Temat: SOI - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: A model of partially-depleted SOI MOSFETs in the subthreshold range
Autorzy:: Tomaszewski, D.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Domański, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308425.pdf
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: SOI MOSFET
subthreshold range
floating body
transconductance
Opis:: A steady-state model of partially-depleted (PD) SOI MOSFETs I-V characteristics in subthreshold range is presented. Phenomena, which must be accounted for in current continuity equation, which is a key equation of the PD SOI MOSFETs model are summarized. A model of diffusion-based conduction in a weakly-inverted channel is described. This model takes into account channel length modulation, drift of carriers in the "pinch-off" region and avalanche multiplication triggered by these carriers. Characteristics of the presented model are shown and briefly discussed.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 61-64
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs
Autorzy:: Tomaszewski, D.
Łukasik, L.
Zaręba, A.
Jakubowski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/309325.pdf
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: SOI MOSFET
small-signal models
non-quasi-static analysis
admittances
Opis:: A non-quasi-static model of partially-depleted SOI MOSFETs is presented. Phenomena, which are particularly responsible for dependence of device admittances on frequency are briefly described. Several C-V characteristics of the SOI MOSFET calculated for a wide range of frequencies, preliminary results of numerical analysis and of measurements and brief analysis of the results are presented. Methods of model improvement are proposed.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 67-71
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: An impact of physical phenomena on admittances of partially-depleted SOI MOSFETs
Autorzy:: Tomaszewski, D.
Łukasiak, L.
Gibki, J.
Jakubowski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308410.pdf
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: SOI MOSFET
floating body
avalanche ionization
recombination
displacement current
admittance
Opis:: An influence of the selected physical phenomena: impact ionization in silicon and time variation of internal electric field distribution in partially-depleted (PD) SOI MOSFETs on several C-V characteristics of these devices is presented. The role of avalanche multiplication in the so-called "pinch-off" region is discussed in a more detailed way. The analysis is done using a numerical solver of drift-diffusion equations in silicon devices and using an analytical model of the PD SOI MOSFETs. The calculations results exhibit the significance of proper modelling of the phenomena in the floating body area of these devices.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 57-60
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: An improved effective index method for planar multimode waveguide design on an silicon-on-insulator (SOI) platform
Autorzy:: Le, T T
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/174442.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: multimode interference (MMI)
silicon-on-insulator (SOI)
effective index method (EIM)
Opis:: In this paper, an improved effective index method (EIM) for designing planar multimode waveguides on the silicon-on-insulator (SOI) platform is presented. The proposed method predicts the evolution of the fields more accurately than the conventional effective index method. This improved method is particularly suited to the design of multimode interference (MMI) couplers.
Źródło:: Optica Applicata; 2013, 43, 2; s. 271-277
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:: Optica Applicata
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Assessment of selected technical parameters of soya seeds oil pressing process
Ocena wybranych parametrów technicznych procesu tłoczenia oleju z nasion soi
Autorzy:: Panasiewicz, M.
Mazur, J.
Nadulski, R.
Zawiślak, K.
Kobus, Z.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/93935.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Inżynierii Rolniczej
Tematy:: oil pressing
soya
seeds
parameters of process
conditions of process
performance
tłoczenie oleju
nasiona soi
parametry procesu
warunki procesu
wydajność
Opis:: The objective of the paper was to determine the impact of the value of the oil pressing pressure with the cold pressing method in a screw press on the pressing course and performance. Varied values of pressure were obtained through the use of three replaceable attachments of the pressing unit with a varied diameter of the outlet conduit (ф1=2 mm, ф2=4 mm and ф3=6 mm). The soya oil pressing process perfor-mance was determined in relation to the applied attachment and the soya cultivar. Seeds of 7 Polish non-genetically modified soya cultivars constituted research material. It was proved that both variable pressure values and the used soya cultivars have impact on the pressing performance. Based on the analysis of the obtained research results it was proved that varied technical parameters and soya cultivars influence both the process performance and the remaining parameters and pressing conditions.
Celem pracy było określenie wpływu zmiennych wartości ciśnienia wytłaczania oleju metodą tłoczenia na zimno w prasie ślimakowej na przebieg i wydajność tłoczenia. Zróżnicowane wartości ciśnienia uzyskiwano poprzez zastosowanie trzech wymiennych końcówek zespołu tłoczącego o różnej średnicy kanału wylotowego (ф1=2 mm, ф2=4 mm i ф3=6 mm). Określano wydajność procesu tłoczenia oleju sojowego w zależności od zastosowanej końcówki oraz odmiany soi. Materiałem do badań były nasiona 7 polskich odmian soi niemodyfikowanej genetycznie. Wykazano, iż wpływ na efektywność wytłaczania mają zarówno zmienne wartości ciśnienia jak i wykorzystane odmiany soi. W oparciu o analizę uzyskanych wyników badań potwierdzono, iż zróżnicowane parametry techniczne i odmiany soi mają wpływ zarówno na wydajność tego procesu, jak i jego pozostałe parametry i warunki tłoczenia.
Źródło:: Agricultural Engineering; 2017, 21, 3; 61-68
2083-1587
Pojawia się w:: Agricultural Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Capacitance/Resistance Modeling and Analog Performance Evaluation of 3-D SOI FinFET Structure for Circuit Perspective Applications
Autorzy:: Jain, Neeraj
Raj, Balwinder
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1159723.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:: CMOS
Integrated Circuits
Parasitic Capacitance
Parasitic Resistance
SOI FinFET
Opis:: This paper explores the capacitance and resistance modeling of 3-D (dimensional) SOI FinFET structure and circuit implementation approach is done for the utility of SOI FinFET structure. The scaling of the FinFET structure is continuously ongoing and increased parasitic and resistance affects the circuit level performance of SOI FinFET in ICs (Integrated Circuits) below 20 nm technology node. A geometrical-based analysis is done to get the optimized parasitic capacitance and resistance model and validity of the model is verified by three-dimensional (3-D) field solver Synopsys Raphael software. For utility of the developed model, some circuit implementation is done in h-spice simulation environment.
Źródło:: World Scientific News; 2018, 113; 194-209
2392-2192
Pojawia się w:: World Scientific News
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Challenges for 10 nm MOSFET process integration
Autorzy:: Östling, M.
Malm, B. G.
Haartman, M.
Hallstedt, J.
Zhang, Z.
Hellström, P. E.
Zhang, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/309004.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: sstrained silicon
silicon-germanium
silicon-on-insulator (SOI)
high-k dielectrics
hafnium oxide
nanowire
low frequency noise
mobility
metal gate
Opis:: An overview of critical integration issues for future generation MOSFETs towards 10 nm gate length is presented. Novel materials and innovative structures are discussed. The need for high-k gate dielectrics and a metal gate electrode is discussed. Different techniques for strain-enhanced mobility are discussed. As an example, ultra thin body SOI devices with high mobility SiGe channels are demonstrated.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 25-32
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies
Autorzy:: Gibki, J.
Kątcki, J.
Ratajczak, J.
Łukasik, L.
Jakubowski, A.
Tomaszewski, D.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/309219.pdf
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: microelectronics
SOI technology
characterization
Opis:: SOI fabrication process was characterized using electrical and TEM methods. The investigated SOI structures included partially and fully depleted capacitors, gated diodes and transistors fabricated on SIMOX substrates. From C-V and I-V measurements of gated diodes, the following parameters of partially depleted structures were determined: doping concentration in both n- and p-type regions, average carrier generation lifetimes in the region under the gate and generation velocity at top and bottom surfaces of the active layer. Structures with short lifetime were studied using a transmission electron microscope. TEM studies indicate that the quality of the active layer in the investigated structures is good. Moreover, these studies were used to verify the thicknesses determined by means of electrical characterization methods.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 81-83
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Characterization of SOI MOSFETs by means of charge-pumping
Autorzy:: Głuszko, G.
Szostak, S.
Gottlob, H.
Lemme, M.
Łukasiak, L.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308671.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: charge-pumping
electrical characterization
interface traps
SOI MOSFET
Opis:: This paper presents the results of charge-pumping measurements of SOI MOSFETs. The aim of these measurements is to provide information on the density of interface traps at the front and back Si-SiO2 interface. Three-level charge-pumping is used to obtain energy distribution of interface traps at front-interface.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 67-72
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities
Autorzy:: Głuszko, G.
Łukasiak, L.
Kilchytska, V.
Chung, T. M.
Olbrechts, B.
Flandrie, D.
Raskin, J. P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308669.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: charge-pumping
electrical characterization
interface traps
SOI
water bonding
Si layer transfer
Opis:: The quality of the silicon-buried oxide bonded interface of SOI devices created by thin Si film transfer and bonding over pre-patterned cavities, aiming at fabrication of DG and SON MOSFETs, is studied by means of chargepumping (CP) measurements. It is demonstrated that thanks to the chemical activation step, the quality of the bonded interface is remarkably good. Good agreement between values of front-interface threshold voltage determined from CP and I-V measurements is obtained.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 61-66
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: CMOS Readout Circuit Integrated with Ionizing Radiation Detectors
Autorzy:: Szymański, A.
Obrębski, D.
Marczewski, J.
Tomaszewski, D.
Grodner, M.
Pieczyński, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/226502.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: readout electronics
ASIC
SOI
ionizing radiation detectors
Opis:: This paper describes the work performed in ITE on integration in one CMOS chip the ionizing radiation detectors with dedicated readout electronics. At the beginning, some realizations of silicon detectors of ionizing radiation are presented together with most important issues related to these devices. Next, two developed test structures for readout electronics are discussed in detail together with main features of non-typical silicon proces deployed.
Źródło:: International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 1; 117-124
2300-1933
Pojawia się w:: International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs
Autorzy:: Goffioul, M.
Dambrine, G.
Vanhoenacker, D.
Raskin, J.P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/309323.pdf
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: microelectronics
microwave devices
SOI MOSFET
Opis:: The high frequency performances including microwave noise parameters for sub-quarter micron fully- (FD and partially-depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI) n-MOSFETs are described and compared. Direct extraction techniques based on the physical meaning of each small-signal and noise model element are used to extract the microwave characteristics of various FD and PD SOI n-MOSFETs with different channel lenghts and widths. TiSi2 silicidation process has been demonstrated very efficient to reduce the sheet and contact resistances of gate, source and drain transistor regions. 0.25 žm FD SOI n-MOSFETs with a total gate width of 100 žm present a state-of-the-art minimum noise figure of 0.8 dB and high associated gain of 13 dB at 6 GHz for V(ds) = 0.75 V and P(dc) < 3 mW. A maximum extrapolated oscillation frequency of about 70 GHz has been obtained at V(ds) = 1 V and J(ds) = 100 mA/mm. This new generation of MOSFETs presents very good analogical and digital high speed performances with a low power consumption which make them extremely attractive for high frequency portable applications such as the wireless communications.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 72-80
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Direct extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for sub-quarter micron SOI MOSFETs
Autorzy:: Goffioul, M.
Vanhoenacker, D.
Raskin, J.P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/309316.pdf
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: microelectronics
microwave devices
SOI MOSFET
Opis:: Original extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for SOI MOSFETs are presented. The characterization method combines careful design of probing and calibration structures, rigorous in situ calibration and a powerful direct extraction method. The proposed characterization procedure is directly based on the physical meaning of each small-signal behavior of each model parameter versus bias conditions, the high frequency equivalent circuit can be simplified for extraction purposes. Biasing MOSFETs under depletion, strong inversion and saturation conditions, certain technological parameters and microwave small-signal elements can be extracted directly from the measured S-parameters. These new extraction techniques allow us to understand deeply the behavior of the sub-quarter micron SOI MOSFETs in microwave domain and to control their fabrication process.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 59-66
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Effects of storage conditions on formation of free radicals in soybean extract – an EPR spectroscopy study
Wpływ warunków przechowywania wyciągu z nasion soi na generowanie wolnych rodników – badania z zastosowaniem spektroskopii EPR
Autorzy:: Jarco, Sylwia
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1035903.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Śląski Uniwersytet Medyczny w Katowicach
Tematy:: soybean extract
free radicals
epr spectroscopy
wyciąg z nasion soi
wolne rodniki
spektroskopia epr
Opis:: OBJECTIVE: Soybean extract is a valuable food supplement used for the prevention of cancer and other purposes. The role of free radicals in carcinogenesis has been proven. Studies have also confirmed the effect of storage conditions on the formation of free radicals in natural medicinal products. The study presents an attempt to optimize the storage conditions of soybean extract to prevent the formation of free radicals. AIM OF THE STUDY: The aim of the study was to determine the effect of temperature and UV radiation on the formation of free radicals in soybean extract during storage. MATERIAL AND METHODS: Samples of soybean extract were heated to temperatures of 30, 40 and 50°C. Subsequent samples were exposed to UV radiation (wavelengths 315–400 nm) for 30 and 60 minutes. EPR (electron paramagnetic resonance) spectroscopy was used to analyse the amplitude and linewidth of the EPR signal and to calculate the concentration of free radicals in the samples. RESULTS: At a room temperature of 25°C and in the absence of light, no EPR signal was recorded for the tested samples. Heating and exposure to UV light caused the formation of free radicals in the samples. The highest concentration of free radicals was found in the sample exposed to UV light for 60 minutes, while the lowest was in the sample heated to 30°C. CONCLUSIONS: The use of EPR spectroscopy enabled the identification of optimal storage conditions for soybean extract, i.e. 25°C and darkness.
WSTĘP: Cennym uzupełnieniem diety jest wyciąg z nasion soi, wykorzystywany między innymi w profilaktyce nowotworów. Udział wolnych rodników w procesach karcynogenezy został udowodniony. Badania potwierdzają wpływ warunków przechowywania naturalnych środków leczniczych na zachodzące w nich zjawiska wolnorodnikowe. W pracy podjęto próbę optymalizacji warunków przechowywania wyciągu z nasion soi, aby zapobiec powstawaniu w nim wolnych rodników. CEL PRACY: Celem pracy było określenie wpływu temperatury i promieniowania UV na generowanie wolnych rodników w wyciągu z nasion soi w trakcie przechowywania. MATERIAŁ I METODY: Próbki z wyciągiem z nasion soi ogrzewano w temperaturach 30, 40 i 50°C. Kolejne próbki naświetlano promieniowaniem UV (długość fali 315–400 nm) przez 30 i 60 minut. Wykorzystano spektroskopię EPR (elektron paramagnetic resonance), analizując amplitudę i szerokość linii EPR oraz obliczając koncentrację wolnych rodników w próbkach. WYNIKI: W temperaturze pokojowej 25°C oraz przy braku dostępu światła nie rejestrowano sygnału EPR dla testowanych próbek. Ogrzewanie próbek oraz ekspozycja na promieniowanie UV powodowały pojawienie się w nich wolnych rodników. Największą koncentrację wolnych rodników stwierdzono w próbce naświetlanej UV przez 60 minut, najniższe zaś w próbce ogrzanej do 30°C. WNIOSKI: Wykorzystanie spektroskopii EPR pozwoliło na ustalenie optymalnych warunków przechowywania wyciągu z nasion soi, którymi są temperatura 25°C oraz brak dostępu światła.
Źródło:: Annales Academiae Medicae Silesiensis; 2017, 71; 217-224
1734-025X
Pojawia się w:: Annales Academiae Medicae Silesiensis
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Emergency medical services in CBRNE/HAZMAT incidents
Ratownictwo medyczne w zdarzeniach CBRNE/HAZMAT
Autorzy:: Trzos, Arkadiusz
Łyziński, Karol
Jurowski, Kamil
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2060834.pdf
Data publikacji:: 2019
Wydawca:: Centrum Naukowo-Badawcze Ochrony Przeciwpożarowej im. Józefa Tuliszkowskiego
Tematy:: CBRNE
HAZMAT
Personal Protective Equipment (PPE)
PRM system
środki ochrony indywidualnej (ŚOI)
system PRM
Opis:: Aim: The purpose of the study is to work out a new emergency medical service (EMS) tactic to be employed in CBRNE/HAZMAT incidents, which would allow performing emergency medical procedures in the area so far inaccessible to the State Emergency Medical System (Polish abbreviation: PRM). Project and methods: Incidents involving new hazardous materials, especially terrorist ones, demand emergency services to be well prepared in order to respond accordingly. Latest technological advances regarding both personal protective equipment (PPE) for preventing contamination and respiratory protection equipment bring effective and safe methods of medical professionals’ protection at every stage of rescue operations being performed. The research study was conducted in 2016–2018 and its main focus was on providing medical care at all stages of rescue operations. The CBRNE/HAZMAT incident procedures of the State Emergency Medical System (PRM), the National Firefighting and Rescue System (KSRG), the Bureau of Anti-Terrorist Operations of the National Police Headquarters (BOA KGP) and the Epidemiological Response Centre of the Polish Armed Forces (CRESZ) were thoroughly analysed. An analysis of procedural shortcomings within rescue operations of all services was also conducted. In addition, the PPE for preventing contamination and the respiratory protection equipment that is used by various emergency services and may also be applied within PRM operations was thoroughly examined. Results: Based on the study, a new EMS tactic was developed using the available PPE, a management system of rescue operations and a model of organisation of any operations. The in-depth analysis of PPE for preventing contamination and respiratory protection equipment indicated new solutions and methods for protecting professionals of the State Emergency Medical System (PRM) while providing pre-hospital and hospital care (in Hospital Emergency Departments). A set of training drills employing new tactics and PPE indicated real possibilities to transfer new solutions to EMS that would compensate the shortcomings identified within the procedures of responses at the subsequent stages of CBRNE/HAZMAT incidents. Conclusions: The suggested tactic of emergency medical services shall enhance the effectiveness of the emergency rescue system in CBRNE/HAZMAT incidents as it enables emergency medical procedures (Polish abbreviation: MCR) to be more promptly performed in patients with life-threatening conditions, along with providing medical care at all stages of rescue operations.
Cel: Celem badania było wypracowanie nowej taktyki ratownictwa medycznego działającego w warunkach zdarzeń CBRNE/HAZMAT, pozwalającej na podjęcie medycznych czynności ratunkowych (MCR) w obszarze dotychczas niedostępnym dla systemu Państwowe Ratownictwo Medyczne (PRM). Projekt i metody: Powstanie nowych zagrożeń ze strony materiałów niebezpiecznych, zwłaszcza zagrożeń o charakterze terrorystycznym, wymusza właściwe przygotowanie służb ratowniczych do reagowania. Postęp techniczny w obszarze środków ochrony przed skażeniami i środków ochrony dróg oddechowych pozwala obecnie na opracowanie bezpiecznych i skutecznych metod ochrony personelu medycznego. Badanie przeprowadzone zostało w latach 2016–2018. Skupiono się w nim nad możliwością udzielania pomocy medycznej na wszystkich etapach działań ratowniczych. Przeanalizowano procedury postępowania systemu PRM, Krajowego Systemu Ratowniczo-Gaśniczego (KSRG) i jednostek kontrterrorystcznych Biura Operacji Antyterrorystycznych Komendy Głównej Policji (BOA KGP), Centrum Reagowania Epidemiologicznego Sił Zbrojnych RP (CRESZ) przewidzianych do wykorzystania w incydentach CBRNE/HAZMAT. Dokonano analizy luk w obszarze udzielania pomocy medycznej poszkodowanym w ramach dotychczas stosowanej taktyki działania każdej ze służb. W trakcie badania przeanalizowano indywidualne środki ochrony przed skażeniami i środki ochrony dróg oddechowych wykorzystywane w poszczególnych służbach pod kątem możliwości ich zastosowania w obszarze systemu PRM. Wyniki: Na podstawie przeprowadzonych badań wypracowano nową taktykę ratownictwa medycznego, opierającą się na wyposażeniu w indywidualne środki ochrony, nowym systemie zarządzania i nowym modelu organizacji działań. Prowadzona analiza możliwości wykorzystania indywidualnych środków ochrony przed skażeniami i środków ochrony dróg oddechowych pozwoliła na wypracowanie nowych zasad ochrony personelu medycznego systemu Państwowe Ratownictwo Medyczne. Przeprowadzone ćwiczenia wykazały możliwość implementacji nowych rozwiązań do systemu ratowniczego oraz uzupełnienie procedur postępowania na kolejnych etapach działań ratowniczych w zdarzeniach CBRNE/HAZMAT. Wnioski: Proponowana nowa taktyka ratownictwa medycznego poprawia efektywność systemu ratowniczego w zdarzeniach CBRNE/HAZMAT, poprzez umożliwienie wcześniejszego podjęcia medycznych czynności ratunkowych w stanach zagrożenia życia oraz zabezpieczenia medycznego pacjentów na wszystkich etapach prowadzenia działań ratowniczych.
Źródło:: Safety and Fire Technology; 2019, 54, 2; 142--159
2657-8808
2658-0810
Pojawia się w:: Safety and Fire Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "SOI" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język