Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "IGBT transistor" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-11 z 11
    Tytuł:
    Wpływ napięcia zasilania tranzystora IGBT na otrzymany sygnał emisji akustycznej
    The influence of the voltage of the IGBT power supply on the acoustic emission signal received
    Autorzy:
    Dreas, A.
    Gordon, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/107804.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    półprzewodniki
    tranzystory IGBT
    Emisja Akustyczna
    semiconductor
    IGBT Transistor
    Acoustic Emission
    Opis:
    W niniejszym artykule przedstawiono serię pomiarów i poszukiwanie metody wykrywania uszkodzeń za pomocą przetwarzania sygnałów emisji akustycznej. Sygnał z czujnika obserwowano i przetwarzano za pomocą oscyloskopu i poddano obróbce cyfrowej. Celem była obserwacja wyjściowego sygnału przy zmianie napięcia zasilania, aby oszacować jego wpływ na sygnał z czujnika.
    This paper shows series of measurements and a search for method of signal processing. Sensor signal was obtained with oscilloscope in order to further process it digitally. The change of power supply voltage was also measured to estimated its influence on sensor signal.
    Źródło:
    Badania Nieniszczące i Diagnostyka; 2018, 4; 62-64
    2451-4462
    2543-7755
    Pojawia się w:
    Badania Nieniszczące i Diagnostyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Analysis Of Accuracy Of Selected Methods Of Measuring The Thermal Resistance Of IGBTs
    Autorzy:
    Górecki, K.
    Górecki, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/220969.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    IGBT
    thermal resistance
    measurements
    transistor
    semiconductor devices
    Opis:
    In the paper selected methods of measuring the thermal resistance of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) are presented and the accuracy of these methods is analysed. The analysis of the measurement error is performed and operating conditions of the considered device, at which each measurement method assures the least measuring error, are pointed out. Theoretical considerations are illustrated with some results of measurements and calculations.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2015, 22, 3; 455-464
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Study of electro-thermal stress of IGBT devices
    Autorzy:
    Shaban, M. A.
    Ettomi, Y.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/377956.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    electro-thermal stress
    IGBT
    Insulated Gate Bipolar Transistor
    Opis:
    The aim of this paper is to present a new approach which consists to correlate or coupled the functional and electrical stress with temperature. This approach can be extremely useful in the predicting the stressing effect and the impact of IXGH-IGBT I-V characteristics on circuit degradation. Moreover, this new approach significantly improves such parameters likes (threshold voltage Vth, collector saturation current, the stress and enhanced collector leakage current) and provides new capability for use this power device IXGH-IGBT in an actual circuit environment and modules. We also explain the physical reasons behind the improvement obtained using functional electrical stress on the IGBTs for IXYS constructor with temperature. Moreover, the forward blocking capability of IXGH-IGBT under a coupled Functional - Electro stress at high temperature was analyzed using simulation. This paper gives a straight comparison in term of the stress for improving the switching speed of IGBT device. This study is essential to ensure product reliability and to the evaluation of hot carrier reliability in the early stages. Furthermore, our reliability study permits us to improve the implantation of the device in a circuit, as well as its use in industrial operating conditions. The need for good simulator (Spice, Spice) to carry out a reliability study is pointed out in this paper.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2013, 76; 275-284
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Przetwornice statyczne dużej mocy z elementami SiC do pojazdów trakcyjnych
    High Power Static Converters for Traction Vehicles Powered by SiC Technology
    Autorzy:
    Biliński, J.
    Buta, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/253060.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    węglik krzemu
    przetwornice statyczne
    pojazdy trakcyjne
    IGBT
    silicon carbide
    Static converters
    traction motor
    insulated gate bipolar transistor
    Opis:
    Wysoka efektywność energetyczna i zwiększona częstotliwość pracy przetwornicy statycznej pozwalają na zminimalizowanie wymiarów układu chłodzenia i zmniejszenie zużycia energii. Nową jakość wnoszą przetwornice statyczne, wykorzystujące technologię SiC. Zmniejszenie masy urządzeń i ich wielkości jest bardzo znaczące (ok. 40–50%). Wyższa częstotliwość przełączania zmniejsza wymiar elementów magnetycznych (ok. 80%), a większa wydajność przekształtnika minimalizuje wymiary układu chłodzenia. Całkowita wydajność przetwornicy jest bardzo wysoka (94–96%). W pracy przedstawiono porównanie parametrów elementów Si i SiC, które są ważne dla nowoczesnych rozwiązań pojazdów elektrycznych. W artykule przedstawiono również parametry przetwornicy pomocniczej SiC, zaprojektowanej i wykonanej jako najnowocześniejszy produkt dla liniowych lokomotyw elektrycznych.
    High energy efficiency and increasing the working frequency of the converter will make it possible to minimize the size of the cooling system and reduce energy consumption. Auxiliary converters using the SiC technology are a new quality. The reduction of weight and size is very significant (ca. 40–50%). Higher switching frequency reduces the size of magnetic components (ca. 80%), and higher converter efficiency minimizes the size of the cooling system. The overall efficiency of the converter is extremely high (94–96%). This paper presents comparison of Si and SiC parameters which are important for modern solutions, dedicated for railway traction vehicles. Paper presents also parameters of SiC auxiliary converter, designed and manufactured as state-of-the-art product for modern mainline electric locomotives.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2018, 11; 41-44
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Evolution of Electric Traction Vehicle Design Based on the Example of Škoda Locomotives
    Autorzy:
    Graff, Marek
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2203238.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Instytut Kolejnictwa
    Tematy:
    locomotives
    Skoda
    electric motor start
    thyristor
    transistor
    GTO
    IGBT
    ČD
    ŽSR
    CSD
    Opis:
    The article describes the evolution of Škoda electric locomotives, starting with vehicles supplied with 3 kV DC and 25 kV 50 Hz, initially featuring a resistor start-up (for DC supply), optionally high-voltage voltage regulation (for AC supply), and later with a pulse (thyristor) start-up. Th e railway network in Czechoslovakia was initially electrified with direct voltage (including the Prague junction); however, learning the advantages of the 25 kV 50 Hz voltage developed in Germany led to some new sections of the ČSD network being electrified with alternating current. At the same time, Czechoslovakia’s national manufacturer Škoda developed vehicles (locomotives, EMUs) suitable for DC and AC operation. Initially, these were single-system vehicles, as the development of multi-system ones was technically complicated at the time (only short-series production was practiced). The advent of pulse-starting traction motors not only provided more economical and simpler traction motor control but also simplified the construction of multi-system vehicles. The article discusses the specifics of both engine start-up systems and the evolution of DC and AC vehicle design and operation.
    Źródło:
    Problemy Kolejnictwa; 2022, 197; 117--145
    0552-2145
    2544-9451
    Pojawia się w:
    Problemy Kolejnictwa
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Eksperymentalne badania zjawiska emisji akustycznej w monolitycznych tranzystorach
    Experimental investigations of monolithic IGBT transistor acoustic emission phenomena
    Autorzy:
    Kozak, Maciej
    Gordon, Radosław
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/376769.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    tranzystor IGBT
    moduł IGBT
    emisja akustyczna
    IGBT Modules
    IGBT Transistor
    Acoustic Emission
    Opis:
    Przedmiotem wielu badań prowadzonych w energoelektronice są metody diagnostyczne określające stan sprawność pracujących elementów półprzewodnikowych. Jak każdy materiał stały półprzewodniki wytwarzają fale sprężyste w przypadku zmiany stanu z przewodzenia na blokowanie i odwrotnie. Na podstawie obserwacji można zaobserwować korelację pomiędzy przełączeniami pojedynczego tranzystora IGBT a emisją sygnału akustycznego. Zapisu emisji akustycznej dokonano za pomocą szerokopasmowego czujnika EA. Sygnał został przetworzony za pomocą karty wejściowej AD ze wzmacniaczem i zarejestrowany na komputerze PC. Zebrane dane zostały wyeksportowane do pliku, co umożliwiło dalsze przetwarzanie otrzymanych danych. Celem badania było określenie tła sygnału emisji akustycznej pochodzącej od sprawnego, przełączającego tranzystora IGBT i przygotowanie wzoru odpowiedzi w dziedzinie częstotliwości. Wyniki analizy zostaną wykorzystane jako punkt odniesienia dla dalszych badań wczesnych stadiów uszkodzenia pracujących elementów półprzewodnikowych
    The diagnostic methods leading to determine the condition of working semiconductor components (power transistors etc.) are on the focus of many recent researches. As any solid material the semiconductors are generating elastic waves in the case of changing conductivity state. Based on the results of experimental research, a correlation can be observed between the transition between the on and off states of a single IGBT transistor and the emitted acoustic signal. Acquisition of acoustic emission signals was obtained by using a wide band acoustic emission sensor. The received signal initially was prepared by AD input card with amplifier and were recorded by computer software. Acquired data were exported the to a file, which enabled further processing of the measured signals. The aim of the study was to determine the acoustic emission background signal coming from switching IGBT transistor and preparation of frequency response pattern. The results of analysis will be used as a reference point for a further investigation of earlystage faults of semiconductors elements.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2019, 99; 19-28
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Detection and Recording of Acoustic Emission in Discrete IGBT Transistors
    Autorzy:
    Gordon, R.
    Dreas, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2064954.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    STE GROUP
    Tematy:
    IGBT Modules
    IGBT Transistor
    Acoustic Emission
    Opis:
    The article presents the results of experimental research, which is to show a correlation between the change of operating status of single IGBT transistor and its acoustic emission. Sensor signal was obtained with oscilloscope in order to further process it digitally and determine possibility of the damage to the element based on registered acoustic signal.
    Źródło:
    Multidisciplinary Aspects of Production Engineering; 2018, 1, 1; 27--31
    2545-2827
    Pojawia się w:
    Multidisciplinary Aspects of Production Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Complex fourier series mathematical model of a universal motor supplied by an igbt transistor
    Model matematyczny silnika uniwersalnego zasilanego poprzez tranzystor IGBT przy wykorzystaniu zespolonych szeregów Fouriera
    Autorzy:
    Záskalický, P.
    Kaňuch, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1369125.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
    Tematy:
    model matematyczny
    silnik uniwersalny
    tranzystory IGBT
    IGBT transistor
    universal motor
    mathematical models
    Opis:
    The present contribution shows an analytical method of the calculus of the torque ripple and current waveforms of a universal motor supplied by an IGBT chopper. The chopper output voltage waveform is formulated by the Fourier series. The armature reaction of the motor is included in the calculus. The motor performance is computed using the circuit parameters determined by measurements. The calculated current waveforms are compared with the measured ones.
    Źródło:
    Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2012, 1, 94; 33-37
    0239-3646
    2084-5618
    Pojawia się w:
    Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Compact nanosecond pulse generator based on IGBT and spark gap cooperation
    Autorzy:
    Achour, Y.
    Starzyński, J.
    Łasica, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/202157.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    pulsed power
    nanosecond generator
    Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
    spark gap
    avalanche mode Bipolar Junction Transistor
    Opis:
    The present paper describes a new architecture of a high-voltage solid-state pulse generator. This generator combines the two types of energy storage systems: inductive and capacitive, and consequently operates two types of switches: opening and closing. For the opening switch, an isolated gate bipolar transistor (IGBT) was chosen due to its interesting characteristics in terms of controllability and robustness. For the closing switch, two solutions were tested: spark-gap (SG) for a powerful low-cost solution and avalanche mode bipolar junction transistor (BJT) for a fully semiconductor structure. The new architecture has several advantages: simple structure and driving system, high and stable controllable repetition rate that can reach 1 kHz, short rising time of a few nanoseconds, high gain and efficiency, and low cost. The paper starts with the mathematical analysis of the generator operation followed by numerical simulation of the device. Finally add a comma the results were confirmed by the experimental test with a prototype generator. Additionally, a comparative study was carried out for the classical SG versus the avalanche mode BJT working as a closing switch.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 2; 377-388
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of the Averaged Model of the Diode-transistor Switch for Modelling Characteristics of a Boost Converter with an IGBT
    Autorzy:
    Górecki, Paweł
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/226814.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    DC-DC converter
    IGBT
    boost converter
    averaged model
    diode-transistor switch
    modelling
    SPICE
    Opis:
    DC-DC converters are popular switch-mode electronic circuits used in power supply systems of many electronic devices. Designing such converters requires reliable computation methods and models of components contained in these converters, allowing for accurate and fast computations of their characteristics. In the paper, a new averaged model of a diode-transistor switch containing an IGBT is proposed. The form of the developed model is presented. Its accuracy is verified by comparing the computed characteristics of the boost converter with the characteristics computed in SPICE using a transient analysis and literature models of a diode and an IGBT. The obtained results of computations proved the usefulness of the proposed model.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2020, 66, 3; 555-560
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A comparison study of the features of DC/DC systems with Si IGBT and SiC MOSFET transistors
    Badania porównawcze sprawności układów DC/DC z tranzystorami Si IGBT oraz tranzystorami SiC typu MOSFET
    Autorzy:
    Fatyga, K.
    Kwaśny, Ł.
    Stefańczak, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408426.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    IGBT
    SiC
    transistor
    MOSFET
    DC/DC converter
    tranzystor
    przekształtnik DC/DC
    Opis:
    This paper presents a comparison of the efficiency of two bidirectional DC/DC converters based on dual H-bridge topology. Tested converters were built using Si-based IGBT transistors and SiC-based MOSFETs. The results of the research are efficiency characteristics, taken from tests at the frequency range of 10÷60 kHz. Analysis of the results points to a massive advantage of the SiC-based design over the Si-based one.
    W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 2; 68-71
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-11 z 11

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies