The paper presents results of measurements of the reverse recovery current and dynamic forward voltage of the silicon carbide (SiC) Schottky diodes operating at a 500 A/ěs current slope. These data were compared with the corresponding parameters determined for ultrafast silicon (Si) diodes. Results of power losses measurement in SiC Schottky diodes operating at switching frequency range of (10–200) kHz are presented and compared with corresponding data of ultrafast Si diodes. Also, results of power losses measurements in transistors of dc voltage switch are shown. Investigations were conducted with a SiC and the ultrafast Si freewheeling diode at the transistor switching frequency of 100 kHz. The results of measuring power losses dissipated in the dc converter with a SiC Schottky diode and the ultrafast silicon diode are also presented.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00