Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "UF" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 37
Tytuł:
Odolejanie wód zęzowych na statkach z wykorzystaniem membranowych technik filtracyjnych
Deoiling of ships bilge waters with membrane filtration techniques
Autorzy:
Gutteter-Grudziński, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/360273.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Akademia Morska w Szczecinie. Wydawnictwo AMSz
Tematy:
separacja
emulsja olejowa
ceramiczne moduły UF
separation
oil emulsion
ceramic ultrafiltration (UF) modules
Opis:
W artykule omówiono zagadnienie separacji emulsji olejowej na modułach ultrafiltracyjnych UF. Na podstawie wstępnych badań przeprowadzonych w Akademii Morskiej w Szczecinie zaproponowano moduły ultrafiltracyjne, które spełniają test zaolejenia zawarty w Konwencji MARPOL, Rez. IMO MEPC 107/49. Opracowano nowe rozwiązanie systemu odolejacza Neptun z opatentowanym ceramicznym modułem UF.
The issue of separation of oil emulsion using the ultrafiltration (UF) modules has been discussed in this paper. On the basis of preliminary studies performed in Maritime University of Szczecin, ultrafiltration modules have been suggested that comply a control test of Marpol Res. IMO MEPC 107/49. A new solution of the Neptun oil separation system with the use of patented ceramic UF modules has been presented.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Szczecinie; 2008, 14 (86); 14-18
1733-8670
2392-0378
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Szczecinie
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Desorption of Krypton Implanted into Silicon
Autorzy:
Turek, M.
Droździel, A.
Wójtowicz, A.
Filiks, J.
Pyszniak, K.
Mączka, D.
Yuschkevich, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1030211.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.43.Vx
61.72.uf
Opis:
The thermal desorption spectrometry studies of krypton implanted Si samples are presented. Implantations (with the fluence 2×10¹⁶ cm¯²) were done with the energies 100, 150, and 200 keV. Additionally, a 200 keV and 100 keV Kr⁺G double implantation was performed. A sudden Kr release was observed in the ≈1100-1400 K range, most probably coming from the gas bubbles in cavities. The desorption activation energy varies from 2.5 eV (100 keV) to 0.8 (200 keV). The peak splitting suggests existence of two kinds of cavities trapping the implanted noble gas. Two Kr releases are observed for the 200 and 100 keV double-implanted samples. The peak shift of the release corresponding to 100 keV implantation could be a result of both introduced disorder and higher effective Kr concentration. The desorption activation energy is risen to ≈3.2 eV for both releases.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 249-253
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Desorption of Helium from Defected Silicon
Autorzy:
Turek, M.
Droździel, A.
Pyszniak, K.
Wójtowicz, A.
Mączka, D.
Yuschkevich, Y.
Vaganov, Y.
Żuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402210.pdf
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.43.Vx
61.72.uf
Opis:
The thermal desorption spectroscopy measurements of He implanted silicon samples are reported. The He implantation energy was 90 keV (at 45° tilt) while the fluence was 10¹⁶ cm¯². Additionally, the influence of Si pre-implantation (fluences in the range 10¹⁴-10¹⁶ cm¯², E=260 keV) was under investigation. The He releases from both interstitials/vacancies (β peak) and cavities (α peak or rather band consisting probably of at least two peaks) were observed. The α peak disappears for the pre-implantation fluences larger than 10¹⁵ cm¯², while β peak becomes broader and shifts toward higher temperatures. The thermal desorption spectra were collected using heating ramp rates in the range 0.3-0.7 K/s. Desorption activation energy of the β peak for different pre-implantation fluences was found using the Redhead analysis of the β peak shift. It varies from 0.97 eV for the sample that was not pre-implanted up to 1.3 eV for the sample pre-implanted with the fluence 10¹⁶ cm¯².
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 849-852
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Annealing on the Electrical Properties οf Cz-Si Wafers Previously Subjected to the Hydrogen Ion-Beam Treatment
Autorzy:
Fedotov, A.
Korolik, O.
Mazanik, A.
Kołtunowicz, T.
Żukowski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1503985.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uf
81.40.Ef
Opis:
The main goal of this work is to establish the influence of annealing on the properties of Cz-Si wafers previously subjected to the hydrogen ion-beam treatment at 25 or 300-350°C. It is demonstrated by the conducted study that, despite similarity in the effects of the hydrogen ion-beam treatment at different temperatures on some electrical properties of the wafers (photovoltage spectra, thermoelectromotive force sign), thermal stability of changes in these properties due to the hydrogen ion-beam treatment depends on the hydrogenation temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 108-110
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Micro-Raman Investigation of Hydrogen Localized in Cone-Shaped Defects Formed on the Silicon Wafer Surface
Autorzy:
Frantskevich, N.
Fedotov, A.
Frantskevich, A.
Mazanik, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1366278.pdf
Data publikacji:
2014-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Am
61.72.uf
Opis:
The goal of this work is the micro-Raman study of molecular hydrogen localized in cone-shaped defects, which are formed on the surface of previously helium implanted and annealed Czochralski Si wafers as a result of hydrogen plasma treatment. The line at ≈ 4158 $cm^{-1}$ corresponding to molecular hydrogen is observed in the Raman spectra when the laser beam is focused both on cone-shaped defects or defect-free regions of the surface. The laser irradiation of cone-shaped defects during micro-Raman experiments leads to intensity increase of this line when the irradiation time is increasing, with subsequent appearance of lines at ≈ 3621 and ≈ 3698 $cm^{-1}$ and simultaneous disappearance of 4158 $cm^{-1}$ line. No such effect was observed when the laser beam was focused on defect-free regions. The experiments have shown that heat treatment of the samples studied causes the appearance in the Raman spectra of lines at ≈ 3468, ≈ 3621, and ≈ 3812 $cm^{-1}$, which can be associated with molecular hydrogen.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1332-1334
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrochemical Characterization of the Powder Silicon Anodes Reinforced with Graphite Using Planetary Ball Milling
Autorzy:
Cetinkaya, T.
Cevher, O.
Tocoglu, U.
Guler, M.
Akbulut, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399947.pdf
Data publikacji:
2013-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uf
81.05.uf
81.20.Ev
82.45.Fk
82.47.Aa
Opis:
Mixed silicon/graphite anode materials were produced via mechanical milling process. The morphologies of mixed powders and electrodes were characterized via scanning electron microscopy and X-ray diffraction pattern. Electrochemical tests were performed by coin-type (CR2016) test cells. The cells were cyclically tested on a battery tester, and discharge capacities of produced anode materials were investigated with using constant current 300 mA/g over a voltage range of 80 mV-1.2 V.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 2; 393-395
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Formation of Cone-Shaped Inclusions and Line Defects on the Cz-Si Wafer Surface by the Helium Implantation and DC Nitrogen Plasma Treatment
Autorzy:
Frantskevich, N.
Mazanik, A.
Frantskevich, A.
Kołtunowicz, T.
Żukowski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1503982.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uf
73.20.Hb
Opis:
The general goal of this work is to investigate the defects formed on the surface of the Cz-Si wafers subjected to helium implantation, vacuum annealing and nitrogen plasma treatment. The performed scanning electron microscopy study has shown that in the general case two types of surface defects can be formed: cone-shaped inclusions with the base diameter of 0.2-2 μm and the ratio of diameter to height of approximately 1:1, as well as crystallographically oriented line defects with the length equal to 0.2-2 μm. The concentration of these defects depends on the conditions of implantation and plasma treatment.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 105-107
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Desorption Studies of $Ar^{+}$ Implanted Silicon
Autorzy:
Drozdziel, A.
Wojtowicz, A.
Turek, M.
Pyszniak, K.
Maczka, D.
Slowinski, B.
Yushkevich, Y.
Zuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1382778.pdf
Data publikacji:
2014-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.43.Vx
61.72.uf
Opis:
Thermal desorption spectrometry measurements were performed for Ar implanted Si samples. Implantation energy $E_{i}$ varied in the range 85-175 keV. The release of implanted Ar in two steps was observed in the temperature range 930-1300 K: the relatively narrow peak at lower temperature ( ≈ 930 K for implantation fluence 5 × $10^{16}$ $cm^{-2}$) is due to the release of Ar from the agglomerations (bubbles) while the broader peak observed for higher temperatures ( ≈ 950 K for implantation fluence 5 × $10^{16}$ $cm^{-2}$) comes from Ar atoms diffusing out of the sample. Inverse order of peaks is observed compared to the results for lower energy implantations (< 50 keV). Analyzing the thermal desorption spectra collected for different heating ramp rates enabled estimation of the desorption activation energy (2 eV for $E_{i}$ = 85 keV and 1.7 eV for $E_{i}$ = 115 keV).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1400-1403
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mikro- i ultrafiltracja ścieków garbarskich w półtechnicznej instalacji membranowej
Micro- and ultrafiltration of tannery effluents in a pilot scale membrane unit
Autorzy:
Rajewski, J.
Kowalik, A.
Kluziński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2070720.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
mikrofiltracja (MF)
ultrafiltracja (UF)
ścieki garbarskie
emulsje tłuszczowe
białka
microfiltration (MF)
ultrafiltration (UF)
tannery effluents
oils emulsions
proteins
Opis:
W pracy dokonano analizy metodyki oczyszczania ścieków garbarskich pod kątem możliwości usuwania emulsji tłuszczowych i białek zwierzęcych w póltechnicznej instalacji membranowej. Testowano moduły mikro- i ultrafiltracyjne, przedstawiony został skład przebadanych ścieków garbarskich oraz wyniki wstępnych badań mikro- i ultrafiltracji.
Analysis of removal of oil emulsions and proteins from tannery effluents in a new pilot scale membrane unit was made. Microfiltration and ultrafiltration modules were tested. A composition of real tannery effluents and initial results of microfiltration and ultrafiltration experiments are also presented.
Źródło:
Inżynieria i Aparatura Chemiczna; 2009, 5; 92-94
0368-0827
Pojawia się w:
Inżynieria i Aparatura Chemiczna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The influence of UF molar ration selected particleboard properties
Wpływ stosunku molowego żywicy UF na wybrane właściwości płyt wiórowych
Autorzy:
Frackowiak, I.
Warcok, F.
Fuczek, D.
Andrzejak, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/52601.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Drewna
Tematy:
particle board property
particle board
formaldehyde content
formaldehyde emission
urea-formaldehyde resin zob.UF resin
resin
UF resin
Opis:
This paper presents the preliminary research results of a project whose main objective is to quantify the impact of formulations and technological parameters on formaldehyde content in and emission from particleboards produced using urea-formaldehyde resin with a low molar ratio of F/U. The formaldehyde content reduction is possible by using a resin with a molar ratio of F/U of 1.065 hardened with 3% solution of urea and ammonium nitrate or a resin with a molar ratio of F/U of 0.96 to which 3% urea was added. For these variants, reductions by 22% and 21% respectively of formaldehyde content in particleboards were obtained, while at the same time, strength properties that meet the requirements of the EN-312: 2011 standard for P2 particleboards were maintained.
Przedstawiono wyniki badań pierwszego etapu projektu, którego głównym założeniem jest próba kwantyfikacji wpływu receptur i parametrów technologicznych na zawartość i emisję formaldehydu z płyt wiórowych wytwarzanych z zastosowaniem żywicy mocznikowo- formaldehydowej o niskim stosunku molowym F/U. Spośród przeprowadzonych badań wybrano dwa optymalne warianty. Pierwszy dotyczy żywicy o stosunku molowym F/U 1,065 utwardzanej roztworem saletrzano-mocznikowym w ilości 3%, drugi żywicy o stosunku molowym F/U 0,96 utwardzanej azotanem amonu dodanego w ilości 2% w stosunku do suchej masy kleju, do której dodano 3% mocznika. W obydwu wariantach uzyskano obniżenie zawartości formaldehydu w płycie odpowiednio o 22% oraz 21% przy jednoczesnym zachowaniu właściwości wytrzymałościowych spełniających wymagania normy EN-312: 2011 dla płyt wiórowych klasy P2.
Źródło:
Drewno. Prace Naukowe. Doniesienia. Komunikaty; 2011, 54, 186
1644-3985
Pojawia się w:
Drewno. Prace Naukowe. Doniesienia. Komunikaty
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Surface Properties of Me/Si Structures Prepared by Means of Self-Ion Assisted Deposition
Autorzy:
Tashlykov, I.
Żukowski, P.
Mikhalkovich, O.
Baraishuk, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1198974.pdf
Data publikacji:
2014-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uf
82.80.-d
62.20.Qp
Opis:
In this paper a composite structure, topography, wettability and nanohardness of a (100) Si surface modified by means of ion-assisted deposition of metal (Me) coatings in conditions of a self-irradiation are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1306-1308
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Density of States in Thin Boron-Doped Microcrystalline Silicon Films Estimated from the Thermally Stimulated Conductivity Method
Autorzy:
Dussan, A.
Schmidt, J.
Koropecki, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1207505.pdf
Data publikacji:
2014-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
73.61.Ga
61.72.uf
Opis:
In this work, a series of boron-doped microcrystalline silicon samples [μc-Si:H(B)] were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition, using silane $(SiH_4)$ diluted in hydrogen, and diborane $(B_2H_6)$ as a dopant gas. The concentration of $B_2H_6$ in $SiH_4$ was varied in the range of 0-100 ppm. The density of states was obtained from the thermally stimulated conductivity technique and compared with results obtained by the modulated photoconductivity methods. To explain the poor agreement between the density of states obtained from the thermally stimulated conductivity and the other methods, it is shown by means of numerical simulations that the density of states is very sensitive to experimental errors introduced in the calculation of the $μ_{n}τ_{n}$ product (mobility of electron × lifetime of the electron). The thermally stimulated conductivity method is applied here for the first time to calculate the density of defect states in the forbidden band of μc-Si:H samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 2; 174-176
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Improved Czochralski Growth of Germanium Single Crystals from a Melt Covered by Boron Oxide
Autorzy:
Taishi, T.
Yonenaga, I.
Hoshikawa, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399429.pdf
Data publikacji:
2013-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.Fq
61.72.Ff
61.72.uf
Opis:
In germanium (Ge) crystal growth, a serious problem in growing high quality Ge crystals is the formation of germanium-oxide-particles on the melt surface. In addition, B doping in Ge crystals is very difficult because of the segregation coefficient, which is greater than unity, and the instability of free B atoms in the Ge melt. We have found a unique solution, which is CZ-Ge crystal growth from a melt covered by boron oxide ($B_2O_3$). Ge crystals which are dislocation-free and/or oxygen-enriched can be grown by these improved CZ techniques. Current and planned research using such Ge crystals is introduced.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 2; 231-234
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of $Xe^{+}$ Irradiation on Topography and Wettability of Graphite Surface
Autorzy:
Tashlykov, I.
Turavets, A.
Zhukowski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1503997.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.uf
61.80.-x
68.37.Ps
Opis:
The investigation of influence of $Xe^{+}$ ions irradiation of graphite on its surface topography and wettability was conducted. With the increase of the irradiation dose, the roughness average increases rapidly at first (when the sample was irradiated at the dose of 1 × $10^{14} cm^{-2}$) and then decreases slowly. The atomic force microscopy three-dimensional pictures showed that after irradiation of graphite of $Xe^{+}$ ions with a dose of 3 × $10^{15} cm^{-2}$ hemispherical grains (from 0.2 to 0.8 μm in diameter) appear on its surface. Surface water contact angle measurement showed that irradiation of graphite by $Xe^{+}$ ions leads to a hydrophobic surface of graphite. We have observed that irradiation of graphite by $Xe^{+}$ ions can be used for obtaining graphite surface with desirable topography and water wettability.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 115-117
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of Ion Implantation for Intermediate Energy Levels Formation in the Silicon-Based Structures Dedicated for Photovoltaic Purposes
Autorzy:
Billewicz, P.
Węgierek, P.
Grudniewski, T.
Turek, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033759.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uf
71.55.Eq
88.40.hj
Opis:
The main aim of the research was to verify if it is possible to create the intermediate energy levels in silicon by means of ion implantation as well as to confirm whether the intermediate band could arise. The tests covered recording of conductance and capacitance of antimony-doped silicon, implanted with Ne⁺ ions. As a result, it was possible to identify a single deep level in the sample and determine its location in the band gap by estimating the value of activation energy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 274-277
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 37

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies