Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Influence of Chemistry on the Energy Band Structure: AlAs Versus GaAs

Tytuł:
Influence of Chemistry on the Energy Band Structure: AlAs Versus GaAs
Autorzy:
Bogusławski, P.
Gorczyca, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891295.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
71.10.+x
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 433-436
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Energy band structure of AlAs and GaAs is analyzed in terms of the energy structure of the constituent atoms. Conduction band wave functions are projected on s-, p-, and d-symmetry atomic orbitals. The resulting information is combined with the eigenenergies of Al and Ga atoms, in order to-discuss the character of the band gaps, and the sign of deformation potentials.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies