki mogą sugerować występowanie również transportu hoppingowego, który wydaje się bardziej prawdopodobny, niż transport w paśmie z udziałem pułapek.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2010, 31; 43-50
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Absorbtion enhanced currents in thin layers of low dimension organics
    Prądy wzmocnione wpływem absorpcji w cienkich warstwach niskowymiarowych związków organicznych
    Autorzy:
    Kania, S.
    Kuliński, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296412.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    cienkie warstwy
    warstwa tetracenu
    p-czterofenyl
    proces aktywacji
    ruchliwość elektronów
    transport nośników ładunku
    thin films
    tetracene films
    p-quaterphenyl films
    activation process
    electron mobility
    carrier transport
    Opis:
    Transport processes enhanced by absorption of the volatile ethanol on the tetracene and p-quaterphenyl films are considered. Obtained results may approve chemisorption's mechanism with hydrogen bonding.
    Kinetyka aktywacji etanolem cienkich warstw dwu niskowymiarowych przedstawicieli aligo-acenów i oligo-fenylenów (tetracen i p-kwaterfenyl) wskazuje, jako dominujący mechanizm modulacji przewodnictwa warstw, mechanizm absorbcji powierzchniowej. Zderzenia aktywne molekuł alkoholu z adsorbowanymi jonami alkoholu mogą powodować odświeżenie powierzchni absorbującej i zwiększenie szybkości kinetyki.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2011, 32; 23-30
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Transport processes in thin films induced with absorption for two aromatic hydrocarbons
    Transport ładunku w cienkich warstwach indukowany absorpcją dla dwu aromatycznych węglowodorów
    Autorzy:
    Kania, S.
    Kuliński, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296454.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    cienkie warstwy
    warstwa tetracenu
    warstwa p-czterofenylu
    proces aktywacji
    ruchliwość elektronów
    transport nośników ładunku
    thin film
    tetracene film
    p-quaterphenyl film
    activation process
    electron mobility
    carrier transport
    Opis:
    Transport processes enhanced by absorption of the volatile ethanol on the tetracene and p-quaterphenyl films are considered. Obtained results may suggest injection of the charge during chemisorptions. There was observed a deep modulation of conductivity due to absorption of ethanol, this dependence suggests some ability to utilize.
    Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu i p-quaterphenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia z chemisorpcją etanolu i produktów jego rozpadu termicznego skojarzoną z transferem elektronów do lub z warstwy. Właściwym do opisu transferu elektronów wydaje się być model kwantowy jednoelektronowy, rozpisany dla każdego rodzaju cząsteczki absorbatu. Wydaje się, że duża głębokość modulacji prądu oraz zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2010, 31; 51-31
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultraszerokopasmowy rozłożony wzmacniacz kaskadowy
    Ultra-broadband distributed cascaded amplifier
    Autorzy:
    Kral, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/320345.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    ultraszerokopasmowy
    linia transmisyjna
    rozłożony wzmacniacz kaskadowy
    tranzystor polowy
    tranzystor polowy z nośnikami o dużej ruchliwości
    HEMT
    wzmocnienie mocy
    ultrabroadband
    transmission line
    cascaded single stage distributed amplifier
    high electron mobility transistor
    power gain
    Opis:
    W opracowaniu przedstawiono kaskadowy wzmacniacz rozłożony zdolny do przenoszenia ekstremalnie szerokich pasm częstotliwości przy dużym (multiplikatywnym) wzmocnieniu. Przedstawiono koncepcję wzmacniacza i wyprowadzono zależności na wzmocnienia napięciowe i mocy jego bezstratnej i unilateralnej wersji. Poddano szczegółowej analizie podstawowe bloki wzmacniacza oraz sformułowano kryteria doboru elementów. Przedstawiono też porównawcze wyniki symulacji wzmacniacza ze stratami własnymi użytego modelu tranzystora. Praca ma znaczenie praktyczne, bowiem zaprojektowane zgodnie z nią elementy wzmacniacza mogą stanowić dobre wartości początkowe procesu optymalizacji komputerowej.
    Cascaded Single Stage Distributed Amplifier (CSSDA) is presented. Amplifier gain formulas are derived for lossless and unilateral version. Fundamental parts of amplifier are submitted to detailed discussion and criteria of elements' selection are formulated. Comparative results of amplifier simulation with loss transistor model are quoted. The paper is of practical importance since it shows how to design elements' values which can be good starting point for computer optimization.
    Źródło:
    Elektrotechnika i Elektronika; 2006, 25, 2; 106-112
    1640-7202
    Pojawia się w:
    Elektrotechnika i Elektronika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electron drift mobility in anthrone layers
    Dryftowa ruchliwość elektronów w warstwach antronu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296418.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    quasi-amorficzne warstwy antronu
    polikrystaliczne warstwy antronu
    ruchliwość dryftowa elektronów
    transport nośników ładunku
    quasi-amorphous anthrone films
    polycrystalline anthrone films
    electron drift mobility
    carrier transport
    Opis:
    There were investigated the magnitude of the mobility and the Type of the mechanism of the electron transport in the anthrone layers with a different grade of the structural order, namely in polycrystalline and quasi-amorphous layers. The anthron samples were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with different substrate temperatures and with different evaporation rates. Structural examination of the obtained anthrone layers was made using X-ray diffraction. Drift electron mobility for obtained polycrystalline and quasi amorphous layers were determined with TOP method. Obtained results show the almost lack of the mobility dependence due to the magnitude of the disorder, although the other results should be expected. Both obtained mobility values, were less then 10-2 cm2/Vs and activation energy value on the kT level but simultaneously estimated density of hopping states was relatively big. In this case it does not permit us to indicate the dominant transport mechanism.
    Badano proces transportu elektronów w warstwach antronu o różnym stopniu uporządkowania, to jest w warstwach polikrystalicznych i quasi-amorficznych. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. W przypadku antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano, że prawie nie występuje zależność ruchliwości od stopnia uporządkowania. Dla obu struktur uzyskano wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs, z energią aktywacji ruchliwości rzędu kT. Mimo iż wielkości te przemawiają za transportem hoppingowym, to wydaje się, że otrzymane wartości gęstości stanów są na tyle duże, że należy się zastanowić, czy faktycznie mamy do czynienia z transportem przeskokowym w wąskim paśmie w pobliżu poziomu Fermiego. Poza tym nie obserwujemy wpływu struktury krystalicznej warstw na wielkość ruchliwości, chyba, że dla polikrystalicznych warstw gęstość stanów jest na tyle duża, że nie należy spodziewać się jej wzrostu. Powyższe skłania nas do stwierdzenia, że nie można jednoznacznie określić, z jakim rodzajem transportu dla elektronów mamy tu do czynienia.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2011, 32; 13-22
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    On negative differential mobility in nanophotonic device functionality
    Autorzy:
    Anagnostakis, E. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1955299.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska
    Tematy:
    nanophotonics
    two-dimensional electron gas
    semiconductor-device nanointerface
    negative differential mobility
    optoelectronics nanotechnology
    Opis:
    The negative differential mobility (NDM) of two-dimensional carrier-gas against some proper external regulator allowing gradual controlled modification of the nanointerfacial environment tends to occur as interwoven with the nanophotonic device functionality. In this work, several instances from our two-decade principal research of both experimental observation and conceptual prediction concerning nanophotonics NDM are reconsidered towards outlining a global potential for the appearance of the effect.
    Źródło:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2013, 17, 3-4; 131--137
    1428-6394
    Pojawia się w:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Track Effects in Positronium Formation
    Autorzy:
    Stepanov, S.
    Byakov, V.
    Duplâtre, G.
    Stepanov, P.
    Bokov, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1030026.pdf
    Data publikacji:
    2017-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    positron
    positronium
    annihilation
    ion-electron recombination
    solvation
    mobility
    external electric field
    track effects
    polar and nonpolar liquids
    Opis:
    We discuss some aspects important for interpretation of the Ps formation process in liquids and molecular media: (1) inhomogeneity of intratrack reactions and parameters of the e⁺ track, (2) final states of e⁺, its solvation in polar and nonpolar liquids, relation to e⁺ mobility, (3) quasi-neutrality of the e⁺ blob and its ambipolar outdiffusion, (4) appearance of the "in-blob" and "out-of-the-blob" positron fractions, and (5) electric field effect on Ps formation.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 5; 1461-1465
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-15 z 15

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies