Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Silicon carbide" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 74
Tytuł:
Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristics simulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys
Autorzy:
Stęszewski, J.
Jakubowski, A.
Korwin-Pawlowski, M. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308627.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
silicon carbide
SiC MOSFET
4H-SiC
6H-SiC
Crosslight Apsys
Silvaco Atlas
Opis:
A set of physical models describing silicon carbide with fitting parameters is proposed. The theoretical I-V output and transfer characteristics and parameters of MOS transistors were calculated using Silvaco Atlas and Crosslight Apsys semiconductor device simulation environments.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 93-95
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characteristics and Applications of Silicon Carbide Power Devices in Power Electronics
Autorzy:
Kondrath, N.
Kazimierczuk, M. K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226774.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
silicon carbide (SiC)
SiC properties
high voltage
high-temperature
high-frequency applications
high-temperature electronics
wide energy band-gap semiconductors
Opis:
Silicon carbide materials, with its high mechanical strength, high thermal conductivity, ability to operate at high temperatures, and extreme chemical inertness to most of the electrolytes, are very attractive for high-power applications. In this paper, properties, advantages, and limitations of SiC and conventional Si materials are compared. Various applications, where SiC power devices are attractive, are discussed.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2010, 56, 3; 231-236
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Codeposition of SiC particles with electrolytic nickel
Współosadzanie cząstek SiC z niklem w procesie elektrolizy
Autorzy:
Dobosz, I.
Rudnik, E.
Burzyńska, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/351442.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
elektrochemia
kompozyt
nikiel
węglik krzemu
electrodeposition
composite
nickel
silicon carbide
Opis:
Ni/SiC composite coatings were produced by electrodeposition from chloride-sulphate bath. The effect of SiC concentration on the percentage of embedded particles at two current densities (0.75 and 1.50 Aźdm-2) was determined. SiC content in the nickel matrix was in the range of 13-23 vol%, but lower values were found for higher current density. Increased particles contents in the coatings practically did not change microhardness of deposits (approximately 300 HV), but it increased corrosion resistance. Morphology and particle distribution in the deposits was studied with optical and transmission electron microscopes. Specific surface charge of SiC particles as well as adsorption of Ni2+ions on the powder particles were also determined.
Powłoki kompozytowe Ni/SiC otrzymywano na drodze elektrolizy z zastosowaniem kąpieli chlorkowo-siarczanowej. Określono wpływ stężenia SiC na skład osadów katodowych uzyskiwanych przy dwóch gęstościach prądu (0.75 and 1.50 Aźdm-2). Udział SiC w osnowie niklowej wynosił 13-23 %obj., przy czym niższe zawartości stwierdzono w powłokach otrzymanych przy wyższej gęstości prądu. Wzrost zawartości fazy dyspersyjnej w osadach katodowych nie wpływa na mikrotwardość kompozytów (ok. 300 HV), następuje natomiast wzrost ich odporności korozyjnej. Morfologię powierzchni i rozkład cząstek dyspersyjnych w osnowie niklowej określano na podstawie obserwacji mikroskopowych. Wyznaczono ładunek powierzchniowy cząstek SiC oraz wielkość adsorpcji jonów Ni2+.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2011, 56, 3; 665-670
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparative investigation of SiC and Si power electronic devices operating at high switching frequency
Autorzy:
Zymmer, K.
Mazurek, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200057.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
semiconductor devices
silicon carbide
high frequency converters
Opis:
The paper presents results of measurements of the reverse recovery current and dynamic forward voltage of the silicon carbide (SiC) Schottky diodes operating at a 500 A/ěs current slope. These data were compared with the corresponding parameters determined for ultrafast silicon (Si) diodes. Results of power losses measurement in SiC Schottky diodes operating at switching frequency range of (10–200) kHz are presented and compared with corresponding data of ultrafast Si diodes. Also, results of power losses measurements in transistors of dc voltage switch are shown. Investigations were conducted with a SiC and the ultrafast Si freewheeling diode at the transistor switching frequency of 100 kHz. The results of measuring power losses dissipated in the dc converter with a SiC Schottky diode and the ultrafast silicon diode are also presented.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2011, 59, 4; 555-559
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
DC characteristics of the SiC Schottky diodes
Autorzy:
Janke, W.
Hapka, A.
Oleksy, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/202279.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
silicon carbide
Schottky diodes
static characteristics
high-temperature
Opis:
The isothermal and non-isothermal characteristics of silicon carbide Schottky diodes in the wide range of currents and ambient temperatures are investigated in this paper. The measurements of the diodes characteristics have been performed with the use of a pulse method, with fast registration of measurement points after the diode current turning on, or with the use of a fully static method, in which the self-heating phenomenon is taken into account. Apart from the measurements, the series of numerical experiments, giving the isothermal and non-isothermal characteristics as a result, were executed. The complex, accurate numerical procedures as well as simplified analytical calculations were implemented. A good conformity of all calculation and measurement results have been obtained. In the presented investigations, for relatively high currents and ambient temperatures, the influence of self-heating on the SiC Schottky diodes static characteristics is significant. The large (even 4 V for the ambient temperature 300.C ) values of voltages corresponding to the nominal diode currents have been observed.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2011, 59, 2; 183-188
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Research into properties of power electronics devices made of silicon carbide sic, in conditions of commutating current with high frequency
Badania właściwości przyrządów energoelektronicznych wykonanych na bazie węglika krzemu w warunkach komutacji prądu z wysoką częstotliwością
Autorzy:
Michalski, A.
Zymmer, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/158856.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
przyrząd półprzewodnikowy
węglik krzemu
wielka częstotliwość
semiconductor devices
silicon carbide
high frequency convertes
Opis:
The paper presents results of measurements of the reverse recovery current and dynamic forward voltage of the SiC Schottky diodes at a current variation slope in a device, of 500 A/ s. These data were compared with the corresponding parameters determined for ultrafast silicon diodes. Results of tests of power losses in diodes made of silicon carbide, at a current commutation frequency of (10 200) kHz are presented, comparing them with corresponding data determined for ultrafast silicon diodes. Test results of power losses in transistors constituting elements of d.c. voltage controllers are also shown. Investigations were conducted with an ultrafast SiC diode and with an ultrafast silicon diode at the transistor switching frequency of 100 kHz.
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów przejściowego prądu wstecznego oraz dynamicznego napięcia przewodzenia diod Schottky`ego wykonanych na bazie węglika krzemu - SiC. Pomiary przeprowadzono przy stromości zmian prądu wynoszącej 500 A/žs. Wyniki te porównano z odpowiednimi rezultatami uzyskanymi dla ultraszybkiej diody krzemowej o takich samych parametrach napięciowo-prądowych. Przedstawiono także wyniki pomiarów strat mocy generowanych w tych diodach w warunkach komutacji prądu z częstotliwością zmienianą w granicach (10 ÷ 200) kHz. Artykuł zawiera również wyniki badań strat mocy wydzielanych w tranzystorze kluczującym z częstotliwością 100 kHz. Wyniki te dotyczą przypadków współpracy tranzystora w procesie komutacji prądu z ultraszybką diodą krzemową oraz z diodą SiC.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2011, 253; 61-71
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ technologii na wybrane właściwości ceramiki z węglika krzemu (SiC)
Influence of technology on selected qualities of silicone carbide ceramic (SiC)
Autorzy:
Perkowski, K.
Osuchowski, M.
Witosławska, I.
Konopka, G.
Marciniak-Maliszewska, B.
Witek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/392075.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Ceramiki i Materiałów Budowlanych
Tematy:
ceramika techniczna
węglik krzemu
technika zagęszczania
właściwości mechaniczne
technical ceramics
silicon carbide
consolidation method
mechanical characteristics
Opis:
Przedstawiono wstępne prace dotyczące określenia wpływu procesów jednostkowych na wybrane właściwości ceramiki z węglika krzemu (SiC), otrzymanej z wykorzystaniem różnych technik zagęszczania. Uzyskano następujące serie próbek SiC: prasowane jednoosiowo dwustronnie oraz spiekane; prasowane jednoosiowo dwustronnie i dodatkowo zagęszczane izostatycznie na zimno (Cool Isostatic Press), a następnie spiekane swobodnie; prasowane jednoosiowo dwustronnie oraz spiekane, a następnie prasowane izostatycznie na gorąco (Hot Isostatic Press). W wyniku przeprowadzonych badań została określona wytrzymałość na zginanie kształtek SiC, poddanych różnym procesom zagęszczania. Dodatkowe zagęszczanie izostatyczne spowodowało znaczny wzrost wytrzymałości mechanicznej spiekanych próbek SiC oraz zmniejszenie wielkości krystalitów niektórych faz badanego materiału.
We present introduction works which main goal is determination of influence unitary processes on selected properties silicon carbide (SiC) ceramics, that were obtained using different techniques of compaction. We obtained following series of silicon carbide samples (SiC): pressed uniaxial bilateral and next sintering, the second series - pressed uniaxial bilateral and additionally pressed cool isostatic press before sintering, the last series - pressed uniaxial bilateral, sintering and pressing isostatic in high temperature (Hot Isostatic Press). As a result of the study was determined the flexural strenght of samples obtained differences ways. Additional isostatic press process caused rise of flexural strenght of sintering samples SiC and reduction crystallite sizes for some phases of the test material.
Źródło:
Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych; 2011, R. 4, nr 7, 7; 22-36
1899-3230
Pojawia się w:
Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of Silicon Carbide Chills in Controlling the Solidification Process of Casts Made of IN-713C Nickel Superalloy
Autorzy:
Szeliga, D.
Kubiak, K.
Cygan, R.
Ziaja, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/379538.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
silicon carbide
precision casting
porosity
nickel superalloy
węglik krzemu
odlewanie precyzyjne
porowatość
Opis:
The paper presents the method of manufacturing casts made of the IN-713C nickel superalloy using the wax lost investment casting process and silicon carbide chills. The authors designed experimental casts, the gating system and selected the chills material. Wax pattern, ceramic shell mould and experimental casts were prepared for the purposes of research. On the basis of the temperature distribution measurements, the kinetics of the solidification process was determined in the thickened part of the plate cast. This allowed to establish the quantity of phase transitions which occurred during cast cooling process and the approximate values of liquidus, eutectic, solidus and solvus temperatures as well as the solidification time and the average value of cast cooling rate. Non-destructive testing and macroscopic analysis were applied to determine the location and size of shrinkage defects. The authors present the mechanism of solidification and formation of shrinkage defects in casts with and without chills. It was found that the applied chills influence significantly the hot spots and the remaining part of the cast. Their presence allows to create conditions for solidification of IN-713C nickel superalloy cast without shrinkage defects.
Źródło:
Archives of Foundry Engineering; 2012, 12, 2s; 105-111
1897-3310
2299-2944
Pojawia się w:
Archives of Foundry Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of the mechanical alloying process on the sintering behaviour of Astaloy CrM powder mixture with silicon carbide addition
Wpływ procesu stopowania mechanicznego na zjawiska zachodzące podczas spiekania proszku Astaloy CrM modyfikowanego dodatkiem węglika krzemu
Autorzy:
Hebda, M.
Gądek, S.
Kazior, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/354278.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
stopowanie mechaniczne
Astaloy
węglik krzemu
stale dwufazowe
mechanical alloying
Astaloy CrM
silicon carbide
dilatometric analysis
mass spectrometry analysis
Opis:
Due to an excellent combination of toughness and strength, bainitic-austenitic dual phase steels with silicon addition have many applications in the industry. However, silicon has a high affinity to oxygen and, therefore, its introduction to the alloy is problematic during the classical sintering processes of mixing powders. Mechanical alloying (MA) offers one of the most attractive alternatives to the introduction of silicon to Astaloy CrM powders. The aim of the present study was to determine the influence of the MA process on changes in particle size distribution, work hardening and sintering behaviour of the investigated powder mixture - Astaloy CrM powder with the addition of 2 wt.% stearic acid and 2 wt.% silicon carbide alloyed under different conditions. The practical aspect of this study was to develop and apply a common and inexpensive method of die-pressing to compact a powder mixture prepared by the MA process.
Dwufazowe stale bainityczno-austenityczne ze względu na swoje właściwości wytrzymałościowe i plastyczne maja coraz szersze zastosowanie w przemyśle. Jednakże wprowadzanie do składu mieszanek dodatku krzemu nastręcza wiele problemów technologicznych podczas klasycznego spiekania materiałów proszkowych m.in. poprzez duże powinowactwo tego pierwiastku do tlenu. Proces mechanicznego stopowania oferuje jedno z alternatywnych rozwiązań wprowadzenia krzemu do niskostopowych proszków Astaloy CrM. W pracy przedstawiono wyniki badan wpływu procesu mechanicznego stopowania na zmiany wielkości cząstek proszku, ich utwardzenie oraz efekty zachodzące podczas spiekania mieszanek: Astaloy CrM z dodatkiem 2% wg kwasu stearynowego.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2012, 57, 3; 733-743
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A current-source concept for fast and efficient driving of silicon carbide transistors
Autorzy:
Rąbkowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/141047.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
silicon carbide transistors
gate drivers
current-source
switching process
Opis:
The paper discusses the application of the current-source concept in the gate drivers for silicon carbide transistors. There is a common expectation that all SiC devices will be switched very fast in order to reach very low values of switching energies. This may be achieved with the use of suitable gate drivers and one of possibilities is a solution with the current source. The basic idea is to store energy in magnetic field of a small inductor and then release it to generate the current peak of the gate current. The paper describes principles of the current-source driver as well as various aspects of practical implementation. Then, the switching performance of the driven SiC transistors is illustrated by double-pulse test results of the normally-ON and normally-OFF JFETs. Other issues such as problem of the drain-gate capacitance and power consumption are also discussed on the base of experimental results. All presented results show that the currentsource concept is an interesting option to fast and efficient driving of SiC transistors.
Źródło:
Archives of Electrical Engineering; 2013, 62, 2; 333-343
1427-4221
2300-2506
Pojawia się w:
Archives of Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Formation of Cr ohmic contact on graphitized 6H-SiC(0001) surface
Autorzy:
Grodzicki, M
Mazur, P
Wasielewski, R
Ciszewski, A
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173424.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
silicon carbide
chromium
electric contacts
graphitization
Opis:
Ohmic electrical contacts were formed at room temperature on n-type, Si-oriented 6H-SiC substrates, with Cr layers vapor-deposited under ultra-high vacuum conditions on the samples being graphitized prior to the deposition. The contacts reveal a very good linearity of the local I–V characteristics. This method of ohmic contact formation does not require the use of samples with high doping concentration and the application of high-temperature annealing during the processing of contacts. Results of characterization of the contacts and of the in situ graphitization process of the SiC substrates, obtained by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), low energy electron diffraction (LEED) and atomic force microscopy (AFM) with conducting tip, are given in this paper.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 91-98
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Materiały ceramiczne stosowane w osłonach balistycznych
Ceramic materials for armor applications
Autorzy:
Cegła, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/236101.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Wojskowy Instytut Techniczny Uzbrojenia
Tematy:
pancerz ceramiczny
tlenek glinu
węglik krzemu
węglik boru
twardość
odporność na pękanie
ceramic armor
alumina
silicon carbide
boron carbide
hardness
fracture toughness
Opis:
W artykule przedstawiono rozwój pancerzy ceramicznych oraz rolę ceramiki w nowoczesnym pancerzu kompozytowym. Materiały ceramiczne posiadają wyjątkowe właściwości, dzięki którym są z powodzeniem stosowane jako elementy pancerza. Są to niska gęstość, wysoka twardość oraz zdolność do rozpraszania energii poprzez mechanizm kruchego pękania. Pozwala to na zwiększenie odporności pancerza na działanie pocisków przeciwpancernych przy jednoczesnym obniżeniu jego masy powierzchniowej w porównaniu z tradycyjnymi osłonami stalowymi. W artykule omówiono i porównano główne materiały ceramiczne stosowane na osłony balistyczne; tlenek glinu, węglik krzemu, węglik boru oraz kilka innych. Wymieniono i opisano właściwości tych materiałów oraz ich wpływ na odporność balistyczną.
This overview briefly discusses the development of ceramic armor and the role of ceramic materials in modern composite armor systems. Ceramics possess exceptional characteristics such as low density, high hardness and good ability to dissipate energy through fracture, which make them suitable for defeating armor piercing projectiles and at the same time reducing the areal density of the armor system, comparing to traditional steel armors. Due to high penetrating capabilities of modern AP projectiles, ceramic materials will continue to play a significant role in ballistic protection. Main materials such as Alumina, Silicon Carbide, Boron Carbide and few others are characterized and compared. Properties of ceramic materials and their influence on ballistic performance are listed and described.
Źródło:
Problemy Techniki Uzbrojenia; 2014, 43, 131; 19-25
1230-3801
Pojawia się w:
Problemy Techniki Uzbrojenia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Przetwórstwo zaawansowanych materiałów otrzymanych z proszków na osnowie aluminium
Processing of advanced aluminum based PM materials
Autorzy:
Szczepanik, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/211352.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Obróbki Plastycznej
Tematy:
proszki aluminium i stopów aluminium
kompozyty na osnowie aluminium
cząstki węglika krzemu
wyciskanie
ciągnienie
umacnianie
właściwości mechaniczne
aluminum and aluminum alloys powders
composites with an alumnium matrix
silicon carbide particles
extrusion
drawing
reinforcing
mechanical properties
Opis:
Zastosowanie metod metalurgii proszków w połączeniu z procesami przeróbki plastycznej umożliwia wytworzenie nowych materiałów konstrukcyjnych. Materiały gradientowe i kompozytowe na osnowie aluminium stanowią unikalny typ tworzyw konstrukcyjnych. Materiały gradientowe stanowią grupę kompozytów wytworzonych z dwóch lub więcej składników, które mają zmienny skład chemiczny w określonym kierunku. Uzyskuje się w ten sposób zmianę własności mechanicznych lub fizycznych w tym kierunku oraz określone własności eksploatacyjne i użytkowe wyrobu. Daje to duże możliwości rozwiązań przy projektowaniu i wytwarzania strukturalnych wyrobów. Specjalną grupę materiałów konstrukcyjnych stanowią kompozyty na osnowie metalowej umocnione cząstkami celem poprawy sztywności, wytrzymałości i własności użytkowych, do których należy odporność na zużycie. Do kompozytów na osnowie proszku aluminium umocnionych cząstkami stosuje się wyciskanie lub prasowanie na gorąco. Przedstawiono wyniki badań wpływu przeróbki plastycznej warstwowych materiałów gradientowych na osnowie proszku aluminium, a także wyprasek z proszku aluminium i kompozytów na jego umocnionych cząstkami (Al-SiC). Proces wytwarzania obejmował mieszanie proszków, prasowanie w temperaturze otoczenia i kucie matrycowe lub wyciskanie na gorąco wyprasek w warunkach izotermicznych. Zbadano wpływ parametrów formowania na gorąco na własności mechaniczne tak wytworzonych materiałów jak również wpływ wyciskania i ciągnienia na granicę plastyczności kompozytu Al-10% SiC i materiału osnowy. W wyniku ciągnienia zwiększyła się granica plastyczności kompozytu ze 115 MPa na 138 MPa, a naprężenie płynięcia zwiększyło się ze 150 MPa na 185 MPa przy odkształceniu wynoszącym 0,75.
PM processing routes for construction materials include those for gradient and composite materials based on aluminium. Gradient materials are a type of composite, formed from two or more distinct constituents, which exhibit a graded composition. Thus one material appears to transform to another, producing gradual changes in characteristics and resultant new exploitable functional properties. Accordingly these materials extend the range of structural components. PM metal matrix particulate composites are developed to improve stiffness, strength and specific properties such as wear resistance. Hot pressing (consolidation) and hot extrusion are suitable for PM Al matrix particulate composites. In the presentation the results of investigation on processing of PM aluminium alloy based gradient materials, and aluminium and Al-SiCparticle composite processed by hot forming and drawing, are discussed. Forming of materials from aluminium powder and mixtures of this powder and silicon carbide particles or Al- alloy powder and processing of two-layer products based on these materials are considered. Forming involved mixing of basic powders, pressing at room temperature and hot closed-die forging of the compacts in isothermal conditions. The influence of hot forming parameters on the mechanical properties of Al and the composite materials was evaluated. Extrusion and drawing of Al-10%SiC increased the yield stress from 115 to 138 MPa and the flow stress at 0.75 strain from 150 to 185 MPa.
Źródło:
Obróbka Plastyczna Metali; 2014, 25, 1; 53-64
0867-2628
Pojawia się w:
Obróbka Plastyczna Metali
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie właściwości elementów mocy z węglika krzemu w zastosowaniach układowych
Studies of silicon carbide power devices properties in application circuits
Autorzy:
Łykowski, A.
Szewczyk, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/268568.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
przetwornica impulsowa
węglik krzemu
silicon carbide power devices
switching converter
Opis:
W artykule prezentowane są wyniki badania właściwości elementów SiC w zastosowaniach układowych. Do celów pomiarowych zaprojektowano układ przetwornicy realizujący konfigurację buck oraz boost z elementami aktywnymi z SiC oraz z krzemu, jako elementami referencyjnymi. Układ przetwornicy był badany dla różnych zestawów elementów, konfiguracji i parametrów pracy.
The paper presents results of study on Silicon Carbide power devices applications in circuits. For this purpose the model of switching converter was designed and fabricated. The model allows application of both, buck and boost architecture. As a reference elements, typical silicon power devices were used. For SiC and Si devices the efficiency and disturbance level was measured. For boost architecture the highest efficiency was noticed for SiC devices, while for bust architecture the efficiency for those devices was lower. For both cases generated disturbances were lowest while Silicon carbide devices were used.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2015, 46; 73-76
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparison of numerical and experimental study of armour system based on alumina and silicon carbide ceramics
Autorzy:
Chabera, P.
Boczkowska, A.
Morka, A.
Kędzierski, P.
Niezgoda, T.
Oziębło, A.
Witek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/202054.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
ballistic performance
numerical simulation
armour
alumina ceramic
silicon carbide ceramic
ceramic-elastomer composites
wydajność balistyczna
symulacja numeryczna
zbroja
kompozyt ceramika-elastomer
Opis:
The main goal of this numerical and experimental study of composite armour systems was to investigate their ballistic behaviour. Numerical simulations were employed to determine the initial dimensions of panel layers before the actual ballistic test. In order to achieve this aim, multivariate computations with different thicknesses of panel layers were conducted. Numerical calculations were performed with the finite element method in the LS-DYNA software, which is a commonly used tool for solving problems associated with shock wave propagation, blasts and impacts. An axisymmetric model was built in order to ensure sufficient discretization. Results of a simulation study allowed thicknesses of layers ensuring assumed level of protection to be determined. According to the simulation results two armour configurations with different ceramics have been fabricated. The composite armour systems consisted of the front layer made of Al2O3 or SiC ceramic and high strength steel as the backing material. The ballistic performance of the proposed protective structures were tested with the use of 7.62 mm Armour Piercing (AP) projectile. A comparison of impact resistance of two defence systems with different ceramic has been carried out. Application of silicon carbide ceramic improved ballistic performance, as evidenced by smaller deformations of the second layer. In addition, one of armour systems was complemented with an intermediate ceramic-elastomer layer. A ceramic-elastomer component was obtained using pressure infiltration of gradient porous ceramic by elastomer. Upon ballistic impact, the ceramic body dissipated kinetic energy of the projectile. The residual energy was absorbed by the intermediate composite layer. It was found, that application of composite plates as a support of a ceramic body provided a decrease of the bullet penetration depth.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2015, 63, 2; 363-367
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 74

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies