Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "71.25.Tn" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 20
Tytuł:
4f Contribution to Valence Band of Pb$\text{}_{1-x}$RE$\text{}_{x}$S (RE = Eu,Gd) Studied by Resonant Photoemission
Autorzy:
Kowalski, B. J.
Gołacki, Z.
Guziewicz, E.
Orłowski, B. A.
Ghijsen, J.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952558.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
79.60.-i
Opis:
Resonant photoemission experiments were carried out in order to reveal the contributions of partly filled Eu 4f$\text{}^{7}$ and Gd 4f$\text{}^{7}$ shells to the valence bands of Pb$\text{}_{0.95}$Eu$\text{}_{0.05}$S and Pb$\text{}_{0.95}$Gd$\text{}_{0.05}$S crystals. The coupling between these orbitals and the host electronic states is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1035-1039
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Band Structure and Refractive Index of Gallium Nitride Under Pressure
Autorzy:
Perlin, P.
Gorczyca, I.
Suski, T.
Teisseyre, H.
Grzegory, I.
Christensen, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891272.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
78.20.Ci
Opis:
The effect of hydrostatic pressure on direct gap and refractive index of GaN is investigated up to 5.5 GPa. Band structure of GaN is calculated by Linear Muffin-Tin Orbitals (LMTO) method for different values of pressure. Resulting pressure coefficient of the main gap and of the refractive index are in a good agreement with the experimental ones.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 421-424
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Composition Dependence of the Energy Gap in HgFeSe - Optical Verification
Autorzy:
Szuszkiewicz, W.
Julien, C.
Bałkanski, M.
Dybko, K.
Witkowska, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921712.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
71.55.-i
78.30.Fs
Opis:
Infrared reflectivity was investigated for the mixed Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$Se crystals for x < 0.1. The theoretical analysis of the experimental curves suggests opening of the energy gap for the composition x = 0.087 at the temperature close to 80 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 757-760
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Extended X-ray Bremsstrahlung Isochromat Fine Structure of SiO$\text{}_{2}$
Autorzy:
Sobczak, E.
Nietubyć, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1932134.pdf
Data publikacji:
1995-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
79.20.Kz
Opis:
X-ray bremsstrahlung isochromat of amorphous SiO$\text{}_{2}$ deposited on Si crystal was measured in an energy range up to 250 eV above the threshold. Extended X-ray bremsstrahlung isochromat he structure (EXBIFS) was observed up to 150 eV for SiO$\text{}_{2}$ studied. The Fourier transform of EXBIFS showed two peaks originated from first and second neighbors around silicon and oxygen ions. Model calculations of EXBIFS of amorphous SiO$\text{}_{2}$ were performed in terms of single scattering of spherical waves and compared with experimental results.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 3; 649-656
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
III-V Semiconducting Nitrides Energy Gap under Pressure
Autorzy:
Perlin, P.
Gorczyca, I.
Teisseyre, H.
Suski, T.
Litwin-Staszewska, E.
Porowski, S.
Grzegory, I.
Christensen, N. E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921585.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
Opis:
In this paper we present overview of our recent experimental and theoretical results concerning electronic band structure of III-V nitrides under pressure. It is shown here that the pressure coefficients of the direct gap for studied nitrides are surprisingly small. To describe tendency in changes of the gap with pressure we use a simple empirical relation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 674-676
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Chemistry on the Energy Band Structure: AlAs Versus GaAs
Autorzy:
Bogusławski, P.
Gorczyca, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891295.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
71.10.+x
Opis:
Energy band structure of AlAs and GaAs is analyzed in terms of the energy structure of the constituent atoms. Conduction band wave functions are projected on s-, p-, and d-symmetry atomic orbitals. The resulting information is combined with the eigenenergies of Al and Ga atoms, in order to-discuss the character of the band gaps, and the sign of deformation potentials.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 433-436
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetooptical Properties of Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se p-n Junctions
Autorzy:
Khoi, Le Van
Karczewski, G.
Dobrowolski, W.
Kossut, J.
Gałązka, R. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891332.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
78.20.Ls
72.80.Ga
Opis:
The first experimental evidence of the magnetic quantum oscillation in the photovoltaic effect of Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se p-n junctions is reported. The p-n junctions were obtained in Pb$\text{}_{1-x}$MnxSe crystals with manganese content, 0 ≤ x ≤ 0.08 by introducing Cd donors by diffusion. Measurements were per formed between 5-85 K and in the presence of the magnetic field 0-7 T in the Faraday and Voigt configurations of the incident infrared radiation of various photon energies in the vicinity of the energy gap of a Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se. Strong oscillatory behavior of the photovoltage was observed as a function of the magnetic field intensity at a constant wavelength of the incident light. Using the model of Adler of the energy band structure modified by the exchange terms, and after identification of the initial and final states of the transitions, we derive the band parameters of the Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se crystals.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 445-448
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetooptical Studies of CdTe-Rich Epitaxial Layers
Autorzy:
Dudziak, E.
Bożym, J.
Pruchnik, D.
Jędral, L. Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890795.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
72.40.+w
78.20.Ls
Opis:
The first magnetooptical studies comprising magnetoreflection, magnetoabsorption and Faraday rotation of CdTe-rich Hg$\text{}_{1-x-y}$Cd$\text{}_{x}$Mn$\text{}_{y}$Te are reported. The drastic disappearing of excitonic structure, for already very small Hg content, has been observed. The exchange parameters close to those for CdMnTe have been found.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 325-328
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nonlinear Temperature Dependence of the Band Gap in Hg$\text{}_{1-x-y}$Cd$\text{}_{x}$Mn$\text{}_{y}$Te and Hg$\text{}_{1-x}$Cd$\text{}_{x}$Te Alloys
Autorzy:
Dudziak, E.
Jędral, L. Z.
Bożym, J.
Brzeziński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1886577.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
65.70.+y
Opis:
The temperature dependence of the band gap for HgCdTe and HgCdMnTe has been experimentally investigated in the temperature range of 7-250 K. The distinct nonlinear dependence has been observed in the low temperature range. It was shown that the lattice dilatation contribution calculated for HgCdTe is a significant part (about 30%) of the total temperature shift of the energy gap.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 291-294
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Peculiarities of Composition and Temperature Dependence of Energy-Band Parameters of Zn$\text{}_{x}$Cd$\text{}_{y}$Hg$\text{}_{1-x-y}$Te
Autorzy:
Andrukhiv, A.
Ivanov-Omskii, V.
Polit, J.
Sheregii, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1876920.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
Opis:
The influence of addition of Zn on band parameters of Zn$\text{}_{x}$Cd$\text{}_{y}$Hg$\text{}_{1-x-y}$Te solid solution at different temperatures (4.2-200 K) was investigated. The cyclotron resonance at 4.2 K and magnetophonon resonance at 77-200 K were used to determine band structure parameters. The temperature dependence of band structure parameters (energy gap, effective mass of electron) for the composition of series of epilayers (x varied in 0.08-0.20 range and y - 0.07-0.12) was obtained. It is found that band structure parameters for some compositions (for example x = 0.17, y = 0.08) are almost independent from temperature and equal: γ₁$\text{}^{L}$= 19.55, γ₂$\text{}^{L}$ = γ₃$\text{}^{L}$ = 8.5, K$\text{}^{L}$ = 6.48, F = -0.5, E$\text{}_{g}$ = 0.35 eV, E$\text{}_{p}$ = 17.9 eV. The effective mass of electrons was found to be greater with addition of Zn while the effective mass of heavy holes is left unchanged.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 513-517
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoemission and Inverse Photoemission Studies of SiO$\text{}_{2}$
Autorzy:
Sobczak, A.
Nietubyć, R.
Sobczak, J. W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931764.pdf
Data publikacji:
1994-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.20.Kz
71.25.Tn
79.60.Ht
Opis:
Occupied and unoccupied electron states of amorphous silicon dioxide film supported on Si crystal are studied by using X-ray photoemission and, for the first time, X-ray inverse photoemission (X-ray bremsstrahlung isochromat method). A special care was undertaken to minimize decomposition of silicon oxide during X-ray bremsstrahlung measurements. The experimental spectra are compared with theoretical band structure calculations for amorphous SiO$\text{}_{2}$ from the literature and good overall agreement is found.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 5; 837-843
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photovoltaic Effect of ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ Heterojunctions in Presence of Magnetic Field
Autorzy:
Gałązka, R. R.
Nguyen, The Khoi
Khoi, Le Van
Dobrowolski, W.
Witkowska, B.
Mycielski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933917.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
78.20.Ls
72.80.Ga
Opis:
Photovoltaic effect of the ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ heterojunctions, prepared by vapor-transport epitaxy of ZnTe on Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ substrate was studied. The photovoltaic measurements were carried out over the temperature range from 12 K to 300 K and in the magnetic field up to 6 T. In the magnetic field, maximum of the sensitivity corresponding to the energy of the forbidden gap of Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ substrate splits into two components for σ$\text{}^{+}$ and σ¯ circular polarizations of incident light. This phenomenon was ascribed to the exchange interaction of the magnetic moments of Mn$\text{}^{++}$ ions with band electrons. From the value of the splitting energy the exchange integral N$\text{}_{0}$(α-β) was determined to be 1.15 ± 0.2 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 841-844
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photovoltaic Effect on PbTe p-n Junction in the Presence of Magnetic Field
Autorzy:
Le Van, Khoi
Grodzicka, E.
Witkowska, B.
Story, T.
Gałązka, R. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929738.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
78.20.Ls
72.80.Ga
Opis:
Photovoltaic spectra of PbTe p-n junction have been measured in the infrared spectral region in the temperature range of 8-260 K. The p-n junctions have been formed by cadmium diffusion into the p-type PbTe crystals. From the positions of the photovoltaic maxima the energy gap of the diode material has been determined. In the presence of a magnetic field up to 7 T, a pronounced oscillatory behavior of the photovoltage was observed in the Faraday and Voigt configurations. Experiments were performed as a function of the magnetic field intensity at a constant wavelength of the incident light. The energy of the interband magnetooptical transitions between the Landau levels in PbTe was determined and compared with the theoretical model of Adler, describing the energy band structure for the IV-VI compounds.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 721-724
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Self-Induced Persistent Photoconductivity in ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ Heterojunctions
Autorzy:
Van Khoi, Le
Dobrowolski, W.
Zakrzewski, A.
Dobaczewski, L.
Gałązka, R. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952039.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
78.20.Ls
72.80.Ga
Opis:
At temperatures lower than 200 K the photomemory effect has been observed in ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ heterojunctions. The persistent photoconductivity can be achieved either by illumination from an external light source or by a self-absorption of the electroluminescence radiation when a voltage of about 10 V for a few seconds is applied to the diode. Current-voltage characteristics are of the form I~ V$\text{}^{m}$. The capacitance and electroluminescence measurements show that the photomemory effect in ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$ Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ heterojunctions can be caused by the bistable nature of the In dopant in the Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ substrate. In the high resistivity interface layer and the substrate material indium forms centers similar to DX-like centers in Zn$\text{}_{x}$Cd$\text{}_{1-x}$Te and Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 883-886
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
s,p-d Exchange Constants of CdFeSe Semimagnetic Semiconductor
Autorzy:
Arciszewska, M.
Pakuła, K.
Perez, I.
Twardowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1886791.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
71.70.Gm
71.35.+z
Opis:
We report determination of s, p-d exchange constants for hexagonal CdFeSe combining exciton splitting and magnetization measurements performed on the same samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 345-348
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 20

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies