Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "amorphous silicon" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-7 z 7
Tytuł:
Metastability problems in amorphous silicon
Autorzy:
Pietruszko, S.M.
Kostana, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308419.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
amorphous silicon
metastability
thermal quenching
Opis:
The results of study of the influence of boron and phosphorous doping and hydrogen content on transport properties and thermally induced metastability of LPCVD a-Si are reported. The thermally induced metastability has been observed in both unhydrogenated and hydrogenated P-doped a-Si films. Metastability is a barrier for wide application of a-Si such solar cells. In this paper we report our studies on the effect of thermally induced metastability in LPCVD a-Si as a function of implanted boron and phosphorous concentration. We have investigated films unhydrogenated and hydrogenated by ion implantation. The results are qualitatively agreed with bond breaking model.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 76-79
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Quantum interactions of optical radiation with the defect centres in the tails of the forbidden band of amorphous materials
Autorzy:
Mazinov, A
Shevchenko, A
Bahov, V
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173375.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
resonant absorption centres
quantum interaction
semiconductor film
polycrystalline and amorphous silicon
Opis:
In this paper, the model approach that describes the quantum interaction of optical waves with the polycrystalline and amorphous semiconductor films is proposed. The absorption coefficient for active layers of semiconductor films is represented as the sum of pseudo-crystalline and amorphous components. Based on the proposed theoretical approach, we considered the long-wavelength optical absorption spectra of amorphous silicon in 1500–4000 cm–1 range. The resonant absorption centres were identified and were associated with V-V, I-V, V-V defect centres in a silicon gap with energies of 0.20–0.45 eV.
Źródło:
Optica Applicata; 2014, 44, 2; 327-335
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Temperature Effect on Performance of Different Solar Cell Technologies
Autorzy:
Adeeb, Jehad
Farhan, Alaa
Al-Salaymeh, Ahmed
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/124356.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Ekologicznej
Tematy:
solar cell
photovoltaics
temperature effect
multicrystalline silicon solar cell
amorphous silicon solar cell
monocrystalline
Opis:
One of the main parameters that affect the solar cell performance is cell temperature; the solar cell output decreases with the increase of temperature. Therefore, it is important to select the proper solar cell technology that performs better at a specified location considering its average temperatures. In addition, the solar cell performance is directly reflected on the overall economics of the project. This paper is proposed to evaluate the variations in the performance of different solar cell technologies related to the temperature in Amman, Jordan. Field data of weather station and three PV systems (Poly-crystalline, Mono-crystalline and Thin-film) of identical design parameters were collected from Test Field Project at Applied Science Private University, Shafa Badran, Amman, Jordan. These data were analysed in the following way. estimated specific energy yield (kWh/kWp) for the three different PV systems was calculated depending on the measured value of solar irradiance and technical specifications of the installed solar panels and inverters, then the actual energy yield at different temperatures over one year was compared with the estimated value, so the deviations could be determined and actual temperature coefficients for energy yield could be calculated, knowing that the three PV Systems have identical design parameters (tilt angle, azimuth angle, type and dimensions of mounting structure and inverter size) and same cleaning method and schedule. It was found that the thin-film solar panels are less affected by temperature with temperature coefficient of -0.0984%, and -0.109%, -0.124% for Mono-crystalline and Poly-crystalline respectively. These results can be implemented in the preliminary design steps, specifically in the selection of the solar cell technology to be installed in a specific location.
Źródło:
Journal of Ecological Engineering; 2019, 20, 5; 249-254
2299-8993
Pojawia się w:
Journal of Ecological Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Processing of Titanium-Magnesium Production Waste
Autorzy:
Karshyga, Zaure
Ultarakova, Almagul
Lokhova, Nina
Yessengaziyev, Azamat
Kassymzhanov, Kaisar
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2173227.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Ekologicznej
Tematy:
waste
sludge
dust
leaching
sublimation
ammonium bifluoride
calcium nitrate
amorphous silicon dioxide
Opis:
The article presents the results of research on the processing of such wastes of titanium-magnesium production as sludge from sludge dumps and fine dump dusts from the electric smelting of ilmenite concentrates. The results of nitric acid leaching of sludge with the transfer of calcium into solution and the production of calcium nitrate are given. Titanium-containing cake after nitric acid leaching of sludge and electric smelting dust cannot be returned to the technological process due to its high silica content, so the silicon impurity was removed from their composition. Silicon removal was performed by fluoroammonium processing with sublimation of hexafluorosilicate compounds. An amorphous silicon dioxide product was obtained, after ammonia hydrolysis of silicon-containing sublimations and appropriate treatment of the sediment. The residue from the sublimation of silicon fluorides consists mainly of titanium-containing phases and can be suitable for return for electrofusion after ammonia treatment.
Źródło:
Journal of Ecological Engineering; 2022, 23, 7; 215--225
2299-8993
Pojawia się w:
Journal of Ecological Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A Comparison of the Environmental Impact of Solar Power Generation Using Multicrystalline Silicon and Thin Film of Amorphous Silicon Solar Cells: Case Study in Thailand
Autorzy:
Khaenson, W.
Maneewan, S.
Punlek, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/124685.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Ekologicznej
Tematy:
solar power generation
life cycle assessment (LCA)
multicrystalline silicon solar cell
amorphous silicon solar cell
Opis:
This paper studies the environmental impact of two different forms of solar power generation in Thailand – that of multicrystalline silicon solar cells, and that of thin film amorphous silicon solar cells. It takes as its study two of the largest solar cell power plants of their kind in Thailand; a multicrystalline silicon plant in the north (generating 90 MW) and a thin film amorphous silicon plant in the centre (generating 55 MW). The Life Cycle Assessment tool (LCA) was used to assess the environmental impact of each stage of the process, from the manufacture of the cells, through to their transportation, installation and eventual recycling. The functional unit of the study was the generation of 1 kWh of power transmitted and distributed by the Electricity Generating Authority of Thailand (EGAT) and Provincial Electricity Authority (PEA). The environmental impact results were calculated in terms of eco-points (Pt) per functional unit of 1 kWh. The characterised data for 1 kWh of solar power generation was then compared with data for 1 kWh of combined cycle and thermal power generation (both in Thailand), using the same set of characterisation factors. After analyzing the results, both forms of solar power energy generation were found to impact upon the studied categories of Human Health, Ecosystem Quality and Resource Depletion, whilst also highlighting the importance of the solar cell module recycling process in decreasing the overall environmental impact. When the two solar cell technologies were compared, the overall impact of the multicrystalline silicon solar cell was found to be higher than that of the thin film amorphous silicon solar cell. Furthermore, when assessing the overall impact against non-renewable power generating technologies such as combined cycle and thermal power generation, the thin film amorphous silicon solar cells were found to have the lowest environmental impact of all technologies studied.
Źródło:
Journal of Ecological Engineering; 2017, 18, 4; 1-14
2299-8993
Pojawia się w:
Journal of Ecological Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Amorphous Dielectric Thin Films with Extremely Low Mechanical Loss
Amorficzne cienkie warstwy dielektryczne z bardzo małą wielkością strat mechanicznych
Autorzy:
Liu, X.
Queen, D. R.
Metcalf, T. H.
Karel, J. E.
Hallman, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/353256.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
internal friction
amorphous silicon
elastic modulus
speed of sound
tunneling systems
tarcie wewnętrzne
krzem amorficzny
moduł sprężystości
prędkość dźwięku
Opis:
The ubiquitous low-energy excitations are one of the universal phenomena of amorphous solids. These excitations dominate the acoustic, dielectric, and thermal properties of structurally disordered solids. One exception has been a type of hydrogenated amorphous silicon (α-Si:H) with 1 at.% H. Using low temperature elastic and thermal measurements of electron-beam evap-orated amorphous silicon (α-Si), we show that TLS can be eliminated in this system as the films become denser and more structurally ordered under certain deposition conditions. Our results demonstrate that TLS are not intrinsic to the glassy state but instead reside in low density regions of the amorphous network. This work obviates the role hydrogen was previously thought to play in removing TLS in α-Si:H and favors an ideal four-fold covalently bonded amorphous structure as the cause for the disappearance of TLS. Our result supports the notion that α-Si can be made a “perfect glass” with “crystal-like” properties, thus offering an encouraging opportunity to use it as a simple crystal dielectric alternative in applications, such as in modern quantum devices where TLS are the source of dissipation, decoherence and 1/f noise.
Wszechobecne niskoenergetyczne wzbudzenia są jednym z powszechnych zjawisk w amorficznych ciałach stałych. Wzbudzenia te dominują akustyczne, dielektryczne i termiczne właściwości strukturalnie nieuporządkowanych ciał stałych. Wyjątkiem jest rodzaj uwodornionego amorficznego krzemu (α-Si:H) o zawartości 1 at.% H. Na podstawie niskotemperaturowych badań własności sprężystych i termicznych krzemu amorficznego (α-Si) naparowanego wiązką elektronów wykazaliśmy, że w pewnych warunkach osadzania można wyeliminować TLS w tym układzie tak, że warstwy stają się gęstsze i strukturalnie bardziej uporządkowane. Uzyskane przez nas wyniki wskazują, że TLS nie są nieodłączną cechą stanu szklistego, ale lokują się w regionach o niskim zagęszczeniu sieci amorficznej. Praca niniejsza wyjaśnia, że wodór nie pełni roli w usuwaniu TLS w α-Si:H, jak dotąd sądzono, i wskazuje na idealną czterokrotnie kowalencyjnie związaną amorficzną strukturę jako przyczynę znikania TLS. Nasz wynik potwierdza koncepcję, że z α-Si można wytworzyć “doskonałe szkło” o “podobnych do krystalicznych” właściwościach, oferując w ten sposób zachęcającą możliwość wykorzystania go alternatywnie jako prosty krystaliczny dielektryk w takich aplikacjach jak w nowoczesne urządzenia kwantowe, gdzie TLS są źródłem dyssypacji dekoherencji i szumu 1/f.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 1; 359-363
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bezpośrednia radiografia cyfrowa
Digital direct radiography
Autorzy:
Jezierski, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/214636.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
radiografia cyfrowa
detektor typu płaski panel
amorficzny krzem (a-Si:H)
amorficzny selen
częstotliwość przestrzenna
funkcja przenoszenia modulacji (MTF)
kwantowa wydajność detekcji (DQE)
digital radiography
flat panel detector
amorphous silicon
amorphous selenium
spatial resolution
modulation
transfer function (MTF)
detective quantum efficiency (DQE)
Opis:
Dynamiczny rozwój radiografii cyfrowej (bazującej na elektronice) jaki obserwujemy w ostatnich latach skutkuje także zastosowaniem tej techniki do badań nieniszczących w przemyśle (NDT). Jednakże biorąc pod uwagę istotne różnice, przede wszystkim znacznie wyższe energie promieniowania rentgenowskiego stosowane do badania różnych obiektów przemysłowych (np. złącza spawane, odlewy, połączenia w elektronice), jak również konieczność dysponowania niekiedy lekkimi, przenośnymi detektorami powoduje, że nie da się bezpośrednio przenieść rozwiązań z medycyny do przemysłu. W niniejszej publikacji przedstawiono współczesne trendy oraz praktyczne rozwiązania detektorów cyfrowych do zastosowań w NDT.
Application of digital radiography (based on electronics) for imaging in medical practice has been recently dynamically developing, which results in implementation of this technique to industrial non-destructive testing (NDT). However, with respect to significant differences that include, first of all, much higher X-ray energies used for testing various object in industry (e.g. welds, castings, joints in electronic engineering) and often also necessity of using light, portable digital detectors, it is impossible to transfer solutions directly from medicine to industry. In this paper, modern trends and practical solutions of digital detectors designed for NDT are presented.
Źródło:
Postępy Techniki Jądrowej; 2017, 2; 37-44
0551-6846
Pojawia się w:
Postępy Techniki Jądrowej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-7 z 7

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies