The thermal desorption spectroscopy measurements of He implanted silicon samples are reported. The He implantation energy was 90 keV (at 45° tilt) while the fluence was 10¹⁶ cm¯². Additionally, the influence of Si pre-implantation (fluences in the range 10¹⁴-10¹⁶ cm¯², E=260 keV) was under investigation. The He releases from both interstitials/vacancies (β peak) and cavities (α peak or rather band consisting probably of at least two peaks) were observed. The α peak disappears for the pre-implantation fluences larger than 10¹⁵ cm¯², while β peak becomes broader and shifts toward higher temperatures. The thermal desorption spectra were collected using heating ramp rates in the range 0.3-0.7 K/s. Desorption activation energy of the β peak for different pre-implantation fluences was found using the Redhead analysis of the β peak shift. It varies from 0.97 eV for the sample that was not pre-implanted up to 1.3 eV for the sample pre-implanted with the fluence 10¹⁶ cm¯².
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00