The thermal desorption spectrometry studies of krypton implanted Si samples are presented. Implantations (with the fluence 2×10¹⁶ cm¯²) were done with the energies 100, 150, and 200 keV. Additionally, a 200 keV and 100 keV Kr⁺G double implantation was performed. A sudden Kr release was observed in the ≈1100-1400 K range, most probably coming from the gas bubbles in cavities. The desorption activation energy varies from 2.5 eV (100 keV) to 0.8 (200 keV). The peak splitting suggests existence of two kinds of cavities trapping the implanted noble gas. Two Kr releases are observed for the 200 and 100 keV double-implanted samples. The peak shift of the release corresponding to 100 keV implantation could be a result of both introduced disorder and higher effective Kr concentration. The desorption activation energy is risen to ≈3.2 eV for both releases.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00