Temat: 61.70.Wp - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Investigation of the Strains at ZnSe/GaAs Interfaces by Raman Scattering
Autorzy:: Bała, W.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1891888.pdf
Data publikacji:: 1991-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Hv
61.70.Wp
Opis:: Investigations of the strains at the n-ZnSe epilayers grown on GaAs substrate using polarized Raman spectra are presented. It has been shown that Raman scattering experiment can be used as a method for investigation of the splitting between the heavy- and light-hole bands in n-ZnSe thin films.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 5; 723-730
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Exciton Electroluminescence of ZnSe/ZnO Structures under Biaxial Stress
Autorzy:: Bała, W.
Firszt, F.
Łęgowski, S.
Męczyńska, H.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1924234.pdf
Data publikacji:: 1992-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Hv
61.70.Wp
Opis:: The strained ZnSe/ZnO structures grown on (111) ZnSe crystals by plasma oxidation was investigated by electro- and photoluminescence methods. The lines of heavy and light hole excitons under biaxial compressive stress are measured as a function of the temperature.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 896-899
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Characterization of the Band Bending in ZnSe-GaAs Heterojunctions by Raman Scattering
Autorzy:: Bała, W.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1879935.pdf
Data publikacji:: 1991-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Hv
61.70.Wp
Opis:: The band bending effect at the ZnSe-GaAs interface Was studied by means of Raman scattering induced by electric-field related to longitudinal-optical (LO) phonons. It has been shown that the variation of the band bending in GaAs can be modifled by changes in the electron concentration of ZnSe epilayer and the variation of the sample temperature.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 225-228
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Precipitates in Cd$\text{}_{1-x}$Ni$\text{}_{x}$Se Crystals Grown by the Bridgman Method
Autorzy:: Kachniarz, J.
Dynowska, E.
Miotkowska, S.
Paszkowicz, W.
Miotkowski, I.
Ramdas, A. K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1921645.pdf
Data publikacji:: 1992-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.70.Wp
61.55.Hg
81.10.Fq
Opis:: Single crystals of Cd$\text{}_{1-x}$Ni$\text{}_{x}$Se alloys (x ranging from 0 to 0.075) were investigated using electron microprobe and X-ray diffraction. The analysis shows the presence of Ni-Se precipitates. The solubility limit of Ni is estimated to be 0.008.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 725-728
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja