Ohmic electrical contacts were formed at room temperature on n-type, Si-oriented 6H-SiC substrates, with Cr layers vapor-deposited under ultra-high vacuum conditions on the samples being graphitized prior to the deposition. The contacts reveal a very good linearity of the local I–V characteristics. This method of ohmic contact formation does not require the use of samples with high doping concentration and the application of high-temperature annealing during the processing of contacts. Results of characterization of the contacts and of the in situ graphitization process of the SiC substrates, obtained by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), low energy electron diffraction (LEED) and atomic force microscopy (AFM) with conducting tip, are given in this paper.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00