ZnCoO Films Obtained at Low Temperature by Atomic Layer Deposition Using Organic Zinc and Cobalt Precursors

Szczegóły
Opis

Tytuł:: ZnCoO Films Obtained at Low Temperature by Atomic Layer Deposition Using Organic Zinc and Cobalt Precursors
Autorzy:: Łukasiewicz, M.
Wójcik-Głodowska, A.
Guziewicz, E.
Jakieła, R.
Krajewski, T.
Łusakowska, E.
Paszkowicz, W.
Minikayev, R.
Kiecana, M.
Sawicki, M.
Godlewski, M.
Wachnicki, Ł.
Szczepanik, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1811957.pdf
Data publikacji:: 2008-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.55.Ln
68.55.Nq
78.66.Hf
81.15.Kk
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1235-1240
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

In this paper we report on ZnCoO thin films grown by atomic layer deposition method in reactor F-120 Satellite. ZnCoO films were grown at low temperature ($T_s$=160°C) with a new zinc precursor (dimethylzinc - DMZn) and with cobalt (II) acetyloacetonate (Co(acac)₂) as a cobalt precursor and deionized water as an oxygen precursor. In this paper we concentrate on the methods of homogenizing Co distribution in ZnCoO films.

Informacja

Powiązane pozycje