Ba jako dodatek modyfikujący Bi2O3 w ceramice z tlenku cynku umożliwia równomierne rozmieszczenie Bi w całym warystorze i hamuje tworzenie się aglomeratów Bi2O3 podczas spiekania warystora. Dzięki temu warystor osiąga doskonałe właściwości elektryczne a poziom domieszkowania ceramiki ZnO tlenkami innych metali może być znacznie obniżony. W najbardziej obiecującym przypadku, ilość Bi dodawanego do masy warystorowej była siedem razy mniejsza a całkowita ilość domieszek - trzy razy niższa w porównaniu do powszechnie stosowanego poziomu domieszkowania warystorów.
Doping ZnO varistor ceramics with Ba modified Bi2O3, instead of pure Bi2O3, enables the uniform distribution of Bi in varistor body and restrains formation of the Bi2O3 agglomerates during varistor processing. As the result the varistor attains the excellent electrical properties at lower rate of metal oxide additives. In the most promising varistor composition the amount of Bi was seven times lower and the total of other dopants three times lower, than in varistors made by commonly used technology.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00