Wpływ napięcia zasilania tranzystora IGBT na otrzymany sygnał emisji akustycznej

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Wpływ napięcia zasilania tranzystora IGBT na otrzymany sygnał emisji akustycznej
The influence of the voltage of the IGBT power supply on the acoustic emission signal received
Autorzy:: Dreas, A.
Gordon, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/107804.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: półprzewodniki
tranzystory IGBT
Emisja Akustyczna
semiconductor
IGBT Transistor
Acoustic Emission
Źródło:: Badania Nieniszczące i Diagnostyka; 2018, 4; 62-64
2451-4462
2543-7755
Język:: polski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

W niniejszym artykule przedstawiono serię pomiarów i poszukiwanie metody wykrywania uszkodzeń za pomocą przetwarzania sygnałów emisji akustycznej. Sygnał z czujnika obserwowano i przetwarzano za pomocą oscyloskopu i poddano obróbce cyfrowej. Celem była obserwacja wyjściowego sygnału przy zmianie napięcia zasilania, aby oszacować jego wpływ na sygnał z czujnika.

This paper shows series of measurements and a search for method of signal processing. Sensor signal was obtained with oscilloscope in order to further process it digitally. The change of power supply voltage was also measured to estimated its influence on sensor signal.

Informacja

Powiązane pozycje