Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "81.15.Kk" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    Surface Electronic Properties of Fe Nanoparticles on c(2×2)-N/Cu(001)
    Autorzy:
    Getzlaff, M.
    Bode, M.
    Wiesendanger, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036899.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.37.Ef
    68.55.Ac
    68.65.-k
    73.22.Dj
    81.15.Kk
    Opis:
    We prepared nanoscaled particles consisting of ferromagnetic material on a nanostructured template. This nanolithographic procedure allows to fabricate high-density magnetic nanodots in a highly ordered way. For this purpose, Fe particles were grown on the c(2×2)-N/Cu(001) surface which exhibits a checkerboard-like structure. Scanning tunneling spectroscopic measurements demonstrate that the electronic properties of the areas with deposited material are identical to clean copper. Fe nanoparticles on the reconstructed patches show a significantly different electronic behavior. These observations directly hint to a covering of iron with copper on the clean surface.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 104, 3-4; 327-335
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Monocrystalline and Polycrystalline ZnO and ZnMnO Films Grown by Atomic Layer Epitaxy - Growth and Characterization
    Autorzy:
    Wójcik, A.
    Kopalko, K.
    Godlewski, M.
    Łusakowska, E.
    Paszkowicz, W.
    Dybko, K.
    Domagała, J.
    Szczerbakow, A.
    Kamińska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2038164.pdf
    Data publikacji:
    2004-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Jk
    68.55.Ln
    68.55.Nq
    78.66.Hf
    81.15.Kk
    Opis:
    Recently we demonstrated growth of monocrystalline ZnO films by atomic layer epitaxy in the gas flow variant using inorganic precursors. In this study, we discuss properties of ZnO films grown with organic precursors. Successful Mn doping of the ZnO films during the growth was achieved using the Mn-thd complex. Secondary ion mass spectroscopy and X-ray investigations reveal the contents of Mn up to about 20% of the cationic component.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 667-673
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetic, Structural, and Optical Properties of Low Temperature ZnMnO Grown by Atomic Layer Epitaxy
    Autorzy:
    Wójcik, A.
    Kiecana, M.
    Kopalko, K.
    Godlewski, M.
    Guziewicz, E.
    Yatsunenko, S.
    Łusakowska, E.
    Minikayev, R.
    Paszkowicz, W.
    Świątek, K.
    Wilamowski, Z.
    Sawicki, M.
    Dietl, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2044552.pdf
    Data publikacji:
    2005-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Jk
    68.55.Ln
    68.55.Nq
    78.66.Hf
    81.15.Kk
    Opis:
    Magnetic, structural, and optical properties of ZnMnO films grown with atomic layer epitaxy are discussed. Atomic layer epitaxy films were grown at low temperature using organic zinc and manganese precursors. From magnetometry and electron spin resonance investigations we conclude that lowering of a growth temperature significantly limits formation of Mn precipitates and inclusions of different foreign phases of manganese oxides to ZnMnO host.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 915-921
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Extra-Low Temperature Growth of ZnO by Atomic Layer Deposition with Diethylzinc Precursor
    Autorzy:
    Kowalik, I. A.
    Guziewicz, E.
    Kopalko, K.
    Yatsunenko, S.
    Godlewski, M.
    Wójcik, A.
    Osinniy, V.
    Krajewski, T.
    Story, T.
    Łusakowska, E.
    Paszkowicz, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047710.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Et
    78.66.Hf
    81.15.Kk
    Opis:
    ZnO thin films were grown on silicon substrate by atomic layer deposition method. We explored double-exchange chemical reaction and used very volatile and reactive diethylzinc as a zinc precursor. These enables us to obtain zinc oxide thin films of high quality at extremely low growth temperature (90-200ºC). The films are polycrystalline as was determined by X-ray diffraction and show flat surfaces with roughness of 1-4 nm as derived from atomic force microscopy measurements. Photoluminescence studies show that an edge emission of excitonic origin is observed even at room temperature for all investigated ZnO layers deposited with the diethylzinc precursor.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 401-406
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    ZnCoO Films Obtained at Low Temperature by Atomic Layer Deposition Using Organic Zinc and Cobalt Precursors
    Autorzy:
    Łukasiewicz, M.
    Wójcik-Głodowska, A.
    Guziewicz, E.
    Jakieła, R.
    Krajewski, T.
    Łusakowska, E.
    Paszkowicz, W.
    Minikayev, R.
    Kiecana, M.
    Sawicki, M.
    Godlewski, M.
    Wachnicki, Ł.
    Szczepanik, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811957.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Ln
    68.55.Nq
    78.66.Hf
    81.15.Kk
    Opis:
    In this paper we report on ZnCoO thin films grown by atomic layer deposition method in reactor F-120 Satellite. ZnCoO films were grown at low temperature ($T_s$=160°C) with a new zinc precursor (dimethylzinc - DMZn) and with cobalt (II) acetyloacetonate (Co(acac)₂) as a cobalt precursor and deionized water as an oxygen precursor. In this paper we concentrate on the methods of homogenizing Co distribution in ZnCoO films.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1235-1240
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of AlN Buffer Layer Deposition Temperature οn Properties of GaN HVPE Layers
    Autorzy:
    Prażmowska, J.
    Korbutowicz, R.
    Wośko, M.
    Paszkiewicz, R.
    Kovač, J.
    Srnanek, R.
    Tłaczała, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807541.pdf
    Data publikacji:
    2009-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.10.Bk
    81.15.Gh
    81.15.Kk
    Opis:
    Gallium nitride layers were deposited on AlN and double layer (AlN/AlGaN) buffers grown at various temperatures on $Al_{2}O_{3}$. Stress in layers was evaluated based on the Raman scattering and photoluminescence measurements. The obtained values were less than 1 GPa.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-123-S-125
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    ZnCoO Films by Atomic Layer Deposition - Influence of a Growth Temperature οn Uniformity of Cobalt Distribution
    Autorzy:
    Łukasiewicz, M.
    Witkowski, B.
    Godlewski, M.
    Guziewicz, E.
    Sawicki, M.
    Paszkowicz, W.
    Łusakowska, E.
    Jakieła, R.
    Krajewski, T.
    Kowalik, I.
    Kowalski, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791350.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Ln
    68.55.Nq
    78.66.Hf
    81.15.Kk
    Opis:
    We report on the structural, electrical and magnetic properties of ZnCoO thin films grown by atomic layer deposition method using reactive organic precursors of zinc and cobalt. As a zinc precursor we applied either dimethylzinc or diethylzinc and cobalt(II) acetyloacetonate as a cobalt precursor. The use of these precursors allowed us the significant reduction of a growth temperature to 300°C and below, which proved to be very important for the growth of uniform films of ZnCoO. Structural, electrical and magnetic properties of the obtained ZnCoO layers will be discussed based on the results of secondary ion mass spectroscopy, scanning electron microscopy, energy dispersive spectroscopy, X-ray diffraction, atomic force microscopy, Hall effect and SQUID investigations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 921-923
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Microwave Techniques Investigations of ZnCoO Films Grown by Atomic Layer Deposition
    Autorzy:
    Łukasiewicz, M.
    Cabaj, A.
    Godlewski, M.
    Guziewicz, E.
    Wittlin, A.
    Jaworski, M.
    Wołoś, A.
    Wilamowski, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492931.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Ln
    68.55.Nq
    78.66.Hf
    81.15.Kk
    Opis:
    Electrical and magnetic properties of ZnCoO thin films grown on silicon substrates by atomic layer deposition method are investigated. The films were grown using reactive organic precursors of zinc and cobalt. The use of these precursors allowed us the significant reduction of a growth temperature to 200°C and below, which proved to be very important for the growth of uniform films of ZnCoO. We have measured the microwave AC conductivity and EPR for two types of ZnCoO samples, with different Co fractions.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 911-913
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    (Zn,Cu)O Films by Atomic Layer Deposition - Structural, Optical and Electric Properties
    Autorzy:
    Łukasiewicz, M.
    Witkowski, B.
    Wachnicki, Ł.
    Kopalko, K.
    Gierałtowska, S.
    Wittlin, A.
    Jaworski, M.
    Guziewicz, E.
    Godlewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492571.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Ln
    68.55.Nq
    78.66.Hf
    81.15.Kk
    Opis:
    ZnCuO thin films have been deposited on silicon, glass and quartz substrates by atomic layer deposition method, using reactive organic precursors of zinc and copper. As zinc and copper precursors we applied diethylzinc and copper(II) acetyloacetonate. Structural, electrical and optical properties of the obtained ZnCuO layers are discussed based on the results of scanning electron microscopy, energy dispersive spectroscopy, X-ray diffraction, atomic force microscopy, the Hall effect and photoluminescence investigations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-034-A-036
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Design of Solar Cells p⁺/n Emitter by Spin-On Technique
    Autorzy:
    El Amrani, A.
    Boucheham, A.
    Belkacem, Y.
    Boufenik, R.
    Boudaa, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1031365.pdf
    Data publikacji:
    2017-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.KK
    88.40.JJ
    85.40.Ry
    Opis:
    In this paper spin-on dopant diffusion has been investigated as a technique for fabrication of p⁺/n monocrystalline silicon solar cell emitters. A homogeneous spreading onto the front wafer surface has been achieved by using 2 ml of boron-dopant solution and three-step spin-profile. Study of the wafers stacking arrangement has revealed that the highest doping level and the best emitter sheet resistance uniformity were obtained using the back-to-back wafers arrangement. The N₂/O₂ gas ratio variation during the diffusion process has shown that a higher percentage of nitrogen yields a slightly lower emitter sheet resistance. Study on temperature dependence of as-processed emitter resistivity revealed that 910°C results in targeted sheet resistance of around 48 Ω/sq. Using these preliminary experimental results, a batch of 6 silicon wafers was processed. After BSG and BRL chemical removal, the batch average sheet resistance of the emitter was 49.50 Ω/sq. The uniformity of a wafer and of the batch was below 7% and 13%, respectively. The ECV and SIMS depth profiling have shown the electrically active and the total boron surface concentration of 1.5× 10²⁰ atoms/cm³ and 2.5× 10²⁰ atoms/cm³, respectively. The junction depth was around 0.3 μm. Finally, by increasing the oxygen flow rate we reached an average sheet resistance of 51 Ω/sq. and a junction depth of 0.35 μm.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 3; 717-719
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies