Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "diodes" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 32
Tytuł:
Diody świecące jako źródła światła
Lighting emission diodes as a new lighting source
Autorzy:
Pawlak, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/180845.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
oświetlenie
diody
lighting
diodes
Opis:
W artykule przedstawiono przykładowe zastosowania diod świecących małej mocy, ich historię rozwoju oraz ogólną zasadę działania, a także omówiono sposoby wytwarzania światła białego w tych diodach.
This paper presents the evolution of lighting emission diodes (LED) and general rules of their operation. There is also a description of how white light is created in those LEDs.
Źródło:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2007, 12; 24-27
0137-7043
Pojawia się w:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Numerical analysis of the compositional graded quaternary barrier AlGaN-based ultraviolet-C light-emitting diode
Autorzy:
Malik, S.
Usman, Muhammad
Hussain, M.
Munsif, M.
Khan, S.
Rasheed, S.
Ali, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818198.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
ultraviolet
light-emitting diodes
efficiency
quantum wells
Opis:
The compositional graded quaternary barriers (GQBs) instead of ternary/conventional quantum barriers (QBs) have been used to numerically enhance the efficiency of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode (LED). The performance of LED with GQBs is examined through carrier concentrations, energy band diagrams, radiative recombination, electron and hole flux, internal quantum efficiency (IQE), and emission spectrum. As a function of the operating current density, a considerable reduction in efficiency droop is observed in the device with composition-graded quaternary barriers as compared to the conventional structure. The efficiency droop in case of a conventional LED is ~77% which decreased to ~33% in case of the proposed structure. Moreover, the concentration of electrons and holes across the active region in case of the proposed structure is increased to ~156% and ~44%, respectively
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2021, 29, 3; 80--84
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structure equation as novel strategy for optimum reflector design
Autorzy:
Ou, Chung-Jen
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174423.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
illumination design
light-emitting diodes
structure equation
Opis:
The optimal use of energy resources is the central dogma for green technology and bio-optics. Reflectors provide a simple and fundamental structure for energy transport from a light emitting diode (LED) chip, and an appropriately designed reflector can reduce the fabrication cost of secondary optics for the LED. This paper demonstrates the role of three proposed reflector geometric factors in the two performance metrics – uniformity and collected energy (power), for designing LED reflectors. Through canonical factor analysis, a linear structure equation for LED reflector is suggested, and the methodology for designing the optimal shape is discussed. In addition, a generalized factor and a synthesis response are proposed for a more comprehensive investigation of optical performance. Results indicate a key parameter for balancing the optical performance, and the effects of various parameters and the trade-offs are revealed.
Źródło:
Optica Applicata; 2020, 50, 1; 95-110
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Numerical analysis of the compositional graded quaternary barrier AlGaN-based ultraviolet-C light-emitting diode
Autorzy:
Malik, S.
Usman, Muhammad
Hussain, M.
Munsif, M.
Khan, S.
Rasheed, S.
Ali, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818193.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
ultraviolet
light-emitting diodes
efficiency
quantum wells
Opis:
The compositional graded quaternary barriers (GQBs) instead of ternary/conventional quantum barriers (QBs) have been used to numerically enhance the efficiency of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode (LED). The performance of LED with GQBs is examined through carrier concentrations, energy band diagrams, radiative recombination, electron and hole flux, internal quantum efficiency (IQE), and emission spectrum. As a function of the operating current density, a considerable reduction in efficiency droop is observed in the device with composition-graded quaternary barriers as compared to the conventional structure. The efficiency droop in case of a conventional LED is ~77% which decreased to ~33% in case of the proposed structure. Moreover, the concentration of electrons and holes across the active region in case of the proposed structure is increased to ~156% and ~44%, respectively.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2021, 29, 3; 80--84
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
DC characteristics of the SiC Schottky diodes
Autorzy:
Janke, W.
Hapka, A.
