An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs

Szczegóły
Opis

Tytuł:: An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs
Autorzy:: Tomaszewski, D.
Łukasik, L.
Zaręba, A.
Jakubowski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/309325.pdf
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: SOI MOSFET
small-signal models
non-quasi-static analysis
admittances
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 67-71
1509-4553
1899-8852
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

A non-quasi-static model of partially-depleted SOI MOSFETs is presented. Phenomena, which are particularly responsible for dependence of device admittances on frequency are briefly described. Several C-V characteristics of the SOI MOSFET calculated for a wide range of frequencies, preliminary results of numerical analysis and of measurements and brief analysis of the results are presented. Methods of model improvement are proposed.

Informacja

Powiązane pozycje