Influence of AlN Buffer Layer Deposition Temperature οn Properties of GaN HVPE Layers

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Influence of AlN Buffer Layer Deposition Temperature οn Properties of GaN HVPE Layers
Autorzy:: Prażmowska, J.
Korbutowicz, R.
Wośko, M.
Paszkiewicz, R.
Kovač, J.
Srnanek, R.
Tłaczała, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1807541.pdf
Data publikacji:: 2009-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.10.Bk
81.15.Gh
81.15.Kk
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-123-S-125
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Gallium nitride layers were deposited on AlN and double layer (AlN/AlGaN) buffers grown at various temperatures on $Al_{2}O_{3}$. Stress in layers was evaluated based on the Raman scattering and photoluminescence measurements. The obtained values were less than 1 GPa.

Informacja

Powiązane pozycje