Oleksy, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/202279.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
silicon carbide
Schottky diodes
static characteristics
high-temperature
Opis:
The isothermal and non-isothermal characteristics of silicon carbide Schottky diodes in the wide range of currents and ambient temperatures are investigated in this paper. The measurements of the diodes characteristics have been performed with the use of a pulse method, with fast registration of measurement points after the diode current turning on, or with the use of a fully static method, in which the self-heating phenomenon is taken into account. Apart from the measurements, the series of numerical experiments, giving the isothermal and non-isothermal characteristics as a result, were executed. The complex, accurate numerical procedures as well as simplified analytical calculations were implemented. A good conformity of all calculation and measurement results have been obtained. In the presented investigations, for relatively high currents and ambient temperatures, the influence of self-heating on the SiC Schottky diodes static characteristics is significant. The large (even 4 V for the ambient temperature 300.C ) values of voltages corresponding to the nominal diode currents have been observed.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2011, 59, 2; 183-188
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of RTS noise in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes
Badanie szumów RTS w diodach SiC spolaryzowanych w kierunku zaporowym
Autorzy:
Szewczyk, A.
Stawarz-Graczyk, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/266700.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
szumy RTS
dioda Schottky'ego
RTS noise
Schottky diodes
Opis:
One of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. Generally, the inherent noise of semiconductor device consists of Gaussian (i.e. 1/f, shot noise) and non-Gaussian components (i.e. random telegraph signal, RTS). The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are commercially available diodes with reverse voltage UR = 600 V. The RTS was observed during device stress by applying high voltage for several minutes and the change in signal parameters were studied.
Jedną z metod do badania jakości i niezawodności elementów elektronicznych jest obserwacja ich szumów własnych, które zawierają składową gaussowską (szum typu 1/f, szum śrutowy) oraz składową niegaussowską (szum RTS). Obecność szumu RTS zazwyczaj wskazuje na defekty w strukturze materiału, z którego jest wykonany element, ale jednocześnie może być doskonałym wskaźnikiem jakości badanego elementu. W artykule autorzy prezentują wyniki pomiarów w zaporowo spolaryzowanych diodach Schottkiego wykonanych z SiC. Badane elementy są powszechnie dostępnymi o UR = 600 V. Szum RTS był obserwowany po kilkuminutowym użytkowaniu badanego elementu w warunkach wysokiego napięcia.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2014, 40; 103-106
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Experimental evaluation of circuit board components under extreme conditions
Autorzy:
Sokół, Krzysztof
Ptak, Piotr
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2106230.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Politechnika Białostocka. Oficyna Wydawnicza Politechniki Białostockiej
Tematy:
experimental test
mathematical model
semiconductor diodes
thermal chamber
WCA
Opis:
Designing products operating in harsh conditions is a challenging task. Years of experience, developed standards and good practices are crucial in achieving the intended result. The article shows a methodology for designing electronic systems based on the worst-case analysis (WCA) and comparing its outcomes with the experimental verification of an actual circuit through large-scale tests. The analysed diode-based semiconductor circuit is part of a temperature measuring system of industrial application. The objective of the design and analysis process is to achieve a reliable solution, which has all the required functionalities under actual, extreme operating conditions. The preliminary circuit design is developed using ideal components. The truth table, which represents customer requirements, is created to check the correct operation of the system. Simulation software, such as LTSpice, are used as the main tools to verify the correct functioning based on ideal or close-to-real component models. Next, based on the results of computer simulations, the WCA is conducted, considering all extreme (worst) operating environment parameters, such as, among others, ambient temperature or ageing. WCA results were verified through an experimental, large-scale measurement of the real system, with defined forward voltage as a function of the current flowing through the semiconductor at various ambient temperatures.
Źródło:
Acta Mechanica et Automatica; 2022, 16, 1; 8--15
1898-4088
2300-5319
Pojawia się w:
Acta Mechanica et Automatica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zagadnienia optymalizacji konstrukcji diod laserowych dużej mocy
High power laser diodes - design optimisation issues
Autorzy:
Malag, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192142.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
dioda laserowa dużej mocy
konstrukcja diod laserowych dużej mocy
optymalizacja wiązki promieniowania
high power laser diodes
high power laser diodes construction
Opis:
Artykuł zawiera skrótowy przegląd aktualnych osiągnięć w dziedzinie konstrukcji diod laserowych (DL) dużej mocy. Zakres artykułu ograniczony został do zagadnień optymalizacji heterostruktury ze względu na parametry, które wydają się najważniejsze dla przyrządów dużej mocy takie, jak sprawność energetyczna (PCE), próg katastroficznej degradacji luster (COD) i jakość emitowanej wiązki promieniowania (M2 i rozbieżność). Przedstawione wyniki (przodujących instytutów i ITME) wskazują, że jednoczesna maksymalizacja wszystkich tych parametrów jest bardzo trudna. Wyniki "rekordowe" są bardzo zróżnicowane ze względu na długość fali i grupę materiałową (arsenki, fosforki).
Current achievements in the field of high-power laser diodes (LD) construction are briefly presented. The scope has been limited to issues of heterostructure optimisation in terms of the parameters the most important for high power devices, such as power conversion efficiency (PCE), COD level and an emitted beam quality (M2 and divergence). Presented results (of leading laboratories and ITME) indicate that simultaneous maximisation of these parameters is very difficult. There is a wide diversity of the record-high attainments in terms of preferred design solutions and due to different wavelengths and material systems.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 1, 1; 21-46
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Concept and implementation of adaptive road lighting concurrent with vehicles
Autorzy:
Zalewski, S.
Pracki, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200253.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
lighting technology
road lighting
lighting control
light emitting diodes
Opis:
The paper presents the authors’ concept of an adaptive road lighting that is concurrent with vehicles moving on roads. The lighting system is based on luminaires with light emitting diodes. The authors describe the operation of the adaptive road lighting system and point out benefits and limitations of the solution. The theoretical considerations are supported by an analysis of the installed and working system that was implemented at Bożeny street in Poznan, Poland. The system was also evaluated by the residents living near the street.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2019, 67, 6; 1117-1124
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Design of LED collimator for uniform illumination using two freeform lenses
Autorzy:
Zeng, J.
Li, X.
Ge, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173429.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
illumination design
lenses
light-emitting diodes
optical design
high uniformity
Opis:
Regulating the illuminance distribution of an LED collimator to produce a uniform illumination in both the near field and the far field is a challenge in illumination design. In this paper, we present an effective method for designing two separated freeform lenses to control the illuminance distribution and the direction of the rays from the LED. The first lens redistributes the ray energy, and the second one collimates them to obtain a uniform collimated illumination. According to the conservation law of energy, Snell’s law, Fermat’s law and tangent-plane iterative method, the two freeform surfaces could be calculated simultaneously. The simulation results show that the two freeform lenses can control most of rays into an angle within ±1.5° for an LED with 1 × 1 mm size. The illuminance uniformities are higher than 0.9 in both the near field and the far field.
Źródło:
Optica Applicata; 2018, 48, 3; 413-420
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Examinations of Selected Thermal Properties of Packages of SiC Schottky Diodes
Autorzy:
Bisewski, D.
Myśliwiec, M.
Górecki, K.
Kisiel, R.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/220523.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Schottky diodes
transient thermal impedance
thermal measurements
silicon carbide
packaging
Opis:
This paper describes the study of thermal properties of packages of silicon carbide Schottky diodes. In the paper the packaging process of Schottky diodes, the measuring method of thermal parameters, as well as the results of measurements are presented. The measured waveforms of transient thermal impedance of the examined diodes are compared with the waveforms of this parameter measured for commercially available Schottky diodes.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2016, 23, 3; 451-459
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Selected metrology problems implied by the application of LED technology in lighting
Wybrane problemy metrologiczne implikowane stosowaniem technologii LED w oświetleniu
Autorzy:
Błaszczak, U. J.
Zając, A. S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408716.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
light emitting diodes
measurement
lighting technology
diody elektroluminescencyjne
pomiary
technika świetlna
Opis:
High power LEDs replace traditional light sources in all possible lighting applications, causing significant problems in assessing the quality of lighting. This issue is not limited only to the construction aspects of the measuring equipment, but also has a cognitive dimension. The article presents an overview of the current state of knowledge on color rendering and evaluation of discomfort glare in relation to the widespread use of LEDs in lighting. Some selected parameters developed copyright sources with LED sets. Basic limitations in UGR measurement were indicated
Diody świecące dużej mocy zastępują klasyczne źródła światła właściwie we wszystkich możliwych aplikacjach oświetleniowych, co powoduje znaczne problemy w ocenie jakości oświetlenia. Zagadnienie to nie sprowadza się wyłącznie do aspektów konstrukcyjnych aparatury pomiarowej, lecz także ma wymiar poznawczy. W artykule przedstawiono przegląd aktualnego stanu wiedzy na temat oddawania barw oraz oceny olśnienia przykrego w odniesieniu do powszechnego stosowania diod LED w oświetleniu. Omówiono wybrane parametry opracowywanych autorskich źródeł z zestawami LED. Wskazano podstawowe ograniczenia w technice pomiarów UGR.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2016, 3; 6-11
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Temperature dependent electrical characteristics of Nichrome/4H-SiC Schottky barrier diodes
Autorzy:
Khanna, Shaweta
Noor, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1076274.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
Nichrome
Schottky Diodes
Schottky barrier height
ideality factor
rapid thermal annealing
Opis:
Nichrome Schottky barrier diodes have been fabricated on 4H-SiC substrates to investigate the temperature dependant electrical characteristics of the fabricated contacts. The electrical parameters such as barrier height, ideality factor and donor concentration were found from the current-voltage (I-V) and the capacitance-voltage (C-V) measurements at room temperature. Barrier Contacts showed non-ideal behaviour like lower value of barrier height and high value of ideality factor. A barrier height of 1.53eV obtained from C-V measurements and 0.79eV obtained from the I-V measurements with ideality factor of 1.96 for as-deposited diodes at room temperature. The diodes, therefore, were annealed in the temperature range from 25-400 ºC to see the effect of annealing temperature on these parameters. Schottky barrier height (SBH) and ideality factors were found temperature dependent. After rapid thermal annealing (RTA) upto 400 ºC barrier height of 1.27 eV from C-V measurements and the value of 1.13 eV were obtained from I-V measurements with ideality factor of 1.12. Since barrier height deduced from C-V measurements were consistently larger than those from I-V measurements. To remove this discrepancy we re-examined our results by including the effect of ideality factor in the expression of the saturation current. The insertion of ideality factor results in comparably good agreement between the values of barrier height derived by above two methods. We believe that the enhancement in the electrical parameters result from the improvement in the quality of interfacial layer.
Źródło:
World Scientific News; 2019, 116; 169-179
2392-2192
Pojawia się w:
World Scientific News
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reconfigurable Antennas: the State of the Art
Autorzy:
Yashchyshyn, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226828.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
antenna arrays
reconfigurable antennas
semiconductor devices
MEMS switches
surface PIN diodes
Opis:
The paper provides an overview of the state of the art in the area of reconfigurable antennas. This emerging area has been rapidly developing in the recent years. This article brings a comprehensive summary of the high quality applied and fundamental research contributions in the above-mentioned field. A broad spectrum of topics is covered, reflecting the areas in which Institute of Radioelectronics's expertise is recognized worldwide.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2010, 56, 3; 319-326
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Power sharing system with use of DC-DC converter and intermediate circuit of VSI inverter
Autorzy:
Kozak, Maciej
Gordon, Radosław
Zarębski, Andrzej
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/376476.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
energy storage systems
synchronous generator
dual active bridge
DC grid
auctioneering diodes
Opis:
The article describes issues related to power distribution between a power plant system consisting of a synchronous generator operating at variable shaft speed and a super capacitor which is a short-term source of electricity for sudden electrical load changes. In the presented system a generator and a battery of supercapacitors were connected with use of power electronic converters. The synchronous generator is connected to the DC network via an AC-DC converter and the super capacitor is connected with means of an isolated DC-DC converter. Both converters have been equipped with auctioneering diodes to prevent the flow of equalizing currents. The theoretical basis and results of experimental research obtained on a laboratory test-stand equipped with the aforementioned system are presented.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2020, 103; 69-84
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 32

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies