Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Wegner, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-20 z 20
    Tytuł:
    Immobilizacja Pb(II) przez krystalizację piromorfitu na galenie w obecności nawozów fosforanowych
    Immobilization of Pb(II) by crystallization of pyromorphite on galena in the presence of phosphate fertilizers
    Autorzy:
    Manecki, M.
    Bajda, T.
    Wegner, M.
    Borkiewicz, O.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/183579.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    rekultywacja
    neutralizacja skażeń Pb
    zanieczyszczenie gleb
    reclamation
    neutralization of contamination with Pb
    soil pollution
    Opis:
    In the presence of PO/4/3- and Cl/- ions, dissolution of galena PbS is accompanied with crystallization of pyromorphite Pb5(PO4)3Cl. This results in reduction of Pb(II) concentration which is more effective at pH 4 and 5 than at pH 2 and 3. When commercial fertilizers (Azofoska and Superfosfat) are used, the mechanism of Pb immobilization is identical. Azofoska is more effective and lowers the concentration of Pb below 0.05 mg/dm3.
    Źródło:
    Geologia / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie; 2009, 35, 2/1; 263-269
    0138-0974
    Pojawia się w:
    Geologia / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analiza rozkładu energii odkształcenia z uwzględnieniem tarcia powierzchniowego w pierścieniu wykonanym z materiału o właściwościach hiperelastycznych
    Analysis of distribution of strain energy including superficial friction phenomena in a ring made of material with hyperelastic properties
    Autorzy:
    Wegner, T.
    Kokot, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/209421.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
    Tematy:
    energetyczny element skończony
    materiał hiperelastyczny
    metody energetyczne
    tarcie powierzchniowe
    energy-based finite element
    hyperelastic material
    energy methods
    surface friction
    Opis:
    Rozwój technologii informatycznych pozwolił na wprowadzenie do obliczeń inżynierskich na masową skalę programów wykorzystujących metodę elementów skończonych MES do symulowania zachowania się elementów maszyn, urządzeń mechanicznych oraz zjawisk fizycznych. Głównym problemem ich zastosowania w przypadku analizy tarcia powierzchniowego jest to, że w większości są przeznaczone tylko do obliczeń materiałów o właściwościach liniowych. To zjawisko ma szczególne znaczenie przy obliczeniach materiałów hiperelastycznych, do których należy również guma. Jest ona dzisiaj masowo wykorzystywana w różnych dziedzinach techniki. Zjawisko tarcia ma bezpośredni wpływ na odkształcanie się przedmiotów wykonanych z materiałów hiperelastycznych. Do obliczeń tych materiałów zastosowano metodę energetyczną, wykorzystującą element skończony o nieliniowych właściwościach modelowany energetycznie oraz oryginalny algorytm iteracyjny nazwany metodą relaksacji lokalnej. W artykule przedstawiono zastosowanie metody energetycznej do wyznaczenia odkształceń pierścienia gumowego z uwzględnieniem zjawiska tarcia powierzchniowego. Oprócz otrzymanych deformacji danego elementu przedstawiono również wyniki obliczeń dyssypacji energii spowodowanej pracą sił tarcia oraz rozkłady energii odkształcenia postaciowego i objętościowego w poszczególnych warstwach odkształcanego pierścienia.
    The information technology development improved engineering calculations by global spread of finite element method FEM to simulate behaviour of machine elements, mechanical devices and physical phenomena. The main problem of using it in case of superficial friction phenomenon is that in most cases its main purpose is to calculate materials of linear properties. This phenomenon is especially important for calculations of hyperelastic materials which include rubber. Nowadays, it is widely used in technology. Friction directly influences on deformations of objects made from hyperelastic materials. Energy method has been used for materials’ calculations by means of energy-based finite element of non-linear features, and iterative algorithm, named the local relaxation method. This paper presents the application of energy method for rubber ring deformations assignment including the superficial friction phenomena. Besides the observed deformations of examined element, there have been also presented the results of energy dissipation caused by friction forces work and the energy density distribution of volumetric and deviatoric strain in particular layers of the deformed ring.
    Źródło:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2012, 61, 4; 133-151
    1234-5865
    Pojawia się w:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of a surface friction on the deformation process of ring made of nonlinear properties material
    Autorzy:
    Wegner, T.
    Kokot, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/243889.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Instytut Techniczny Wojsk Lotniczych
    Tematy:
    hyperelastic material
    surface friction
    energy methods
    energy-based finite element
    Opis:
    The paper presents application of an energy-based finite element and a local relaxation method to computer calculation of deformation of a ring made of hyperelastic material. The present study considers a surface friction mechanism. This mechanism is a physical phenomenon counteracting the relative motion of the contacting bodies. Friction causes loss of energy the dissipation of which is a result of wearing out of the bodies' surfaces and heat emission. This directly affects the shape of the deformed body. The above statements are confirmed by the results of computer calculation performed for rubber ring with rectangular cross-section. Rubber is a nearly incompressible material and, therefore, requires application of special mechanical models of the material properties as well as proper calculation methods. Implementation of energy-based finite element and local relaxation method enables studying the ring deformation with consideration of nonlinear properties of rubber and its displacements in the platering contact plane, according to the value of a friction coefficient between rubber and the plate material. Application of energy method resulted in determination of the work of friction forces and the energy density distribution of volumetric and deviatoric strain. It also simplified energy analysis of the surface friction mechanism and influence of the friction coefficient value on the process of the ring deformation.
    Źródło:
    Journal of KONES; 2010, 17, 1; 465-478
    1231-4005
    2354-0133
    Pojawia się w:
    Journal of KONES
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effects of Core-Hole Screening on Spin-Polarised Auger Spectra from Ferromagnetic Ni
    Autorzy:
    Wegner, T.
    Potthoff, M.
    Nolting, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2013223.pdf
    Data publikacji:
    2000-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    79.20.Fv
    71.20.Be
    75.60.Ej
    Opis:
    We calculate the spin- and temperature-dependent local density of states for ferromagnetic Ni in the presence of a core hole at a distinguished site in the lattice. Correlations among the valence electrons and between valence and core electrons are described within a multi-band Hubbard model which is treated by means of second-order perturbation theory around the Hartree-Fock solution. The core-hole potential causes strong screening effects in the Ni valence band. The local magnetic moment is found to be decreased by a factor of 5-6. The consequences for the spin polarisation of CVV Auger electrons are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 3; 567-570
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Platforma przetwarzania rozproszonego bazująca na sieci NoC
    Distributed processing platform based on NoC network
    Autorzy:
    Łuczak, A.
    Kurc, M.
    Stępniewska, M.
    Wegner, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/154056.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    przetwarzanie rozproszone
    układy programowalne
    FPGA
    kompresja obrazu
    AVC
    VC-1
    sieć w układzie
    sieć NoC
    scattered processing
    video compression
    Network on Chip (NoC)
    NoC network
    Opis:
    W artykule zaprezentowano oryginalną platformę przetwarzania rozproszonego wykorzystującą sieć NoC (Network-on-Chip) jako infrastrukturę komunikacyjną. Proponowaną platformę zrealizowano wykorzystując układy FPGA jako elementy na których zaprogramowano interesujące projektanta bloki obliczeniowe. Pokazano cechy takiego systemu oraz zalety przetwarzania rozproszonego realizowanego na wielu niezależnych fizycznie układach ASIC czy FPGA.
    The paper presents an original dissipated processing platform based on Network on Chip as communicative infrastructure. In the introduction the need for using dissipated processing to increase computational power of video compression systems is shown. Features of the dissipated processing system and advantages of its implementing in many physically independent FPGA or ASIC are shown. Several consecutive logical structures of the proposed system, differing in flexibility and implementation efforts, are given. In the third section a novel version of Network on Chip used as a communicative layer in the proposed platform is described. The hierarchic structure of this network and implemented communication modules are described. The proposed platform was built basing on Field Programmable Gate Array (FPGA) as elements on which computational blocks were programmed. Schematic diagram of the proposed system is shown in Fig. 1. The complete platform composed of nine boards with Field Programmable Gate Array (FPGA) is presented in Fig. 5.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2009, R. 55, nr 8, 8; 690-692
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Methodology for 3D Video Subjective Quality Evaluation
    Autorzy:
    Lewandowski, F.
    Paluszkiewicz, M.
    Grajek, T.
    Wegner, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/227349.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    3D video
    video compression
    subjective quality assessment
    Opis:
    The paper presents the methodology for 3D video subjective quality evaluation. Described methodology was designed to compare different 3D video compression technologies without an influence of any particular displaying or rendering technology. In addition detailed step by step description of test session design and preparation is provided. Experimental results for state-of-the-art 3D encoders are also included. All tests were conducted on two 3D monitors (polarization and autostereoscopic) thus influence of different displaying technologies on 3D video quality assessments has also been evaluated.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2013, 59, 1; 25-32
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical studies of undoped GaP grown by LEC method
    Badania optyczne niedomieszkowanych kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC
    Autorzy:
    Surma, B.
    Wnuk, A.
    Piersa, M.
    Strzelecka, S.
    Pawłowski, M.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192030.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    GaP
    fotoluminescencja
    defekt samoistny
    pomiar Halla
    ESR
    photoluminescence
    native defects
    Hall measurements
    Opis:
    The features of undoped LEC GaP crystals with particular emphasis on their luminescence properties are presented. Hall and GDMS measurements revealed that C and Si are the main residual shallow impurities. Semi-insulating features of the samples were controlled by the presence of the phosphorous anti-site defect, P4PGa. Its presence was confirmed by ESR measurements as well as the emission at 1.05 eV. For p-type samples with phosphorous antisite defect, P4PGa, and high carbon concentration an emission at 1.9 eV has been observed. We tentatively assign this emission to the recombination of the excitons bound with isoelectronic complex PGaCp. A deep-centre luminescence with the maximum at 1.33 eV was dominant in n-type GaP and in electron-irradiated samples. The obtained results indicate that this emission results from native defect complex.
    W pracy przedstawione są badania niedomieszkowanych kryształów GaP otrzymywanych w ITME metodą LEC ze szczególnym uwzględnieniem ich własności luminescencyjnych. Pomiary Halla, absorpcyjne i GDMS wykazały, że głównymi płytkimi domieszkami resztkowymi w otrzymywanych kryształach są węgiel i krzem. Półizolujące własności badanych kryształów determinowane były obecnością fosforowego antystrukturalnego defektu P4PGa. Obecność jego została potwierdzona poprzez obecność linii rezonansowej w widmie ESR, jak również poprzez obecność emisji w podczerwieni z maksimum przy l .05 eV. W kryształach typu p, w których potwierdzona została obecność defektu P4PGa oraz stwierdzono relatywnie wysoką koncentrację węgla w widmie luminescencyjnym pojawiło się pasmo luminescencyjne z maksimum przy l .9 eV. Nasza sugestia odnośnie pochodzenia tej emisji wiązana jest z wytworzeniem się isoelektronowego kompleksu PGaCp. W niedomieszkowanych próbkach typu w jak również w próbce naświetlanej elektronami luminescencja pochodząca od głębokich centrów zdominowana była obecnością pasma leżącego przy 1.33 eV. Przeprowadzone badania wykazały, że jest ona związana z obecnością kompleksu wytworzonego przez macierzyste atomy sieci, natomiast nie zależy od koncentracji domieszek resztkowych.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 38-46
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Development of Large Vocabulary Continuous Speech Recognition for Polish
    Autorzy:
    Demenko, G.
    Szymański, M.
    Cecko, R.
    Kuśmierek, E.
    Lange, M.
    Wegner, K.
    Klessa, K.
    Owsianny, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1490468.pdf
    Data publikacji:
    2012-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    43.72.-p
    43.72.+q
    Opis:
    In this study, the results of acoustic modeling used in a large vocabulary continuous speech recognition system are presented. The acoustic models have been developed with the use of a phonetically controlled large corpus of contemporary spoken Polish. Evaluation experiments showed that relatively good speech recognition results may be obtained with adequate training material, taking into account: (a) the presence of lexical stress; (b) speech styles (a variety of segmental and prosodic structures, various degrees of spontaneity of speech (spontaneous vs. read speech), pronunciation variants and dialects); (c) the influence of the sound level and background noises. The present large vocabulary continuous speech recognition evaluation results were obtained with Sclite assessment software. Moreover, the article delivers information about the speech corpus structure and contents and also a brief outline of the design and architecture of the automatic speech recognition system.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 1A; A-086-A-091
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Integrated methods of mosquito control in Wroclaw area
    Autorzy:
    Rydzanicz, K.
    Kosierb, J.
    Lonc, E.
    Markiewicz, M.
    Puzio, A.
    Wegner, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/836945.pdf
    Data publikacji:
    1999
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
    Tematy:
    parasite
    catastrophic flood
    control
    mosquito
    Wroclaw area
    larva
    Odra River
    Źródło:
    Annals of Parasitology; 1999, 45, 4
    0043-5163
    Pojawia się w:
    Annals of Parasitology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Borrelia burgdorferi in ectoparasites of small mammals in a focus of Lyme borreliosis
    Autorzy:
    Stanczak, J.
    Racewicz, M.
    Wegner, Z.
    Kruminis-Lozowska, W.
    Kubica-Biernat, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/839097.pdf
    Data publikacji:
    1998
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
    Tematy:
    Lyme borreliosis
    Borrelia burgdorferi
    small mammal
    ectoparasite
    Źródło:
    Annals of Parasitology; 1998, 44, 3
    0043-5163
    Pojawia się w:
    Annals of Parasitology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni
    Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals
    Autorzy:
    Strzelecka, S.
    Hruban, A.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Piersa, M.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192034.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    GaP
    własności elektryczne
    własności optyczne
    optical properties
    electrical properties
    Opis:
    Niedomieszkowane monokryształy GaP o niskiej koncentracji nośników n ≤ 2 × 10^16cm-³ stosowane są głównie na elementy optyczne pracujące w bliskiej podczerwieni w zakresie widmowym (1-8) μm oraz w dalekiej podczerwieni (100 - 200) μm. Elementy te mogą posiadać duże rozmiary Φ (2”-3”). Jednym z podstawowych wymagań dla monokryształów stosowanych na elementy optyczne jest duża jednorodność własności, których miernikiem może być transmitancja. Na wartość i jednorodność transmitancji mogą mieć wpływ takie czynniki jak poziom i rozkład koncentracji nośników prądu, gęstości dyslokacji i koncentracji centrów defektowych. W ramach obecnej pracy badano wpływ tych czynników. Stwierdzono, że istnieje jednoznaczna zależność transmitancji tylko od koncentracji nośników prądu. Empirycznie wyznaczono tę zależność dla zakresu koncentracji nośników n = 10^15 - 5× 10^16cm-³ przy długości fali λ = 3100 nm.
    Undoped GaP crystals with low carrier concentration n ≤ 2 × 10^16cm-³ are mainly used on optic elements working in near infrared (1-8) um and far infrared (100 - 200) um wave range. These elements can be large Φ = (2”-3”). High homogeneity of the properties responsible for transmittance value is one of the fundamental requirement for GaP crystals used on optical elements. Value and distribution of carrier concentration, etch pits density and concentration defect centers can influence on value and homogeneity of transmittance. In the present work these factors were investigated. Distinct transmittance dependence on carrier concentration was only confirmed. This dependence was empirically determined in concentration range n = 10^15 - 5x10^16cm-³ at wavelength λ = 3100nm.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 22-27
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP
    Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals
    Autorzy:
    Strzelecka, S.
    Hruban, A.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Piersa, M.
    Orłowski, W.
    Surma, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192036.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    GaP
    obróbka termiczna
    materiał półizolujący
    własności elektryczne
    annealing
    SI crystal
    electrical properties
    Opis:
    Zbadano wpływ procesów wygrzewania na własności niedomieszkowanych monokryształów fosforku galu (GaP) otrzymanych z wsadów o różnym składzie chemicznym: bliskim stechiometrii, z nadmiarem galu lub z nadmiarem fosforu, a także o różnej koncentracji węgla. Procesom wygrzewania poddano bloki monokryształów o grubości 10-20 mm oraz płytki o grubości ∼ 700 μm. Określono warunki obróbki termicznej takie jak temperatura i czas wygrzewania oraz ciśnienie par fosforu w ampule pozwalające na otrzymanie materiału półizolujacego. Stwierdzono, że w przypadku monokryształów GaP typu n o koncentracji nośników ładunku n = (2 - 5) × 10^16 cm-³ i koncentracji węgla Nc ≤ 1 × 10^16 cm-³ w wyniku wygrzewania można otrzymać materiał półizolujący typu n. Przy koncentracji węgla Nc ∼ 5 × 10^16 cm-³ otrzymywany jest materiał półizolujący typu p.
    Influence of annealing conditions on the properties of undoped gallium phosphide crystals obtained from the melt: near stoichiometric, with gallium excess or phosphorus excess, as well as with different carbon concentration was investigated. Monocrystalline blocks with a thickness of 10 - 20 mm and wafers with a thickness of ∼ 700 urn were annealed. Annealing conditions such as the temperature, time and phosphorus vapor pressure in the ampoule allowing for obtaining semi-insulating material, were determined. It was confirmed that as result of annealing undoped GaP crystals with the carrier concentration n = (2 - 5) × 10^16 cm-³ and carbon concentration Nc ≤ 1 × 10^16 cm-³ we can obtain SI n - type material. At the carbon concentration Nc ∼ 5 × 10^16 cm-³ the SI material of p - type can be obtained.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 27-38
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni
    Determination of carbon concentration single crystals from absorption spectra in in range
    Autorzy:
    Strzelecka, S.
    Surma, B.
    Hruban, A.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Piersa, M.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192178.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    widmo absorpcyjne w podczerwieni
    krzywa kalibracji
    niedomieszkowany monokryształ GaP
    określanie koncentracji węgla
    Opis:
    W oparciu o pomiar absorpcji na lokalnych modach drgających (LVM) opracowano warunki pomiaru i krzywą kalibracji pozwalającą na określenie koncentracji węgla w niedomieszkowanych monokryształach GaP. Granice detekcji w temperaturach 12 K i 300 K wynoszą odpowiednio 1 x 10[indeks górny]15 cm-³ i 1 x 10[indeks górny]16 cm-³. Badania metodą Glow Discherge Mess Spectroscopy (GDMS) wskazują, że granicą detekcji dla tej metody jest Nc ≥ l x 10[indeks górny]17 cm-³. Pomiary hallowskie w funkcji temperatury wskazują, że węgiel jest głównym akceptorem w niedomieszkowanych monokryształach GaP.
    Method of carbon concentration assessment in GaP crystals was v It is based on absorption measurement on local vibration modes (LVM) method calibration curve and measurement conditions were found. Detection limit at 12 K and 300 K are 1 x 10[sup]15 cm³ i 1 x 10[sup]l6cm-³ respectively. GDMS dons indicate that limit detection is Nc ≥ 1 x 10[sup]17cm-³ for this method, surements versus reciprocal temperature confirm that carbon is a main undoped GaP monocrystals.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 2, 2; 24-35
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Chemical Composition of Liquid Phase and Growth Process on Physical Properties of $Bi_2Se_3,$ $Bi_2Te_3$ and $Bi_2Te_2Se$ Compounds
    Autorzy:
    Hruban, A.
    Materna, A.
    Dalecki, W.
    Strzelecka, G.
    Piersa, M.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Diduszko, R.
    Romaniec, M.
    Orłowski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492965.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.-i
    72.10.-d
    72.15.-v
    72.20.-I
    73.20.-r
    Opis:
    We studied synthesis and crystal growth of $Bi_2Te_3,$ $Bi_2Se_3$ and $Bi_2Te_2Se$ compounds by means of vertical Bridgman method. Crystals were grown from stoichiometric melts and under different molar ratio of Bi:Te, Bi:Se or Bi:Te:Se. The obtained crystals were characterized by X-ray diffraction analysis, energy dispersive X-ray spectroscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and the Hall effect measurements. Some of the samples demonstrated insulating bulk behavior, by means of resistivity versus temperature measurements.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 950-953
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
    [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates
    Autorzy:
    Hruban, A.
    Orłowski, W.
    Strzelecka, S.
    Piersa, M.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Mirowska, A.
    Rojek, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192032.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    arsenek galu
    SI GaAs
    metoda Czochralskiego
    LEC
    orientacja
    gallium arsenide
    Czochralski method
    orientation
    Opis:
    Celem pracy było dowiedzenie warunków otrzymywania półizolacyjnych monokryształów arsenku galu (SI-GaAs) o orientacji [310] i średnicy 2” i 3”. Synteza i monokrystalizacja przebiegała pod wysokim ciśnieniem metodą LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Dobrano warunki termiczne i technologiczne pozwalające otrzymywać monokryształy o średnicy 2” i 3” i ciężarze odpowiednio 2000 g i 3000 g. Monokryształy posiadały wysokie parametry elektryczne (ρ, μ) - typowe dla monokryształów półizolacyjnych o wysokim stopniu czystości. Gęstość dyslokacji kryształów [310] była o (0,5 - 1,5) rzędu niższa w porównaniu z kryształami o orientacji [100]. Warstwy epitaksjalne osadzone na podłożach o orientacji [310] wykazały lepszą morfologię powierzchni w porównaniu z osadzonymi na podłożu [100].
    The subject matter of this research work included the synthesis and growth conditions of [310]-oriented SI GaAs (semi-insulating gallium arsenide) crystals 2” or 3” in diameter. High pressure processes were applied for the synthesis and growth of LEC crystals. Thermal conditions and process parameters were determined to obtain single crystals 2” and 3” in dia, 2000 g and 3000 g in weight, respectively. They had high electrical parameters (ρ, μ), characteristic of semi-insulating high purity GaAs. Dislocation density (EPD) of [310]-oriented crystals was (0.5 - 1.5) orders of magnitude lower than in the case of the [100]-orientation. Epitaxial layers grown on [310]-oriented substrates exhibited better surface morphology than those deposited on [100]-oriented substrates.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 18-25
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis of Compressed Data Stream Content in HEVC Video Encoder
    Autorzy:
    Stankowski, J.
    Karwowski, D.
    Grajek, T.
    Wegner, K.
    Siast, J.
    Klimaszewski, K.
    Stankiewicz, O.
    Domański, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/227246.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    HEVC
    video compression
    compressed data stream analysis
    Opis:
    In this paper, a detailed analysis of the content of the bitstream, produced by the HEVC video encoder is presented. With the use of the HM 10.0 reference software the following statistics were investigated: 1) the amount of data in the encoded stream related to individual frame types, 2) the relationship between the value of the QP and the size of the bitstream at the output of the encoder, 3) contribution of individual types of data to I and B frames. The above mentioned aspects have been thoroughly explored for a wide range of target bitrates. The obtained results became the basis for highlighting guidelines that allow for efficient bitrate control in the HEVC encoder.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2015, 61, 2; 121-127
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów SI GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
    Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the Liquid Encapsulated Czochralski method
    Autorzy:
    Hruban, A.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Strzelecka, S.
    Piersa, M.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Materna, A.
    Dalecki, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192082.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    SI GaAs
    obróbka termiczna
    EPD
    gallium arsenide
    LEC thermal annealing
    Opis:
    Standardowa technologia otrzymywania półizolujących monokryształów SI GaAs składa się z 3 etapów tzn. syntezy, monokrystalizacji i obróbki termicznej, która jest niezbędna dla uzyskania rezystywności ρ ≥ 107 Ohmcm i ruchliwości nośników ładunku μ ≥ 5000 cm2/Vs. Synteza i monokrystalizacja są wykonywane w ramach jednego procesu w wysokociśnieniowym urządzeniu Czochralskiego. Standardowa obróbka termiczna jest procesem osobnym polegającym na wygrzewaniu kryształów w zamkniętych ampułach kwarcowych w atmosferze par As. Proces ten jest pracochłonny, wymaga dodatkowych urządzeń oraz zwiększa koszty. Przedmiotem pracy było uproszczenie technologii wytwarzania monokryształów SI GaAs przez obróbkę cieplną zintegrowaną z procesami syntezy i monokrystalizacji. Przeprowadzono zintegrowane procesy monokrystalizacji i wygrzewania otrzymując monokryształy o średnicach 2" i 3" i ciężarze ~ 3 kg. Własności takich kryształów porównano z monokryształami wytwarzanymi w procesach standardowych. Wykazano, że właściwości fizyczne takie jak: rezystywność, ruchliwość i gęstość dyslokacji nie zależą od sposobu prowadzenia procesu (standardowy, zintegrowany) lecz są tylko funkcją temperatury wygrzewania. Proces zintegrowany upraszcza technologię wytwarzania, a jednocześnie obniża poziom stresów termicznych eliminując pękanie kryształów.
    A standard technological process of manufacturing SI GaAs single crystals consists of 3 steps, namely synthesis, crystal growth and thermal annealing, which are necessary to reach high resistivity (ρ ≥ 107 Ohmcm) and high carrier mobility (μ ≥ 5000 cm2/Vs). Usually both synthesis and crystal growth are realized in one process in a high pressure Czochralski puller. The thermal annealing process is carried out in a sealed quartz ampoule under arsenic (As) vapor pressure. This increases the costs of the process due to a need for the equipment and, in addition, is time consuming. The subject matter of this work was the improvement of the SI GaAs technology by integrating the thermal annealing step with synthesis and crystal growth. The integrated manufacturing processes of SI GaAs crystals with 2" and 3" in diameter and ~ 3000 g in weight were performed. Their physical properties were compared with these of the crystals obtained in a standard process. Preliminary results of this work indicate that it is possible to improve the SI GaAs technology and decrease the manufacturing costs. They also prove that thermal stress in the crystals can be decreased, as a result of which cracks will not appear during the mechanical treatment (cutting, lapping).
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 38-47
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ składu chemicznego fazy ciekłej na własności niedomieszkowanych kryształów Bi2Se3
    Influence of chemical composition of the melt on physical properties of Bi2Se3 crystals
    Autorzy:
    Hruban, A.
    Materna, A.
    Strzelecka, S.
    Piersa, M.
    Orłowski, W.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Diduszko, R.
    Romaniec, M.
    Dalecki, W.
    Wołoś, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192078.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    selenek bizmutu
    Bi2Se3
    izolator topologiczny
    struktura pasmowa
    wytrącenia Se
    bismuth selenide
    topological insulator
    band structure
    precipitates Se
    Opis:
    W pracy przedstawione są wyniki badań dotyczących otrzymania dużych kryształów Bi2Se3 (L ~ 140 mm) typu n o obniżonej koncentracji nośników prądu. Materiał taki jest niezbędny do otrzymania kryształów Bi2Se3 domieszkowanych Ca na typ p, dla których możliwe są obserwacje elektronów z topologicznej, metalicznej powierzchni. Kryształy wzrastały zmodyfikowaną metoda Bridgmana. Własności fizyczne otrzymanych kryształów oceniano przy zastosowaniu następujących metod: parametry elektryczne przez pomiar rezystywności i efektu Halla w temperaturze pokojowej i w funkcji temperatury w zakresie (10 – 320 )K, pomiar składu atomowego metodą EDX, składu chemicznego metodą XRD, jakość struktury oceniano przez obserwację w mikroskopie optycznym, skaningowym i AFM. Otrzymano kryształy typu n o koncentracji nośników w zakresie 2 x 1019 cm-3 – 3 x 1017 cm-3. W obszarach o koncentracji n < 5 x 1018 cm-3 obserwuje się wytrącenia Se. Duże zagęszczenie wydzieleń obserwuje się w końcowej części hodowanych kryształów powyżej 0,9 ich długości. Na próbkach o koncentracji nośników ~ 3 x 1017 cm-3 w pomiarach rezystywności w funkcji temperatury w obszarze T < 30 K obserwuje się wzrost rezystywności ze spadkiem temperatury, wskazujący na półprzewodnikowe własności tego materiału.
    In this paper the results of the investigation into growth of n – type Bi2Se3 crystals with decreased carrier concentration are presented. Such a material is used for obtaining Ca – doped p – type Bi2Se3, in the case of which the observation of electrons from the metallic topological surface is possible. Crystals were grown by the Vertical Bridgman method (VB). For the evaluation of their physical properties the following methods were applied: resistivity and Hall effect measurements at room temperature and as a function of temperature in the (10 – 320) K range, EDX (atomic composition of compounds), XRD (chemical composition), Nomarski microscopy, scanning microscopy and AFM. Crystals with n – type conductivity and carrier concentration in the range between 2 x 1019 cm-3 and 3 x 1017 cm-3 were grown. In the material with carrier concentration n < 5 x 1018 cm-3 the precipitates of metallic Se were observed. A high concentration of Se inclusions as detecteded in the tail part of the crystals, above 0.9 of their length, when the Se excess in the melt was significantly raised. For the samples with carrier concentration n ~ 3 x 1017 cm-3, an increase in resistivity when decreasing the temperature was observed, which indicates semiconducting properties of the material.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 3, 3; 27-39
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    One step 3D printing of surface functionalized composite scaffolds for tissue engineering applications
    Autorzy:
    Kotlarz, M.
    Jordan, R.
    Wegner, E.
    Dobrzyński, P.
    Neunzehn, J.
    Lederer, A.
    Wolf-Brandstetter, C.
    Pamula, E.
    Scharnweber, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/306484.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    druk 3D
    PLGA
    węglan wapnia
    właściwości powierzchniowe
    3D printing
    calcium carbonate
    amphiphilic poly(2-oxazoline)
    degradation
    surface properties
    Opis:
    A successful approach widely used in materials science to adapt approved materials to specific applications is to design their surface properties. A main challenge in this area is the development of processing routes enabling for a simple but efficient surface design of complex shaped geometries. Against this background, this work aimed at the implementation of self-assembly principles for surface functionalization of 3D-printed poly(lactic-co-glycolic acid) (PLGA)-based constructs with macro- and microporous geometries via precision extruding deposition. Methods: Three-component melts from PLGA, CaCO3 and amphiphilic polymers (poly(2-oxazoline) block copolymer) were printed and their bulk and surface properties were studied. Results: Melts with up to 30 mass % of CaCO3 could be successfully printed with homogeneously distributed mineral particles. PLGA degradation during the printing process was temperature and time dependent: the molecular weight reached 10 to 15% of the initial values after ca. 120 min of heat exposure. Filament surfaces from melts containing CaCO3 show an increasing microroughness along with increasing CaCO3 content. Surface roughness and amphiphilic polymer content improve scaffold wettability with both factors showing synergistic effects. The CaCO3 content of the melts affected the inner filament structure during in vitro degradation in PBS, resulting in a homogeneous mineral particle-associated microporosity for mineral contents of 20 mass % and above. Conclusions: These results provide novel insights into the behavior of three-component melts from PLGA, CaCO3 and amphiphilic polymers during precision extruding deposition and show for the first time that self-assembly processes can be used to tailor scaffolds surface properties under such processing conditions.
    Źródło:
    Acta of Bioengineering and Biomechanics; 2018, 20, 2; 35-45
    1509-409X
    2450-6303
    Pojawia się w:
    Acta of Bioengineering and Biomechanics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wzrost monokryształów molibdenianu wapnia domieszkowanych jonami ziem rzadkich (CaMoO4 : RE) do badań w zakresie immobilizacji odpadów radioaktywnych
    Single crystal growth of calcium molybdate doped with rare earth ions (CaMoO4 : RE) for investigation of nuclear waste immobilisation
    Autorzy:
    Świrkowicz, M.
    Szyrski, W.
    Kisielewski, J.
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Malinowska, A.
    Wierzbicka, E.
    Karaś, A.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192090.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    metoda Czochralskiego
    molibdeniany
    materiały scyntylacyjne
    immobilizacja odpadów radioaktywnych
    ziemie rzadkie
    ICP-OES
    topografia synchrotronowa
    Czochralski method
    molybdates
    scintillator materials
    immobilisation of nuclear waste
    rare earths
    synchrotron topography
    Opis:
    Stosując metodę Czochralskiego oraz układ cieplny z tyglem platynowym o średnicy 55 mm i wysokości 55 mm oraz biernym dogrzewaczem platynowym uzyskano monokryształy CaMoO4 niedomieszkowane i domieszkowane europem, neodymem oraz jednocześnie europem i neodymem o średnicy do 25 mm i długości do 90 mm. Szybkość wzrostu zawarta była w zakresie 1,5 - 3,0 mm/h, a szybkość obrotowa 10 - 15 obr./min. Pierwsze procesy wzrostu przeprowadzono stosując niezorientowane zarodki z CaWO4 (National Institute of Standards and Technology, USA). W oparciu o otrzymane monokryształy przygotowano zarodki o orientacji [001]. Przeprowadzono badania dyfrakcyjne rentgenowskie, synchrotronowe topograficzne, właściwości optycznych i składu chemicznego. Określono współczynniki segregacji europu i neodymu (kEu ≈ 0,40, kNd ≈ 0,28). Stwierdzono, że w przypadku współdomieszkowania rośnie współczynnik segregacji neodymu a maleje europu (kEu ≈ 0,30 i kNd ≈ 0,32). Transmisja optyczna monokryształów silnie zależy od domieszki. W przypadku neodymu obserwuje się wyraźne i ostre pasma absorpcji. Monokryształy z europem wykazują silną absorpcję w zakresie widzialnym i bliskiej podczerwieni.
    Single crystals of CaMoO4 either undoped or doped with europium, neodymium and europium and at the same time with neodymium with a diameter of 25 mm and a length of up to 90 mm, were obtained using the Czochralski method and a thermal system with a platinum crucible 55 mm in diameter and 55 mm in height and a passive platinum afterheater. The growth rate was in the 1.5 - 3.0 mm/h range and the rotation rate varied between 10 and 15 r./min. At the beginning, the growth processes were carried out applying un-oriented CaWO4 seeds (from the National Institute of Standards and Technology, USA). Based on the resultant single crystals, [001] - oriented seeds were prepared. X-ray powder diffraction patterns, synchrotron topography, optical transmission and chemical compositions were measured. Segregation coefficients of europium and neodymium were determined to be kEu ≈ 0,40 and kNd ≈ 0,28 respectively. In the case of co-doping, the segregation coefficient of neodymium increases and that of europium decreases (kEu ≈ 0,30 and kNd ≈ 0,32). The optical transmission of single crystals strongly depends on the dopant. Sharp and narrow absorption bands are observed for neodymium, whereas single crystals with europium exhibit a strong absorption in the visible and near-infrared regions.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 4, 4; 10-19
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-20 z 20

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies