Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "ZnO" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 72
Tytuł:
Synthesis and Characterization of ZnO/MnFe2O4 Nanocomposites for Degrading Cationic Dyes
Autorzy:
Yuniar
Agustina, Tuty Emilia
Faizal, Muhammad
Hariani, Poedji Loekitowati
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/24201760.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Ekologicznej
Tematy:
nanocomposite
ZnO/Fe2O4
cationic dyestuff
photocatalysis
Opis:
By breaking down harmful dye waste into harmless components under the right irradiation sources, photocatalysis is an unorthodox but promising technique that can reduce industrial wastewater pollution, particularly in the textile industry. Synthetic textile dyes called cationic dyes must be handled carefully because they are poisonous and challenging to breakdown. Photocatalytic oxidation is a useful technique for eliminating hazardous organic pigments. This investigation aims to synthesize and characterize ZnO/MnFe2O4 nanocomposites as well as investigate the effects of varying ZnO:MnFe2O4 ratios, pH levels, doses, and irradiation times on band gap reduction and photocatalytic applications tested with cationic dyes, specifically methylene blue, under the illumination of sunlight. the co-precipitation approach for the manufacture of nanocomposites with different mole ratios of ZnO:MnFe2O4 (1:0.1; 2:0.1; 3:0.1). The component comprising the nanocomposite is ZnO/MnFe2O4, according to the results of the characterisation using XRD, SEM-EDX, FTIR, and BET. UV-DRS measurements of the band gap revealed that as ZnO was reduced, the band gap of the nanocomposite likewise decreased, from 3.35 eV to 2.78 eV. The greatest degradation of 93.2% was achieved for the degradation of 50 mg/L methylene blue (MB) dye with a catalyst dosage of 20 mg at a ratio of 1:0.2 for 50 minutes of irradiation. Since the point of zero charges (pzc) was reached at a pH of 7.8, a photodegradation adsorption-friendly solution pH of 8 was created.
Źródło:
Journal of Ecological Engineering; 2023, 24, 4; 252--263
2299-8993
Pojawia się w:
Journal of Ecological Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Microstructural characterization of the reaction product region formed due to the high temperature interaction of ZnO[0001] single crystal with liquid aluminum
Charakterystyka mikrostrukturalna strefy produktów reakcji utworzonych w wyniku wysokotemperaturowego oddziaływania monokrystalicznego Zn[0001] z ciekłym aluminium
Autorzy:
Wojewoda-Budka, J.
Sobczak, N.
Stan, K.
Nowak, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/353598.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
reakcja redoks
Al/ZnO interface
in situ composites
redox reaction
α-Al2O3
δ-Al2O3
γ-Al2O3
kompozyty in situ
Al/ZnO
alfa-Al2O3
gamma-Al2O3
delta-Al2O3
Opis:
The study was focused on the microstructure characterization at the micro- and nano scale of the reaction product region (RPR) formed due to the interaction between the liquid aluminum and ZnOSC [0001] single crystalline substrate at 1000ºC. The research was carried out on the Al/ZnO couple produced by the sessile drop method under vacuum within two different procedures: 1) classical contact heating and cooling; 2) pushing drop procedure allowing opening the Al/ZnO interface at the test temperature and, therefore, prevent influence of cooling with Al drop on interface structure. The microstructure observations of the sample after using classical contact heating procedure revealed the formation of the RPR of ~50 μm in thickness extending into the ZnOSC single crystal substrate. It was composed of the ceramic α-Al2O3 and metallic Al(Zn) mutually interpenetrating lattices, typical for the C4 type structure. Additionally, at the ZnO/RPR interface, the presence of a thin (~250 nm) layer of the metastable δ-Al2O3was detected. The obtained results were compared with experimental data found for the sample after pushing drop procedure resulting in the formation of two layers of ZnAl2O4 spinel and alumina, exhibiting strong epitaxial growth. The selected area diffraction patterns clearly evidenced that the crystal structure of formed Al2O3 corresponds to the tetragonal δ-phase.
W pracy scharakteryzowano mikrostrukturę w skali mikro i nano strefy produktów reakcji (SPR) powstałych w wyniku oddziaływania pomiędzy ciekłym aluminium i monokrystalicznym podłożem ZnOSC o orientacji [0001] w 1000ºC. Badania przeprowadzono dla pary Al/ZnO wytworzonej w próżni metoda kropli leżącej przy zastosowaniu dwóch procedur: 1) klasycznej, wspólnego nagrzewania i chłodzenia, 2) przepychania kropli, umożliwiającej otwarcie granicy rozdziału Al/ZnO w temperaturze badania, a tym samym uniknięcia wpływu chłodzenia kropli Al na jej strukturę. Obserwacje mikrostruktury próbki po zastosowaniu klasycznej procedury wspólnego wygrzewania wykazały powstanie SPR o grubości około 50 μm wewnątrz podłoża ZnO. Składała się ona z dwóch wzajemnie przenikających się sieci ceramicznej α-Al2O3 i metalicznej Al (Zn), typowych dla struktury C4. Dodatkowo, na granicy ZnO/RPR wykryto obecność cienkiej (~250 nm) warstwy metastabilnej odmiany δ-Al2O3. Uzyskane wyniki porównano z danymi doświadczalnymi znalezionymi dla próbki po procedurze przepychania kropli, która skutkowała w tworzeniu sie dwóch warstw wykazujących silnie epitaksjalny wzrost: spinelu ZnAl2O4 oraz tlenku aluminium. Dyfrakcje elektronowe pokazały, ze struktura krystaliczna utworzonej Al2O3 odpowiada tetragonalnej fazie delta.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 2; 351-355
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions
Badanie metodami wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej monokryształów ZnO bombardowanych jonami Ar
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Caban, P.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192341.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRXRD
ZnO monocrystal
ion implantation
radiation defect analysis
wysokorozdzielcza dyfrakcja rentgenowska
monokryształ ZnO
implantacja jonów
analiza defektów radiacyjnych
Opis:
High resolution X-ray diffraction methods (HRXRD) were used to study the tetragonalization of a unit cell in a zinc oxide single crystal resulting from the Ar-ion bombardment. Bulk ZnO (00∙1) single crystals were bombarded with ions with the energy of 300 keV and a dose range between 1 x 1014 cm-2 and 4 x 1016 cm-2. Diffraction profiles, obtained by radial 2Theta/Omega scans in the vicinity of the 00∙4 ZnO reciprocal space node were measured and fitted to the curves calculated by means of a computer program based on the Darwin’s dynamical theory of X-ray diffraction. On the basis of these numerical simulations, the profile of the interplanar spacing between planes perpendicular to the c axis of the ZnO single crystal were determined as a function of the Ar ion dose. It was found that positive deformation parallel to the c-axis appeared for the low doses in the bombarded crystal volume. When the dose is increased this deformation gets ronounced, and after reaching a certain critical value, it becomes saturated. This observation leads to the conclusion that the plastic deformation appears in the implanted volume of the crystal.
Za pomocą wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej (HRXRD) badano tetragonalizację komórki elementarnej monokryształu tlenku cynku powstałą pod wpływem bombardowania jonami Ar. Objętościowe monokryształy ZnO o orientacji (00∙1) były bombardowane jonami o energii 300 keV, w przedziale dawek od 1 x 1014 cm-2 do 4 x 1016 cm-2. Zarejestrowano profile dyfrakcyjne otrzymane metodą radialnego skanowania 2Teta/Omega, w otoczeniu węzła 00∙4, sieci odwrotnej ZnO i w oparciu o założenia dynamicznej teorii dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego w ujęciu Darwina, wykonano ich symulacje numeryczne. Na tej podstawie określono, w zależności od dawki, profil zmiany odległości płaszczyzn prostopadłych do osi c monokryształu ZnO. Stwierdzono, że dla niskich dawek, w ściśle określonej objętości kryształu, powstaje dodatnie odkształcenie równoległe do osi c, wraz ze wzrostem dawki jonów to odkształcenie wzrasta, a po osiągnięciu pewnej krytycznej wartości ulega nasyceniu. To prowadzi do wniosku, że w implantowanej objętości kryształu powstaje wówczas odkształcenie plastyczne.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 3, 3; 9-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ modyfikowania Bi2O3 barem na właściwości mikrostruktury warystorów ZnO
Effect of Ba modified Bi2O3 on microstructure properties of ZnO varistors
Autorzy:
Warycha, J.
Mielcarek, W
Prociów, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159435.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
BaBiO3-x
ZnO
warystory
mikrostruktura
właściwości elektryczne
Opis:
Ba jako dodatek modyfikujący Bi2O3 w ceramice z tlenku cynku umożliwia równomierne rozmieszczenie Bi w całym warystorze i hamuje tworzenie się aglomeratów Bi2O3 podczas spiekania warystora. Dzięki temu warystor osiąga doskonałe właściwości elektryczne a poziom domieszkowania ceramiki ZnO tlenkami innych metali może być znacznie obniżony. W najbardziej obiecującym przypadku, ilość Bi dodawanego do masy warystorowej była siedem razy mniejsza a całkowita ilość domieszek - trzy razy niższa w porównaniu do powszechnie stosowanego poziomu domieszkowania warystorów.
Doping ZnO varistor ceramics with Ba modified Bi2O3, instead of pure Bi2O3, enables the uniform distribution of Bi in varistor body and restrains formation of the Bi2O3 agglomerates during varistor processing. As the result the varistor attains the excellent electrical properties at lower rate of metal oxide additives. In the most promising varistor composition the amount of Bi was seven times lower and the total of other dopants three times lower, than in varistors made by commonly used technology.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 246; 123-132
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structural, morphological and photoluminescent properties of annealed ZnO thin layers obtained by the rapid sol-gel spin-coating method
Autorzy:
Sypniewska, Małgorzata
Szczesny, Robert
Popielarski, Paweł
Strzałkowski, Karol
Derkowska-Zielinska, Beata
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818231.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
FTIR and Raman spectroscopies
photoluminescence
SEM
XRD
ZnO thin films
Opis:
ZnO thin layers were deposited on p-type silicon substrates by the sol-gel spin-coating method and, then, annealed at various temperatures in the range of 573-873 K. Photoluminescence was carried out in the temperature range of 20-300 K. All samples showed two dominant peaks that have UV emissions from 300 nm to 400 nm and visible emissions from 400 nm to 800 nm. Influence of temperature on morphology and chemical composition of fabricated thin layers was examined by XRD, SEM, FTIR, and Raman spectroscopy. These measurements indicate that ZnO structure is obtained for samples annealed at temperatures above 573 K. It means that below this temperature, the obtained thin films are not pure zinc oxide. Thus, annealing temperature significantly affected crystallinity of the thin films.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2020, 28, 4; 182--190
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structural, morphological and photoluminescent properties of annealed ZnO thin layers obtained by the rapid sol-gel spin-coating method
Autorzy:
Sypniewska, Małgorzata
Szczesny, Robert
Popielarski, Paweł
Strzalkowski, Karol
Derkowska-Zielinska, Beata
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818237.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
FTIR and Raman spectroscopies
photoluminescence
SEM
XRD
ZnO thin films
Opis:
ZnO thin layers were deposited on p-type silicon substrates by the sol-gel spin-coating method and, then, annealed at various temperatures in the range of 573-873 K. Photoluminescence was carried out in the temperature range of 20-300 K. All samples showed two dominant peaks that have UV emissions from 300 nm to 400 nm and visible emissions from 400 nm to 800 nm. Influence of temperature on morphology and chemical composition of fabricated thin layers was examined by XRD, SEM, FTIR, and Raman spectroscopy. These measurements indicate that ZnO structure is obtained for samples annealed at temperatures above 573 K. It means that below this temperature, the obtained thin films are not pure zinc oxide. Thus, annealing temperature significantly affected crystallinity of the thin films.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2020, 28, 4; 182--190
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrochemical synthesis of ZnO nanoparticles during anodic dissolution of zinc in alcohols solvents
Elektrochemiczna synteza nanocząstek ZnO na drodze anodowego roztwarzania cynku w rozpuszczalnikach alkoholowych
Autorzy:
Stypuła, B.
Starowicz, M.
Hajos, M.
Olejnik, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/351108.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
cynk
roztwarzanie anodowe
rozpuszczalniki organiczne
nanocząstki ZnO
zinc
anodic dissolution
organic solvents
nanoparticles ZnO
Opis:
Studies of the effect of the kind of alcohol, electrolyte concentration and water on the anodic dissolution of zinc and the nature of dissolution products were performed. The dissolution products were analyzed by spectroscopic methods (SEM/EDS, XPS and UV-vis) and X-ray diffraction. These studies have shown that the process of anodic dissolution of zinc in alcohol electrolytes (methanol and ethanol) in the presence of water (1-5% vol.), is a simple way to obtain ZnO nanoparticles.
Przeprowadzono badania wpływu rodzaju alkoholu, stężenia elektrolitu oraz zawartości wody na proces anodowego roztwarzania cynku i charakter tworzących się produktów roztwarzania w obszarze wysokich potencjałów. Do identyfikacji produktów anodowego roztwarzania wykorzystano spektroskopowe techniki badawcze (SEM/EDS, XPS, UV-vis) oraz metodę dyfrakcji rentgenowskiej. Badania te wykazały że proces anodowego roztwarzania cynku w alkoholowych elektrolitach (metanolowych i etanolowych) w obecności wody (1-5% obj.), jest prostym sposobem otrzymywania nanocząstek ZnO.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2011, 56, 2; 286-292
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical investigations of ZnO layers affected by some selected gases in the aspect of their application in optical gas sensors
Autorzy:
Struk, P.
Pustelny, T.
Gołaszewska, K.
Borysiewicz, M. A.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200967.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
ZnO
semiconductor
gas sensors
Zno
czujniki gazu
półprzewodnik
Opis:
The paper presents the results of investigations of zinc oxide (ZnO) layers as a potential sensing material, being affected by certain selected gaseous environments. The investigations concerned the optical transmission through thin ZnO layers in wide spectral ranges from ultraviolet to the near infrared. The effect of the gaseous environment on the optical properties of zinc oxide layers with a thickness of ~ 400 nm was analyzed applying various technologies of ZnO manufacturing. Three kinds of ZnO layers were exposed to the effect of the gaseous environment, viz.: layers with relatively slight roughness (RMS several nm), layers with a considerable surface roughness (RMS some score of nm) and layers characterized by porous ZnO structures. The investigations concerned spectral changes in the transmission properties of the ZnO layers due to the effect of such gases as: ammonia (NH3), hydrogen (H2), and nitrogen dioxide (NO2) in the atmosphere of synthetic air. The obtained results indicated the possibility of applying porous ZnO layered structures in optical gas sensors.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2015, 63, 4; 829-836
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnO - Wide bandgap semiconductor and possibilities of its application in optical waveguide structures
Autorzy:
Struk, P.
Pustelny, T.
Gołaszewska, K.
Borysiewicz, M. A.
Kamińska, E.
Wojciechowski, T.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/220412.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Wide band gap oxide semiconductors
ZnO
integrated optics structures
planar waveguides
Opis:
The paper presents the results of investigations concerning the application of zinc oxide - a wideband gap semiconductor in optical planar waveguide structures. ZnO is a promising semiconducting material thanks to its attractive optical properties. The investigations were focused on the determination of the technology of depositions and the annealing of ZnO layers concerning their optical properties. Special attention was paid to the determination of characteristics of the refractive index of ZnO layers and their coefficients of spectral transmission within the UV-VIS-NIR range. Besides that, also the mode characteristics and the attenuation coefficients of light in the obtained waveguide structures have been investigated. In the case of planar waveguides, in which the ZnO layers have not been annealed after their deposition, the values of the attenuation coefficient of light modes amount to a ≈ 30 dB/cm. The ZnO layers deposited on the heated substrate and annealed by rapid thermal annealing in an N2 and O2 atmosphere, are characterized by much lower values of the attenuation coefficients: a ≈ 3 dB/cm (TE0 and TM0 modes). The ZnO optical waveguides obtained according to our technology are characterized by the lowest values of the attenuation coefficients a encountered in world literature concerning the problem of optical waveguides based on ZnO. Studies have shown that ZnO layers elaborated by us can be used in integrated optic systems, waveguides, optical modulators and light sources.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2014, 21, 3; 401-412
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Review on metallic oxide nanoparticles and their application in optoelectronic devices
Autorzy:
Sosna-Głębska, Aleksandra
Szczecińska, Natalia
Znajdek, Katarzyna
Sibiński, Maciej
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/105973.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Centrum Badań i Innowacji Pro-Akademia
Tematy:
metallic oxide
nanoparticles
ZnO
TiO2
Indium-Tin Oxide
ITO
solar cell
tlenek metalu
nanocząstki
tlenek cynku
dwutlenek tytanu
tlenek indowo-cynowy
ogniwo słoneczne
Opis:
Among the large family of metallic oxides, there is a considerable group possessing excellent semiconducting properties. What follows, they are promising materials for applications in the field of optoelectronics and photonics. Thanks to the development of nanotechnology in the last few decades, it is now possible to manufacture a great variety of different nanostructures. By controlling their size, shape, composition and crystallinity, one can influence such properties as band gap, absorption properties, surface to volume ratio, conductivity, and, as a consequence, tune the material for the chosen application. The following article reviews the research conducted in the field of application of the metallic oxide nanoparticles, especially ZnO, TiO2 and ITO (Indium-Tin Oxide), in such branches of optoelectronics as solid-state lightning, photodetectors, solar-cells and transparent conducting layers.
Źródło:
Acta Innovations; 2019, 30; 5-15
2300-5599
Pojawia się w:
Acta Innovations
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wykorzystanie ZnO w charakterze warstw TCL ogniw słonecznych nowej generacji
ZnO layers in application as TCL for new generation of solar cells
Autorzy:
Sibiński, M.
Znajdek, K.
Górski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/158951.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
ogniwa słoneczne
TCO
TCL
ZnO:Al
PLD
photovoltaics
Opis:
W ciągu ostatnich lat fotowoltaika wkroczyła na drogę bardzo dynamicznego rozwoju co przekłada się na gwałtowny wzrost wielkości produkcji ogniw słonecznych. Jednocześnie rosnący procent rynku stanowią cienkowarstwowe przyrządy nowej generacji o niskiej cenie i elastycznej konstrukcji. Do pełnego wykorzystania ich zalet w tym potencjalnej elastyczności struktury konieczna jest adaptacja odpowiednich transparentnych warstw przewodzących TCL (ang: Transparent Conductive Layers). Do grupy materiałów o potencjalnych korzystnych właściwościach z punktu wykorzystania w roli elektrody transparentnej należą odmiany tlenku cynku. Prezentowana praca jest poświęcona badaniom właściwości cienkich warstw ZnO:Al wytworzonych metodą PLD (ang: Pulsed Laser Deposition) do zastosowań w charterze transparentnej elektrody przewodzącej elastycznych, cienkowarstwowych ogniw słonecznych. Opis technologii wytwarzania jest uzupełniony o wszechstronną analizę parametrów mechanicznych i optoelektronicznych uzyskanych warstw na podłożach elastycznych i sztywnych. Zaprezentowane są modele numeryczne prototypowych konstrukcji ogniw. Przedstawione są również pierwsze wyniki pomiarów eksperymentalnej konstrukcji ogniwa słonecznego wyposażonego w otrzymaną warstwę.
Rapid development of photovoltaics, which may be recently observed, is transferred to a mass-production scale of PV industry. At the same time constant growth of inexpensive thin-film, flexible devices leads to their significant share in the PV market. However, the potential profits of thin film applications are limited by proper technology and materials adaptation. Important element for most of these devices is a transparent electrode made of appropriate Transparent Conductive Layer (TCL). This paper is dedicated to practical investigation of ZnO:Al layer prepared by Pulsed Laser Deposition (PLD) technology as the emitter electrode of thin film solar cells. The production technology description is detailed and supplemented by mechanical and opto-electrical parameters measurements and simulations. Described layer is prepared and examined on traditional and transparent flexible substrates as well. The concepts and first realization of the new cell structure are given.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 259; 33-34
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The effect of Co and Cu co-doping ZnO thin films on structural and optical properties
Autorzy:
Saoud, Tayeb
Benramache, Said
Diha, Abdallah
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/31342694.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Towarzystwo Chemii i Inżynierii Ekologicznej
Tematy:
ZnO
thin films
Co
Cu
co-doping
TCO
spray pneumatic method
cienkie warstwy
współdomieszkowanie
Opis:
Using a spray pneumatic technique, cobalt (Co) and copper (Cu) co-doped zinc oxide thin films were effectively deposited on a glass substrate. The goal of this work was to create a semiconductor with good optical and electrical properties by co-doping ZnO thin films with Cu and Co. The ZnO thin films obtained from the Co and Cu co-doping exhibit patterns of x-ray diffraction spectra that suggest they are hexagonal ZnO (wurtzite, JCPDS 36-1451). The thin film elaborated with 2 % Co and 7 % Cu has the lowest value of crystallite size (D = 14.67 nm). The transmission spectra demonstrate that all films have good optical transparency in the visible spectrum, with 7 % Cu achieving the highest transmission. Increasing Cu contents raised the band gap energy. The value at the minimum was 3.31 eV. The optical band gap’s broadening is a significant characteristic of advanced materials and may be useful in applications involving metal oxide nanostructures for visible light gas sensing.
Źródło:
Chemistry-Didactics-Ecology-Metrology; 2023, 28, 1-2; 171-178
2084-4506
Pojawia się w:
Chemistry-Didactics-Ecology-Metrology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Antibacterial Composite Layers on Ti: Role of ZnO Nanoparticles
Autorzy:
Roguska, A.
Belcarz, A.
Suchecki, P.
Andrzejczuk, M.
Lewandowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/355309.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
bone implants
TiO2 nanotubes
ZnO nanoparticles
Staphylococcus epidermidis
antibacterial properties
Opis:
Problem of post-operative infections of implant materials caused by bacterial adhesion to their surfaces is very serious. Enhancement of antibacterial properties is potentially beneficial for biomaterials value. Therefore, the metallic and metallic oxide nanoparticles attract particular attention as antimicrobial factors. The aim of this work was to create nanotubular (NT) oxide layers on Ti with the addition of ZnO nanoparticles, designed for antibacterial biomedical coatings. Antimicrobial activities of titanium, TiO2 NT and ZnO/TiO2 NT surfaces were evaluated against bacterial strain typical for orthopaedic infections: S. epidermidis. TiO2 NT alone killed the free bacterial cells significantly but promoted their adhesion to the surfaces. The presence of moderate amount of ZnO nanoparticles significantly reduced the S. epidermidis cells adhesion and viability of bacterial cells in contact with modified surfaces. However, higher amount of loaded nanoZnO showed the reduced antimicrobial properties than the medium amount, suggesting the overdose effect.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2016, 61, 2B; 937-940
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Antibacterial Composite Layers on Ti: Role of ZnO Nanoparticles
Autorzy:
Roguska, A.
Belcarz, A.
Suchecki, P.
Andrzejczuk, M.
Lewandowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/354849.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
bone implants
TiO2 nanotubes
ZnO nanoparticles
Staphylococcus epidermidis
antibacterial properties
Opis:
Problem of Post-operative infections of implant materials caused by bacterial adhesion to their surfaces is very serious. Enhancement of antibacterial properties is potentially beneficial for biomaterials value. Therefore, the metallic and metallic oxide nanoparticles attract particular attention as antimicrobial factors. The aim of this work was to create nanotubular (NT) oxide layers on Ti with the addition of ZnO nanoparticles, designed for antibacterial biomedical coatings. Antimicrobial activities of titanium, TiO2 NT and ZnO/TiO2 NT surfaces were evaluated against bacterial strain typical for orthopaedic infections: S. epidermidis. TiO2 NT alone killed the free bacterial cells significantly but promoted their adhesion to the surfaces. The presence of moderate amount of ZnO nanoparticles significantly reduced the S. epidermidis cells adhesion and viability of bacterial cells in contact with modified surfaces. However, higher amount of loaded nanoZnO showed the reduced antimicrobial properties than the medium amount, suggesting the overdose effect.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2016, 61, 1; 213-216
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Gas sensors based on nanostructures of semiconductors ZnO and TiO2
Autorzy:
Pustelny, T.
Procek, M.
Maciak, E.
Stolarczyk, A.
Drewniak, S.
Urbańczyk, M.
Setkiewicz, M.
Gut, K.
Opilski, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201719.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
gas sensors
nanostructures
TiO2
ZnO
Opis:
The paper presents a resistance structures with sensor layers based on nanostructures elaborated on the base of TiO2 and ZnO. The structures were tested concerning their sensitivities to the effects of nitrogen dioxide in the atmosphere of synthetic air. The TiO2 and ZnO nanostructures played the role of sensor layers. Investigations have proved that the elaborated resistance structures with TiO2 and ZnO layers are sensitive to the presence of NO2 in the atmosphere of synthetic air. The resistance of the structure amounted to about 20 in the case of ZnO structures and to about 200 in the case of TiO2 structures. The investigations confirmed that resistance structures with ZnO and TiO2, exposed to the effect of nitrogen dioxide in the atmosphere of synthetic air changes their resistances relatively fast. This indicates that such structures might be practically applied in sensors of nitrogen dioxide ensuring a short time of response.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2012, 60, 4; 853-859
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 72

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies