A steady-state model of partially-depleted (PD) SOI MOSFETs I-V characteristics in subthreshold range is presented. Phenomena, which must be accounted for in current continuity equation, which is a key equation of the PD SOI MOSFETs model are summarized. A model of diffusion-based conduction in a weakly-inverted channel is described. This model takes into account channel length modulation, drift of carriers in the "pinch-off" region and avalanche multiplication triggered by these carriers. Characteristics of the presented model are shown and briefly discussed.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00