Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "diodes" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-32 z 32
    Tytuł:
    Diody świecące jako źródła światła
    Lighting emission diodes as a new lighting source
    Autorzy:
    Pawlak, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/180845.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Centralny Instytut Ochrony Pracy
    Tematy:
    oświetlenie
    diody
    lighting
    diodes
    Opis:
    W artykule przedstawiono przykładowe zastosowania diod świecących małej mocy, ich historię rozwoju oraz ogólną zasadę działania, a także omówiono sposoby wytwarzania światła białego w tych diodach.
    This paper presents the evolution of lighting emission diodes (LED) and general rules of their operation. There is also a description of how white light is created in those LEDs.
    Źródło:
    Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2007, 12; 24-27
    0137-7043
    Pojawia się w:
    Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Numerical analysis of the compositional graded quaternary barrier AlGaN-based ultraviolet-C light-emitting diode
    Autorzy:
    Malik, S.
    Usman, Muhammad
    Hussain, M.
    Munsif, M.
    Khan, S.
    Rasheed, S.
    Ali, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1818198.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    ultraviolet
    light-emitting diodes
    efficiency
    quantum wells
    Opis:
    The compositional graded quaternary barriers (GQBs) instead of ternary/conventional quantum barriers (QBs) have been used to numerically enhance the efficiency of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode (LED). The performance of LED with GQBs is examined through carrier concentrations, energy band diagrams, radiative recombination, electron and hole flux, internal quantum efficiency (IQE), and emission spectrum. As a function of the operating current density, a considerable reduction in efficiency droop is observed in the device with composition-graded quaternary barriers as compared to the conventional structure. The efficiency droop in case of a conventional LED is ~77% which decreased to ~33% in case of the proposed structure. Moreover, the concentration of electrons and holes across the active region in case of the proposed structure is increased to ~156% and ~44%, respectively
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2021, 29, 3; 80--84
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Structure equation as novel strategy for optimum reflector design
    Autorzy:
    Ou, Chung-Jen
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174423.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    illumination design
    light-emitting diodes
    structure equation
    Opis:
    The optimal use of energy resources is the central dogma for green technology and bio-optics. Reflectors provide a simple and fundamental structure for energy transport from a light emitting diode (LED) chip, and an appropriately designed reflector can reduce the fabrication cost of secondary optics for the LED. This paper demonstrates the role of three proposed reflector geometric factors in the two performance metrics – uniformity and collected energy (power), for designing LED reflectors. Through canonical factor analysis, a linear structure equation for LED reflector is suggested, and the methodology for designing the optimal shape is discussed. In addition, a generalized factor and a synthesis response are proposed for a more comprehensive investigation of optical performance. Results indicate a key parameter for balancing the optical performance, and the effects of various parameters and the trade-offs are revealed.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2020, 50, 1; 95-110
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Numerical analysis of the compositional graded quaternary barrier AlGaN-based ultraviolet-C light-emitting diode
    Autorzy:
    Malik, S.
    Usman, Muhammad
    Hussain, M.
    Munsif, M.
    Khan, S.
    Rasheed, S.
    Ali, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1818193.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    ultraviolet
    light-emitting diodes
    efficiency
    quantum wells
    Opis:
    The compositional graded quaternary barriers (GQBs) instead of ternary/conventional quantum barriers (QBs) have been used to numerically enhance the efficiency of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode (LED). The performance of LED with GQBs is examined through carrier concentrations, energy band diagrams, radiative recombination, electron and hole flux, internal quantum efficiency (IQE), and emission spectrum. As a function of the operating current density, a considerable reduction in efficiency droop is observed in the device with composition-graded quaternary barriers as compared to the conventional structure. The efficiency droop in case of a conventional LED is ~77% which decreased to ~33% in case of the proposed structure. Moreover, the concentration of electrons and holes across the active region in case of the proposed structure is increased to ~156% and ~44%, respectively.
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2021, 29, 3; 80--84
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    DC characteristics of the SiC Schottky diodes
    Autorzy:
    Janke, W.
    Hapka, A.
    Oleksy, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/202279.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    silicon carbide
    Schottky diodes
    static characteristics
    high-temperature
    Opis:
    The isothermal and non-isothermal characteristics of silicon carbide Schottky diodes in the wide range of currents and ambient temperatures are investigated in this paper. The measurements of the diodes characteristics have been performed with the use of a pulse method, with fast registration of measurement points after the diode current turning on, or with the use of a fully static method, in which the self-heating phenomenon is taken into account. Apart from the measurements, the series of numerical experiments, giving the isothermal and non-isothermal characteristics as a result, were executed. The complex, accurate numerical procedures as well as simplified analytical calculations were implemented. A good conformity of all calculation and measurement results have been obtained. In the presented investigations, for relatively high currents and ambient temperatures, the influence of self-heating on the SiC Schottky diodes static characteristics is significant. The large (even 4 V for the ambient temperature 300.C ) values of voltages corresponding to the nominal diode currents have been observed.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2011, 59, 2; 183-188
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation of RTS noise in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes
    Badanie szumów RTS w diodach SiC spolaryzowanych w kierunku zaporowym
    Autorzy:
    Szewczyk, A.
    Stawarz-Graczyk, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/266700.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    szumy RTS
    dioda Schottky'ego
    RTS noise
    Schottky diodes
    Opis:
    One of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. Generally, the inherent noise of semiconductor device consists of Gaussian (i.e. 1/f, shot noise) and non-Gaussian components (i.e. random telegraph signal, RTS). The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are commercially available diodes with reverse voltage UR = 600 V. The RTS was observed during device stress by applying high voltage for several minutes and the change in signal parameters were studied.
    Jedną z metod do badania jakości i niezawodności elementów elektronicznych jest obserwacja ich szumów własnych, które zawierają składową gaussowską (szum typu 1/f, szum śrutowy) oraz składową niegaussowską (szum RTS). Obecność szumu RTS zazwyczaj wskazuje na defekty w strukturze materiału, z którego jest wykonany element, ale jednocześnie może być doskonałym wskaźnikiem jakości badanego elementu. W artykule autorzy prezentują wyniki pomiarów w zaporowo spolaryzowanych diodach Schottkiego wykonanych z SiC. Badane elementy są powszechnie dostępnymi o UR = 600 V. Szum RTS był obserwowany po kilkuminutowym użytkowaniu badanego elementu w warunkach wysokiego napięcia.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2014, 40; 103-106
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Experimental evaluation of circuit board components under extreme conditions
    Autorzy:
    Sokół, Krzysztof
    Ptak, Piotr
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2106230.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Politechnika Białostocka. Oficyna Wydawnicza Politechniki Białostockiej
    Tematy:
    experimental test
    mathematical model
    semiconductor diodes
    thermal chamber
    WCA
    Opis:
    Designing products operating in harsh conditions is a challenging task. Years of experience, developed standards and good practices are crucial in achieving the intended result. The article shows a methodology for designing electronic systems based on the worst-case analysis (WCA) and comparing its outcomes with the experimental verification of an actual circuit through large-scale tests. The analysed diode-based semiconductor circuit is part of a temperature measuring system of industrial application. The objective of the design and analysis process is to achieve a reliable solution, which has all the required functionalities under actual, extreme operating conditions. The preliminary circuit design is developed using ideal components. The truth table, which represents customer requirements, is created to check the correct operation of the system. Simulation software, such as LTSpice, are used as the main tools to verify the correct functioning based on ideal or close-to-real component models. Next, based on the results of computer simulations, the WCA is conducted, considering all extreme (worst) operating environment parameters, such as, among others, ambient temperature or ageing. WCA results were verified through an experimental, large-scale measurement of the real system, with defined forward voltage as a function of the current flowing through the semiconductor at various ambient temperatures.
    Źródło:
    Acta Mechanica et Automatica; 2022, 16, 1; 8--15
    1898-4088
    2300-5319
    Pojawia się w:
    Acta Mechanica et Automatica
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zagadnienia optymalizacji konstrukcji diod laserowych dużej mocy
    High power laser diodes - design optimisation issues
    Autorzy:
    Malag, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192142.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    dioda laserowa dużej mocy
    konstrukcja diod laserowych dużej mocy
    optymalizacja wiązki promieniowania
    high power laser diodes
    high power laser diodes construction
    Opis:
    Artykuł zawiera skrótowy przegląd aktualnych osiągnięć w dziedzinie konstrukcji diod laserowych (DL) dużej mocy. Zakres artykułu ograniczony został do zagadnień optymalizacji heterostruktury ze względu na parametry, które wydają się najważniejsze dla przyrządów dużej mocy takie, jak sprawność energetyczna (PCE), próg katastroficznej degradacji luster (COD) i jakość emitowanej wiązki promieniowania (M2 i rozbieżność). Przedstawione wyniki (przodujących instytutów i ITME) wskazują, że jednoczesna maksymalizacja wszystkich tych parametrów jest bardzo trudna. Wyniki "rekordowe" są bardzo zróżnicowane ze względu na długość fali i grupę materiałową (arsenki, fosforki).
    Current achievements in the field of high-power laser diodes (LD) construction are briefly presented. The scope has been limited to issues of heterostructure optimisation in terms of the parameters the most important for high power devices, such as power conversion efficiency (PCE), COD level and an emitted beam quality (M2 and divergence). Presented results (of leading laboratories and ITME) indicate that simultaneous maximisation of these parameters is very difficult. There is a wide diversity of the record-high attainments in terms of preferred design solutions and due to different wavelengths and material systems.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 1, 1; 21-46
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Concept and implementation of adaptive road lighting concurrent with vehicles
    Autorzy:
    Zalewski, S.
    Pracki, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/200253.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    lighting technology
    road lighting
    lighting control
    light emitting diodes
    Opis:
    The paper presents the authors’ concept of an adaptive road lighting that is concurrent with vehicles moving on roads. The lighting system is based on luminaires with light emitting diodes. The authors describe the operation of the adaptive road lighting system and point out benefits and limitations of the solution. The theoretical considerations are supported by an analysis of the installed and working system that was implemented at Bożeny street in Poznan, Poland. The system was also evaluated by the residents living near the street.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2019, 67, 6; 1117-1124
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Design of LED collimator for uniform illumination using two freeform lenses
    Autorzy:
    Zeng, J.
    Li, X.
    Ge, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173429.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    illumination design
    lenses
    light-emitting diodes
    optical design
    high uniformity
    Opis:
    Regulating the illuminance distribution of an LED collimator to produce a uniform illumination in both the near field and the far field is a challenge in illumination design. In this paper, we present an effective method for designing two separated freeform lenses to control the illuminance distribution and the direction of the rays from the LED. The first lens redistributes the ray energy, and the second one collimates them to obtain a uniform collimated illumination. According to the conservation law of energy, Snell’s law, Fermat’s law and tangent-plane iterative method, the two freeform surfaces could be calculated simultaneously. The simulation results show that the two freeform lenses can control most of rays into an angle within ±1.5° for an LED with 1 × 1 mm size. The illuminance uniformities are higher than 0.9 in both the near field and the far field.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2018, 48, 3; 413-420
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Examinations of Selected Thermal Properties of Packages of SiC Schottky Diodes
    Autorzy:
    Bisewski, D.
    Myśliwiec, M.
    Górecki, K.
    Kisiel, R.
    Zarębski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/220523.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Schottky diodes
    transient thermal impedance
    thermal measurements
    silicon carbide
    packaging
    Opis:
    This paper describes the study of thermal properties of packages of silicon carbide Schottky diodes. In the paper the packaging process of Schottky diodes, the measuring method of thermal parameters, as well as the results of measurements are presented. The measured waveforms of transient thermal impedance of the examined diodes are compared with the waveforms of this parameter measured for commercially available Schottky diodes.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2016, 23, 3; 451-459
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Selected metrology problems implied by the application of LED technology in lighting
    Wybrane problemy metrologiczne implikowane stosowaniem technologii LED w oświetleniu
    Autorzy:
    Błaszczak, U. J.
    Zając, A. S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408716.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    light emitting diodes
    measurement
    lighting technology
    diody elektroluminescencyjne
    pomiary
    technika świetlna
    Opis:
    High power LEDs replace traditional light sources in all possible lighting applications, causing significant problems in assessing the quality of lighting. This issue is not limited only to the construction aspects of the measuring equipment, but also has a cognitive dimension. The article presents an overview of the current state of knowledge on color rendering and evaluation of discomfort glare in relation to the widespread use of LEDs in lighting. Some selected parameters developed copyright sources with LED sets. Basic limitations in UGR measurement were indicated
    Diody świecące dużej mocy zastępują klasyczne źródła światła właściwie we wszystkich możliwych aplikacjach oświetleniowych, co powoduje znaczne problemy w ocenie jakości oświetlenia. Zagadnienie to nie sprowadza się wyłącznie do aspektów konstrukcyjnych aparatury pomiarowej, lecz także ma wymiar poznawczy. W artykule przedstawiono przegląd aktualnego stanu wiedzy na temat oddawania barw oraz oceny olśnienia przykrego w odniesieniu do powszechnego stosowania diod LED w oświetleniu. Omówiono wybrane parametry opracowywanych autorskich źródeł z zestawami LED. Wskazano podstawowe ograniczenia w technice pomiarów UGR.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2016, 3; 6-11
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Temperature dependent electrical characteristics of Nichrome/4H-SiC Schottky barrier diodes
    Autorzy:
    Khanna, Shaweta
    Noor, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1076274.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
    Tematy:
    Nichrome
    Schottky Diodes
    Schottky barrier height
    ideality factor
    rapid thermal annealing
    Opis:
    Nichrome Schottky barrier diodes have been fabricated on 4H-SiC substrates to investigate the temperature dependant electrical characteristics of the fabricated contacts. The electrical parameters such as barrier height, ideality factor and donor concentration were found from the current-voltage (I-V) and the capacitance-voltage (C-V) measurements at room temperature. Barrier Contacts showed non-ideal behaviour like lower value of barrier height and high value of ideality factor. A barrier height of 1.53eV obtained from C-V measurements and 0.79eV obtained from the I-V measurements with ideality factor of 1.96 for as-deposited diodes at room temperature. The diodes, therefore, were annealed in the temperature range from 25-400 ºC to see the effect of annealing temperature on these parameters. Schottky barrier height (SBH) and ideality factors were found temperature dependent. After rapid thermal annealing (RTA) upto 400 ºC barrier height of 1.27 eV from C-V measurements and the value of 1.13 eV were obtained from I-V measurements with ideality factor of 1.12. Since barrier height deduced from C-V measurements were consistently larger than those from I-V measurements. To remove this discrepancy we re-examined our results by including the effect of ideality factor in the expression of the saturation current. The insertion of ideality factor results in comparably good agreement between the values of barrier height derived by above two methods. We believe that the enhancement in the electrical parameters result from the improvement in the quality of interfacial layer.
    Źródło:
    World Scientific News; 2019, 116; 169-179
    2392-2192
    Pojawia się w:
    World Scientific News
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Reconfigurable Antennas: the State of the Art
    Autorzy:
    Yashchyshyn, Y.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/226828.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    antenna arrays
    reconfigurable antennas
    semiconductor devices
    MEMS switches
    surface PIN diodes
    Opis:
    The paper provides an overview of the state of the art in the area of reconfigurable antennas. This emerging area has been rapidly developing in the recent years. This article brings a comprehensive summary of the high quality applied and fundamental research contributions in the above-mentioned field. A broad spectrum of topics is covered, reflecting the areas in which Institute of Radioelectronics's expertise is recognized worldwide.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2010, 56, 3; 319-326
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Power sharing system with use of DC-DC converter and intermediate circuit of VSI inverter
    Autorzy:
    Kozak, Maciej
    Gordon, Radosław
    Zarębski, Andrzej
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/376476.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    energy storage systems
    synchronous generator
    dual active bridge
    DC grid
    auctioneering diodes
    Opis:
    The article describes issues related to power distribution between a power plant system consisting of a synchronous generator operating at variable shaft speed and a super capacitor which is a short-term source of electricity for sudden electrical load changes. In the presented system a generator and a battery of supercapacitors were connected with use of power electronic converters. The synchronous generator is connected to the DC network via an AC-DC converter and the super capacitor is connected with means of an isolated DC-DC converter. Both converters have been equipped with auctioneering diodes to prevent the flow of equalizing currents. The theoretical basis and results of experimental research obtained on a laboratory test-stand equipped with the aforementioned system are presented.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2020, 103; 69-84
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Simulation of the impact of the degree and type of shading on generation of electrical energy by the PV system in MATLAB&SIMULINK environment
    Autorzy:
    Jarmuda, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/97511.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    PV system
    poor shading effect
    strong shading effect
    bypass diodes
    MATLAB environment
    Opis:
    In the study the method of modelling of the photovoltaic system (PV) in MATLAB & SIMULINK environment was presented along with test results of the impact of shading on the value of energy output from the photovoltaic system. The PV system model constructed of five parallel connected photovoltaic panels of TPSM6U type was proposed. Simulation tests were conducted considering the effect of poor and strong shading of panels causing differences in the density of the radiation power (irradiance) for individual panels and the PV system. The values of electrical energy generated by individual PV panels and the whole photovoltaic system were determined for the purposes of the actual forces. Optional switching on and off of the bypass diodes was considered in the photovoltaic panels. The tests were developed and final conclusions were formulated.
    Źródło:
    Computer Applications in Electrical Engineering; 2015, 13; 454-468
    1508-4248
    Pojawia się w:
    Computer Applications in Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Effect of Light-Emitting Diodes Illumination Period and Light Intensity on High Rate Algal Reactor System in Laundry Wastewater Treatment
    Autorzy:
    Tangahu, B. V.
    Triatmojo, A.
    Purwanti, I. F.
    Kurniawan, S. B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/123276.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Inżynierii Ekologicznej
    Tematy:
    algae
    Chlorella vulgaris
    laundry wastewater
    illumination period
    light-emitting diodes
    light intensity
    microalgae
    Opis:
    Wastewater that contains high concentration of nutrients can create instability in water ecosystem if left untreated. Laundry wastewater contains nutrients in high concentration. The nutrients that commonly found in laundry wastewater are nitrogen and phosphorus. This study had a purpose to determine the effect of illumination period and light intensity for the removal of Chemical Oxygen Demand (COD), Nitrogen-ammonia (NH3-N), and phosphate (P) content using Chlorella vulgaris in High Rate Algal Reactor (HRAR) treatment. Variables that used were exposure period of 12 and 24 hours and light intensity of 2000–3000 Lux, 4000–5000 Lux, and 6000–7000 lux. The parameters tested to determine the efficiency of nutrient removal were COD, Nitrogen-ammonia, phosphate and Chlorophyll α to determine the condition of algae development. The results showed that the highest nutrient removal were obtained by the reactor with 24 hours illumination period with light intensity of 6000–7000 Lux that was capable of removing 54.63% of COD, and 22.15% of P. The 12-hour illumination period was better in terms of NH3-N removal, up to 50.07%. On the basis of the of statistic test result, the illumination period did not significantly influence the removal efficiency of COD, NH3-N and P indicated by P-value >0.05, while the light intensity significantly affect the removal of COD and NH3-N showed by P value <0.05.
    Źródło:
    Journal of Ecological Engineering; 2018, 19, 6; 170-175
    2299-8993
    Pojawia się w:
    Journal of Ecological Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Sprawność konwersji w luminoforach YAG:Ce współpracujących z emiterami półprzewodnikowymi z zakresu UV-VIS
    Conversion efficency of the YAG:Ce luminophores cooperated with UV-VIS semicondutor emmiters
    Autorzy:
    Prorok, M. P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408471.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    luminofor
    luminescencja
    emiter półprzewodnikowy
    temperatura barwowa
    phosphors
    luminescence
    light emitting diodes
    colour temperature
    Opis:
    Powszechnie stosowana metoda emisji światła białego wykorzystująca technologię LED-ową opiera się na użyciu luminoforu oraz emitera półprzewodnikowego z zakresu długości fali 440–460 nm (barwa niebieska). W wyniku zjawiska fotoluminescencji luminofor oparty na krysztale YAG-u z domieszkami ceru emituje szerokie spektrum z zakresu widzialnego o barwie zielonożółtej. Promieniowanie będące wynikiem fotoluminescencji, mieszając się ze źródłem wymuszającym daje barwę białą o temperaturze barwowej zależnej od typu luminoforu. W artykule przeprowadzone zostały badania dotyczące zarówno sprawności konwersji samego luminoforu jak i odpowiedzi spektralnej na niededykowane wymuszenie zrealizowane emiterami półprzewodnikowymi.
    Commonly used white light emmision method utilizing LED technology depends mostly on luminophore and wavelenght 440–460 nm (blue) semicondutor emiter use. Emission of the wide visible spectrum, greenish yellow in colour, is an effect of fotoluminescence in cerium doped YAG cristal based luminophore. As the effect of fotoluminescence, radiation interferes with source radiation, resulting in white colour light with colour temperature depending on luminophore type. The article presents the research on both conversion efficency of the luminophore and the spectra response for the nondedicated forcing, realised by usage of semiconductor emitters.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2017, 7, 2; 74-77
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Praktyczne aspekty wytrzymałości zwarciowej urządzeń z półprzewodnikami mocy
    Practical aspects of short-circuit withstand of the power semiconductor devices
    Autorzy:
    Przybysz, J.
    Owsiński, M.
    Piątek, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159769.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    półprzewodniki
    tyrystory
    diody
    wytrzymałość zwarciowa
    badania
    semiconductors
    thyristors
    diodes
    short circuit withstand
    research
    Opis:
    W ramach prowadzonych w Instytucie Energetyki w Warszawie badań urządzeń elektroenergetycznych wykonywane są między innymi próby sprawdzania ich wytrzymałości zwarciowej. W niniejszym artykule zebrano doświadczenia uzyskane podczas badań dla elementów półprzewodnikowych dużej mocy. Przedstawiono zachowanie się obiektów wyposażonych w elementy półprzewodnikowe, między innymi podczas łączenia prądów zwarciowych w stanie pracy znamionowej i awaryjnej. Pokazano zalety stosowania takich rozwiązań oraz omówiono zasadność wykonywania badań pozwalających uzyskać charakterystyki dynamiczne wykorzystywanych elementów półprzewodnikowych. Zwrócono również uwagę na zalety wykorzystania na etapie konstruktorskim zależności przejściowej impedancji termicznej struktur półprzewodników.
    Short-circuit withstand of electric power system equipment is a part of the tests carried out by Institute of Power Engineering in Warsaw. In this article we have gathered our experience gained during the research of the power semiconductor devices. It shows the behavior of devices equipped with semiconductor components during short-circuit currents flow in case of nominal and emergency operation. The advantages of such solutions and method of obtaining the dynamic characteristics of semiconductor devices were shown as well. Attention was also drawn to the advantages of the use of transient thermal impedance based on semiconductor structures during the designing stage.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2015, 270; 47-61
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Diody LED - odpady niebezpieczne dla środowiska
    LED diodes - environmentally hazardous waste
    Autorzy:
    Sokołowska, W.
    Karaś, A.
    Zalewska, I.
    Harasimowicz-Siemko, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192226.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    dioda LED
    ICP-OES
    FAAS
    ochrona środowiska
    recykling
    light-emitting diodes
    environmental protection
    recycling
    Opis:
    W Laboratorium Charakteryzacji Materiałów Wysokiej Czystości ITME przeprowadzono analizę składu chemicznego kilku rodzajów diod LED obecnych na polskim rynku [2]. Omówiono zawartość metali kancerogennych oraz metali niebezpiecznych dla środowiska . Porównano je z rezultatami uzyskanymi w UCI (Uniwersytet Kalifornia) opisanymi w [1] i normami TTCL.
    An analysis of the chemical composition of several types of light-emitting diodes available on the Polish market was conducted in the Department of High Purity Materials Characterization of ITME [2]. In the course of the analysis, the content of carcinogenic metals and environmentally hazardous metals was explored. The findings were compared with the results achieved at the University of California, Irvine, described in [1], and with TTCL standards.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 23-26
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    C,N-cyklometalowane kompleksy irydu(III) : wydajne emitery fosforescencyjne dla organicznych diod elektroluminescencyjnych (OLED). Cz. 1 i 2
    C,N-cyclometalated iridium(III) complexes : efficient phosphorescent emitters for organic electroluminescent diodes (OLED). Part 1 and 2
    Autorzy:
    Orwat, Bartosz
    Kownacki, Ireneusz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1413294.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Chemiczne
    Tematy:
    emitery fosforescencyjne
    diody elektroluminescencyjne
    kompleksy irydu(III)
    phosphorescent emitters
    light-emitting diodes
    iridium(III) complexes
    Opis:
    Organic electroluminescent panels have been widely available on the commercial market for several years, in the form of screens used in mobile phones, tablets, and TV sets. The display panels are produced in RGB technology, in which iridium(III) coordination compounds act as phosphorescent emitters of red and green light. Because of their high emission quantum efficiency and stability, the emitters containing 2-phenylpyridinato ligands and their derivatives have proved to be particularly useful. An interesting issue was the contrast between an extensive state of knowledge on the abovementioned compounds and a poor state of knowledge on analogous iridium(III) complexes equipped with benzo[h]quinolinato ligands. Application of the latter seemed interesting because of the similar size of benzo[h]quinoline and 2-phenylpyridine coordination pockets, but much more rigid structure and a greater degree of conjugation of the former, which could have a significant impact on the properties of complexes equipped with this type of ligand. Regarding to the above, this dissertation concerns the subject of the design and synthesis of new iridium(III) coordination compounds equipped with a benzo[h]quinoline motif, as well as the analysis of the structural changes impact on the photophysical, electroluminescent, thermal, electrochemical and spectroscopic properties of selected classes of compounds targeted for the application in OLED technology. Accordingly, the article presents the results of studies on two classes of heteroleptic of C,N-cyclometalated iridium(III) complexes, namely, of the salt type with the general formula [Ir(bzq)2(N^N)]+A-, stabilized by structurally different N,N-donating ligands, as well as neutral coordination compounds of the type [Ir(bzq)2(N^O)], bearing N,O-donating ß-ketoiminato ligands in the structure equipped with aryl moieties of various structure. The work included research on the determination of the correlation between the structure of ancillary ligand introduced into the coordination sphere of the metal and the above-mentioned properties. Additionally, based on the results of quantum-chemical calculations, work was undertaken to develop synthetic pathways enabling the incorporation to the C,N-cyclometalating benzo[h]quinoline ligand of substituents characterized by different stereo-electronic properties, enabling the modification of the emission parameters of the target complexes. In the next phase of research, the functionalized precursors of the bzq ligand were successfully used in the synthesis of binuclear complexes, key reagents in the preparation of corresponding mononuclear iridium coordination derivatives with electroluminescent properties.
    Źródło:
    Wiadomości Chemiczne; 2021, 75, 1-2; 163-231
    0043-5104
    2300-0295
    Pojawia się w:
    Wiadomości Chemiczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Spectrally tunable light source based on light-emitting diodes for custom lighting solutions
    Autorzy:
    Burgos-Fernandez, F. J.
    Vilaseca, M.
    Perales, E.
    Herrera-Ramirez, J. A.
    Martinez-Verdu, F. M.
    Pujol, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173803.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    solid state lighting
    light-emitting diodes
    CIE standard illuminants
    minimization algorithm
    customized lighting design
    radiometry
    Opis:
    This study describes a novel spectral LED-based tunable light source used for customized lighting solutions, especially for the reconstruction of CIE (Commission Internationale de l'Eclairage) standard illuminants. The light source comprises 31 spectral bands ranging from 400 to 700 nm, an integrating cube and a control board with a 16-bit resolution. A minimization algorithm to calculate the weighting values for each channel was applied to reproduce illuminants with precision. The differences in spectral fitting and colorimetric parameters showed that the reconstructed spectra were comparable to the standard, especially for the D65, D50, A and E illuminants. Accurate results were also obtained for illuminants with narrow peaks such as fluorescents (F2 and F11) and a high-pressure sodium lamp (HP1). In conclusion, the developed spectral LED-based light source and the minimization algorithm are able to reproduce any CIE standard illuminants with a high spectral and colorimetric accuracy able to advance available custom lighting systems useful in the industry and other fields such as museum lighting.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2016, 46, 1; 117-129
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Iprovements OLED operation due to using additional layers
    Poprawa działania diod typu OLED przy wykorzystaniu dodatkowych warstw
    Autorzy:
    Hotra, Z.
    Volynyuk, D.
    Voznyak, L.
    Kostiv, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159361.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    organiczna dioda elektroluminescencyjna
    dioda
    warstwa transportowa
    elektroluminescencja
    organic light emitting diodes
    hole transport layer
    electroluminescent
    Opis:
    In this work we proposed OLED structure with NiPc as hole transport layer. Current-voltage and luminance characteristic of ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al and ITO/Alg3/PEGTE/Al structures were also investigated. It was shown that using NiPc as hole transport layer reduced operating voltage and improved OLED performance.
    W pracy została zaproponowana struktura OLED z warstwą NiPc jako warstwą transportową. Zbadano jej charakterystyki prądowo-napięciową oraz luminancyjną na podłożu ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al i ITO/Alg3/PEGTE/Al. Wykazano, że używając związku NiPc jako warstwy transportowej zmniejsza się napięcie pracy OLED jednocześnie poprawiając jego wydajność.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 247; 19-24
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zaawansowane technologie detekcji promieniowania jonizującego w urządzeniach przenośnych
    Advanced technologies of ionizing radiation detection in portable devices
    Autorzy:
    Nowicki, Andrzej
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/214017.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    detekcja promieniowania gamma
    detekcja neutronów
    scyntylatory
    diody PiN
    SiPM
    gamma and neutron radiation detection
    scintillators
    PiN diodes
    Opis:
    Zasygnalizowano aktualne tendencje w konstrukcji przenośnych urządzeń do pomiaru promieniowania jonizującego pozwalające na miniaturyzację detektorów przy równoczesnym zwiększeniu ich możliwości pomiarowych. Przedstawiono kilka rozwiązań technicznych, w tym radiometru MKS-11GN SPECTRA ze względu na internetowe wzmianki o jego stosowaniu w Polsce.
    The current tendencies in the construction of portable counters for measuring ionizing radiation including miniaturization of detectors while increasing their measuring capabilities have been indicated. A number of technical solutions were presented, including the MKS-11GN SPECTRA radiometer due to its probably use in Poland.
    Źródło:
    Postępy Techniki Jądrowej; 2020, 3; 10-15
    0551-6846
    Pojawia się w:
    Postępy Techniki Jądrowej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zasilacz diod laserowych dużej mocy o regulowanym prądzie w zakresie 0-60 A
    Power supply of high-power laser diodes with regulated current in the range of 0-60 A
    Autorzy:
    Świderski, J.
    Pichola, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/210327.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
    Tematy:
    zasilanie diod laserowych
    kontrola parametrów diod laserowych
    power supply of laser diodes
    control of diode laser parameters
    Opis:
    W artykule przedstawiono opracowany zasilacz diod laserowych dużej mocy wraz z układem chłodzenia umożliwiający kontrolę i sterowanie ich podstawowych parametrów. Zasilacz ten gwarantował na wyjściu prąd stabilizowany i regulowany w przedziale 0-60 A, przy napięciu nie większym niż 4 V z możliwością ograniczenia wartości maksymalnej prądu. Ponadto zasilacz ten umożliwiał: zadanie wartości prądu płynącego przez diodę, ustawienie temperatury diody w zakresie 15-30°C, monitorowanie aktualnej temperatury diody, kontrolę stanów pracy termochłodziarki i zasilacza mocy.
    The paper presents the developed diode laser supply system including a cooling system. It ensures monitoring and controlling basic parameters of laser diodes. The system delivers, at its end, the stabilized and regulated current in the range of 6-60 A (by the voltage up to 4 V) with the possibility of limiting the maximum current value. Moreover, the diode laser supply provides: setting the current value flowing through a diode junction before switching-on the diode, monitoring the value of the current flowing through a diode, setting the diode temperature in the range of 15-30°C, monitoring a current temperature of a diode, control of the operating conditions of a thermo-cooler and power supply.
    Źródło:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2008, 57, 1; 263-276
    1234-5865
    Pojawia się w:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelling of Schottky contacts for admittance and impurity profiling measurements
    Autorzy:
    Sikorski, S.
    Jung, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378443.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
    Tematy:
    diody Schottky'ego
    modelowanie
    detektory z barierą Schottky'ego
    przyrządy półprzewodnikowe
    Schottky diodes
    modelling
    Schottky barrier photodiodes
    semiconductor devices
    Opis:
    The paper presents a theory of a metal-semiconductor contact biased by dc voltage with superimposed small ac signal. Theoretical considerations based on general transport equations enabled to derive equations useful for admittance and impurity profiling measurements of materials properties.
    Źródło:
    Electron Technology : Internet Journal; 2007, 39, 5; 1-5
    1897-2381
    Pojawia się w:
    Electron Technology : Internet Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ różnych oświetlaczy LED na indeks kiełkowania ziarna pszenicy uzyskanego w etapie szklarniowym procesu hodowlanego SSD
    The effect of different LED illuminators on the germination index of wheat grains obtained in the greenhouse stage of the SSD breeding process
    Autorzy:
    Siedlarz, Patrycja
    Stefański, Piotr
    Matysik, Przemysław
    Nita, Zygmunt
    Rybka, Krystyna
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2199332.pdf
    Data publikacji:
    2018-08-29
    Wydawca:
    Instytut Hodowli i Aklimatyzacji Roślin
    Tematy:
    diody emitujące światło
    GI
    indeks kiełkowania
    LED
    Triticum aestivum L.
    uprawa szklarniowa
    germination index
    greenhouse cultivation
    light emitting diodes
    Opis:
    W procesie hodowli zbóż metodą SSD (ang.: Single Seed Descent) w celu skrócenia cykli hodowlanych często zbierane są niedojrzałe ziarniaki. Celem prowadzonych badań było sprawdzenie czy na kiełkowanie ziarniaków zebranych w 23 dniu po kwitnieniu, z roślin uprawianych w szklarni, wpływają widma światła generowane przez: 1) różne lampy diodowe stosowane w czasie uprawy zbóż w szklarni oraz 2) różne oświetlacze monochromatyczne stosowane w czasie suszenia nasion. Materiał do badań stanowiły dwie odmiany pszenicy jarej: Harenda i Tybalt. Rośliny uprawiano w zacienionej szklarni o kontrolowanych warunkach temperatury (22 ± 3°C) i wilgotności (80% ± 5%) a jako oświetlaczy używano: wysokoprężnej lampy sodowej HPS (kontrola) i dwóch typów oświetlaczy LED-owych: zbudowanego w oparciu o diody niebieskie i czerwone oraz oświetlacza zbudowanego w oparciu o białe diody. Kłosy zbierano w 23 dniu po kwitnieniu, zgodnie z metodyką stosowaną w procesach hodowlanych. Wyłuskane ziarniaki umieszczano pod monochromatycznymi źródłami światła (niebieskiego, zielonego i czerwonego), poddawano suszeniu przez okres 10 dni w temperaturze 25°C, a następnie kiełkowano. Zliczano indeks kiełkowania (GI), całkowitą liczbę skiełkowanych ziarniaków oraz liczbę ziarniaków, które nie wytworzyły kiełka i zostały porażone chorobami grzybowymi w czasie trwania doświadczenia. Stwierdzono, że oświetlanie ziarniaków w czasie suszenia poprawiało indeks kiełkowania i wpłynęło na wzrost liczby skiełkowanych nasion, przy czym światło zielone indukowało najbardziej równomierne kiełkowanie (≥ 70%), niezależnie od rodzaju oświetlania stosowanego w czasie wzrostu roślin, natomiast światło niebieskie (Royal Blue) najsilniej wpływało na dynamikę kiełkowania wyrażaną przez indeks kiełkowania a efekt był zależny od oświetlacza użytego do wzrostu roślin. Oświetlacz LED zbudowany w oparciu o niebieskie i czerwone diody użyty w trakcie wzrostu roślin w połączeniu ze światłem niebieskim użytym w trakcie suszenia ziarna pozwolił uzyskać najlepsze wyniki GI u obu badanych odmian pszenicy. Uzyskane rezultaty upoważniają do stwierdzenia, iż możliwe jest znalezienie oświetlaczy LED lepszych niż standardowe lampy HPS dla potrzeb hodowli zbóż oraz że doświetlanie ziarniaków w trakcie suszenia poprawia ich kiełkowanie. Potrzebna jest standaryzacja procedur.
    During the SSD (Single Seed Descent) process of cereal breeding unripe kernels are often collected to shorten breeding cycles. Present studies were undertaken to check whether the germination of kernels harvested on the 23rd day after pollination from plants grown in a greenhouse is influenced: 1) by different light spectra used during cereal cultivation in the greenhouse and 2) by different single light bands used during seed drying. The materials for studies consisted of 2 spring wheat cultivars: Harenda and Tybalt. The plants were grown in a shadowed greenhouse with controlled temperature (22 ± 3°C) and humidity (80% ± 5%) and illuminated by HPS lamp (control) and two types of LED illuminators: based on blue and red LEDs and based on white LEDs. The ears were harvested on 23rd day after flowering, according to the methodology used in field experiments. The threshed kernels were placed under monochromatic light sources (blue, green and red), dried for a period of 10 days at 25°C and then germinated. The germination index (GI), the total number of germinated kernels and the number of kernels that did not germinate and became infected by fungal diseases during the experiment, were counted. It was found that lightening of seeds during drying improved the germination index and total number of germinated seeds. The green light induced the most uniform germination (≥ 70%) independently from the light used during wheat growth, while the blue light (Royal Blue) improved germination of seeds taken from plants cultivated under LED illuminator based on blue and red diodes. Obtained results confirmed that it was possible to find LED illuminator better than standard HPS lamp for cereal cultivation and that lightening of the kernels during drying improved their germination. Standardization of procedures would be needed.
    Źródło:
    Biuletyn Instytutu Hodowli i Aklimatyzacji Roślin; 2017, 282; 3-15
    0373-7837
    2657-8913
    Pojawia się w:
    Biuletyn Instytutu Hodowli i Aklimatyzacji Roślin
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Calibration of temperature-sensitive parameter for Silicon Carbide SBD’S
    Autorzy:
    Kraśniewski, J.
    Janke, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118388.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    temperature-sensitive parameter calibration curves
    Silicon Carbide Schottky Barrier diodes
    krzywa kalibracyjna parametru termoczułego
    dioda Schottky z węglika krzemu
    Opis:
    Thermal properties of semiconductor device may be characterized by thermal parameters or characteristics such as thermal resistance and thermal impedance. In order to calculate the thermal resistance or thermal impedance one must have a calibration curve of temperature-sensitive parameter of the device (e.g. the voltage drop across a junction). For the obtaining the calibration curve by measurement, the temperature chamber has to be used. Another possibility is to predict this curve theoretically from analytical equations or by simulations (e.g. PSPICE). In the paper, the simulation and theoretical predictions of temperature-sensitive parameter calibration curves are compared with the results of measurement for SiC devices with metal-semiconductor junction.
    Właściwości termiczne elementów półprzewodnikowych można charakteryzować poprzez parametry lub charakterystyki termiczne, takie jak rezystancja i impedancja termiczna. W celu wyznaczenia rezystancji lub impedancji termicznej elementu półprzewodnikowego musimy posiadać krzywą kalibracji parametru termoczułego (np. spadek napięcia na złączu). Dla uzyskania pomiarowej krzywej kalibracyjnej należy wykorzystać komorę temperaturową. Inną możliwością jest teoretyczne przewidywanie ww. krzywej z równań analitycznych lub symulacji (np. PSPICE). W niniejszej pracy porównano krzywe kalibracyjne parametru termoczułego otrzymane na drodze symulacji i teoretycznych obliczeń z wynikami pomiarów dla urządzeń SiC o złącze m-s.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 77-83
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effects of space vector modulation strategy on hybrid (Si-SiC) inverter losses
    Autorzy:
    Bonisławski, M.
    Hołub, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/140592.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    przekształtnik hybrydowy
    elektronika energetyczna
    urządzenie z szeroką przerwą energetyczną
    SVPWM
    DPWM
    power electronic inverter
    SiC diodes
    hybrid inverter
    wide band gap devices
    Opis:
    This work summarizes efficiency measurement results of a full bridge, 3 phase inverter composed of state-of-the-art Si IGBT transistors and Si or SiC diodes. Different (symmetrical and discontinuous) space vector modulation strategies were chosen in order to examine their influence (together with modulation frequency) on inverter losses. Induction machine was used as load, different load points were examined. Results clearly show, that proper modulation strategy, minimizing the switching losses of semiconductor switches, can increase the overall output efficiency at about 1% in case of both silicon and hybrid constructions. The drawback of DPWM approach is connected with the decreased quality of inverter output current. Hybrid technology can also improve the output efficiency at about 1% when compared to traditional constructions, but only in case of elevated switching frequencies. At low frequencies (below 10 kHz) modern semiconductor offer comparable results at much lower device costs.
    Źródło:
    Archives of Electrical Engineering; 2012, 61, 1; 69-75
    1427-4221
    2300-2506
    Pojawia się w:
    Archives of Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Źródło światła z matrycą diod superelektroluminescencyjnych (SLED) dla celów pomiarowych
    The source of light with array of superluminescent diodes (SLED) for measurement purposes
    Autorzy:
    Odon, A.
    Krawiecki, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/153056.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    stabilizowane źródła światła
    diody superelektroluminescencyjne stabilizowane półprzewodnikowe źródła światła
    matryce LED
    stabilized source of light superluminescsent light-emitting
    diodes
    stabilized LED sources
    Led arrays
    Opis:
    Zaprezentowano opis konstrukcji i zasady działania stabilizowanego źródła światła z matrycą zawierającą dziesięć szeregowo połączonych diod superluminescencyjnych (SLED) przeznaczonego dla celów pomiarowych. Dzięki zastosowaniu stabilizacji temperaturowej diod i układu regulacji z ujemnym, optycznym sprzężeniem zwrotnym uzyskano efekt stabilizacji mocy promieniowania i charakterystyki spektralnej diod superelektroluminescencyjnych.
    In this paper the construction and principle of operation of a stabilized source of the light with an array made by 10 connected in series superluminescent diodes are described. By using the thermal stabilisation of the diodes and an optical feedback loop the output power level of SLEDs as well radiation spectral characteristics of SLEDs can be stabilized.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 332-335
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ekologiczne rozwiązania w magazynach
    Ecological solutions in warehouses
    Autorzy:
    Mardeusz, Ewa
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1818689.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    zielona logistyka
    zielony magazyn
    odzysk ciepła
    destratyfikator powietrza
    diody elektroluminescencyjne
    automatyzacja magazynu
    green logistics
    green warehouse
    heat recovery
    air destratificator
    light emitting diodes
    warehouse automation
    Opis:
    W poniższym artykule przedstawiona została koncepcja zielonej logistyki ze zwróceniem szczególnej uwagi na obszary magazynowe. Wyodrębniono podstawowe informacje z zakresu certyfikacji zielonych magazynów. Głównym celem pracy było scharakteryzowanie wybranych rozwiązań ekologicznych stosowanych we współczesnych magazynach. Wymienione zostały systemy, których działanie koncertuje się na odzysku ciepła. Ponadto opisano zalety destratyfiaktorów powietrza, diod elektroluminescencyjnych oraz automatyzacji magazynu jako skuteczne narzędzia ekologiczne.
    The following paper presents the concept of green logistics with special attention to warehouse areas. Basic information on the certification of green warehouses was extracted. The main objective of the study was to characterize selected ecological solutions used in modern warehouses. The systems whose operation is based on heat recovery are mentioned. In addition, the advantages of air destratifiers, LEDs and warehouse automation as effective ecological tools are described.
    Źródło:
    Journal of TransLogistics; 2021, 7, 1; 9--18
    2450-5870
    Pojawia się w:
    Journal of TransLogistics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ekologiczne rozwiązania w magazynach
    Ecological solutions in warehouses
    Autorzy:
    Mardeusz, Ewa
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1818712.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    zielona logistyka
    zielony magazyn
    odzysk ciepła
    destratyfikator powietrza
    diody elektroluminescencyjne
    automatyzacja magazynu
    green logistics
    green warehouse
    heat recovery
    air destratificator
    light emitting diodes
    warehouse automation
    Opis:
    W poniższym artykule przedstawiona została koncepcja zielonej logistyki ze zwróceniem szczególnej uwagi na obszary magazynowe. Wyodrębniono podstawowe informacje z zakresu certyfikacji zielonych magazynów. Głównym celem pracy było scharakteryzowanie wybranych rozwiązań ekologicznych stosowanych we współczesnych magazynach. Wymienione zostały systemy, których działanie koncertuje się na odzysku ciepła. Ponadto opisano zalety destratyfiaktorów powietrza, diod elektroluminescencyjnych oraz automatyzacji magazynu jako skuteczne narzędzia ekologiczne.
    The following paper presents the concept of green logistics with special attention to warehouse areas. Basic information on the certification of green warehouses was extracted. The main objective of the study was to characterize selected ecological solutions used in modern warehouses. The systems whose operation is based on heat recovery are mentioned. In addition, the advantages of air destratifiers, LEDs and warehouse automation as effective ecological tools are described.
    Źródło:
    Journal of TransLogistics; 2021, 7, 1; 9--18
    2450-5870
    Pojawia się w:
    Journal of TransLogistics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-32 z 32

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies