Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Wegner, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 20
Tytuł:
Immobilizacja Pb(II) przez krystalizację piromorfitu na galenie w obecności nawozów fosforanowych
Immobilization of Pb(II) by crystallization of pyromorphite on galena in the presence of phosphate fertilizers
Autorzy:
Manecki, M.
Bajda, T.
Wegner, M.
Borkiewicz, O.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/183579.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
rekultywacja
neutralizacja skażeń Pb
zanieczyszczenie gleb
reclamation
neutralization of contamination with Pb
soil pollution
Opis:
In the presence of PO/4/3- and Cl/- ions, dissolution of galena PbS is accompanied with crystallization of pyromorphite Pb5(PO4)3Cl. This results in reduction of Pb(II) concentration which is more effective at pH 4 and 5 than at pH 2 and 3. When commercial fertilizers (Azofoska and Superfosfat) are used, the mechanism of Pb immobilization is identical. Azofoska is more effective and lowers the concentration of Pb below 0.05 mg/dm3.
Źródło:
Geologia / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie; 2009, 35, 2/1; 263-269
0138-0974
Pojawia się w:
Geologia / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza rozkładu energii odkształcenia z uwzględnieniem tarcia powierzchniowego w pierścieniu wykonanym z materiału o właściwościach hiperelastycznych
Analysis of distribution of strain energy including superficial friction phenomena in a ring made of material with hyperelastic properties
Autorzy:
Wegner, T.
Kokot, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/209421.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
energetyczny element skończony
materiał hiperelastyczny
metody energetyczne
tarcie powierzchniowe
energy-based finite element
hyperelastic material
energy methods
surface friction
Opis:
Rozwój technologii informatycznych pozwolił na wprowadzenie do obliczeń inżynierskich na masową skalę programów wykorzystujących metodę elementów skończonych MES do symulowania zachowania się elementów maszyn, urządzeń mechanicznych oraz zjawisk fizycznych. Głównym problemem ich zastosowania w przypadku analizy tarcia powierzchniowego jest to, że w większości są przeznaczone tylko do obliczeń materiałów o właściwościach liniowych. To zjawisko ma szczególne znaczenie przy obliczeniach materiałów hiperelastycznych, do których należy również guma. Jest ona dzisiaj masowo wykorzystywana w różnych dziedzinach techniki. Zjawisko tarcia ma bezpośredni wpływ na odkształcanie się przedmiotów wykonanych z materiałów hiperelastycznych. Do obliczeń tych materiałów zastosowano metodę energetyczną, wykorzystującą element skończony o nieliniowych właściwościach modelowany energetycznie oraz oryginalny algorytm iteracyjny nazwany metodą relaksacji lokalnej. W artykule przedstawiono zastosowanie metody energetycznej do wyznaczenia odkształceń pierścienia gumowego z uwzględnieniem zjawiska tarcia powierzchniowego. Oprócz otrzymanych deformacji danego elementu przedstawiono również wyniki obliczeń dyssypacji energii spowodowanej pracą sił tarcia oraz rozkłady energii odkształcenia postaciowego i objętościowego w poszczególnych warstwach odkształcanego pierścienia.
The information technology development improved engineering calculations by global spread of finite element method FEM to simulate behaviour of machine elements, mechanical devices and physical phenomena. The main problem of using it in case of superficial friction phenomenon is that in most cases its main purpose is to calculate materials of linear properties. This phenomenon is especially important for calculations of hyperelastic materials which include rubber. Nowadays, it is widely used in technology. Friction directly influences on deformations of objects made from hyperelastic materials. Energy method has been used for materials’ calculations by means of energy-based finite element of non-linear features, and iterative algorithm, named the local relaxation method. This paper presents the application of energy method for rubber ring deformations assignment including the superficial friction phenomena. Besides the observed deformations of examined element, there have been also presented the results of energy dissipation caused by friction forces work and the energy density distribution of volumetric and deviatoric strain in particular layers of the deformed ring.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2012, 61, 4; 133-151
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of a surface friction on the deformation process of ring made of nonlinear properties material
Autorzy:
Wegner, T.
Kokot, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/243889.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Instytut Techniczny Wojsk Lotniczych
Tematy:
hyperelastic material
surface friction
energy methods
energy-based finite element
Opis:
The paper presents application of an energy-based finite element and a local relaxation method to computer calculation of deformation of a ring made of hyperelastic material. The present study considers a surface friction mechanism. This mechanism is a physical phenomenon counteracting the relative motion of the contacting bodies. Friction causes loss of energy the dissipation of which is a result of wearing out of the bodies' surfaces and heat emission. This directly affects the shape of the deformed body. The above statements are confirmed by the results of computer calculation performed for rubber ring with rectangular cross-section. Rubber is a nearly incompressible material and, therefore, requires application of special mechanical models of the material properties as well as proper calculation methods. Implementation of energy-based finite element and local relaxation method enables studying the ring deformation with consideration of nonlinear properties of rubber and its displacements in the platering contact plane, according to the value of a friction coefficient between rubber and the plate material. Application of energy method resulted in determination of the work of friction forces and the energy density distribution of volumetric and deviatoric strain. It also simplified energy analysis of the surface friction mechanism and influence of the friction coefficient value on the process of the ring deformation.
Źródło:
Journal of KONES; 2010, 17, 1; 465-478
1231-4005
2354-0133
Pojawia się w:
Journal of KONES
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effects of Core-Hole Screening on Spin-Polarised Auger Spectra from Ferromagnetic Ni
Autorzy:
Wegner, T.
Potthoff, M.
Nolting, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2013223.pdf
Data publikacji:
2000-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.20.Fv
71.20.Be
75.60.Ej
Opis:
We calculate the spin- and temperature-dependent local density of states for ferromagnetic Ni in the presence of a core hole at a distinguished site in the lattice. Correlations among the valence electrons and between valence and core electrons are described within a multi-band Hubbard model which is treated by means of second-order perturbation theory around the Hartree-Fock solution. The core-hole potential causes strong screening effects in the Ni valence band. The local magnetic moment is found to be decreased by a factor of 5-6. The consequences for the spin polarisation of CVV Auger electrons are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 3; 567-570
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Platforma przetwarzania rozproszonego bazująca na sieci NoC
Distributed processing platform based on NoC network
Autorzy:
Łuczak, A.
Kurc, M.
Stępniewska, M.
Wegner, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/154056.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
przetwarzanie rozproszone
układy programowalne
FPGA
kompresja obrazu
AVC
VC-1
sieć w układzie
sieć NoC
scattered processing
video compression
Network on Chip (NoC)
NoC network
Opis:
W artykule zaprezentowano oryginalną platformę przetwarzania rozproszonego wykorzystującą sieć NoC (Network-on-Chip) jako infrastrukturę komunikacyjną. Proponowaną platformę zrealizowano wykorzystując układy FPGA jako elementy na których zaprogramowano interesujące projektanta bloki obliczeniowe. Pokazano cechy takiego systemu oraz zalety przetwarzania rozproszonego realizowanego na wielu niezależnych fizycznie układach ASIC czy FPGA.
The paper presents an original dissipated processing platform based on Network on Chip as communicative infrastructure. In the introduction the need for using dissipated processing to increase computational power of video compression systems is shown. Features of the dissipated processing system and advantages of its implementing in many physically independent FPGA or ASIC are shown. Several consecutive logical structures of the proposed system, differing in flexibility and implementation efforts, are given. In the third section a novel version of Network on Chip used as a communicative layer in the proposed platform is described. The hierarchic structure of this network and implemented communication modules are described. The proposed platform was built basing on Field Programmable Gate Array (FPGA) as elements on which computational blocks were programmed. Schematic diagram of the proposed system is shown in Fig. 1. The complete platform composed of nine boards with Field Programmable Gate Array (FPGA) is presented in Fig. 5.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2009, R. 55, nr 8, 8; 690-692
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Methodology for 3D Video Subjective Quality Evaluation
Autorzy:
Lewandowski, F.
Paluszkiewicz, M.
Grajek, T.
Wegner, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/227349.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
3D video
video compression
subjective quality assessment
Opis:
The paper presents the methodology for 3D video subjective quality evaluation. Described methodology was designed to compare different 3D video compression technologies without an influence of any particular displaying or rendering technology. In addition detailed step by step description of test session design and preparation is provided. Experimental results for state-of-the-art 3D encoders are also included. All tests were conducted on two 3D monitors (polarization and autostereoscopic) thus influence of different displaying technologies on 3D video quality assessments has also been evaluated.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2013, 59, 1; 25-32
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical studies of undoped GaP grown by LEC method
Badania optyczne niedomieszkowanych kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC
Autorzy:
Surma, B.
Wnuk, A.
Piersa, M.
Strzelecka, S.
Pawłowski, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192030.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaP
fotoluminescencja
defekt samoistny
pomiar Halla
ESR
photoluminescence
native defects
Hall measurements
Opis:
The features of undoped LEC GaP crystals with particular emphasis on their luminescence properties are presented. Hall and GDMS measurements revealed that C and Si are the main residual shallow impurities. Semi-insulating features of the samples were controlled by the presence of the phosphorous anti-site defect, P4PGa. Its presence was confirmed by ESR measurements as well as the emission at 1.05 eV. For p-type samples with phosphorous antisite defect, P4PGa, and high carbon concentration an emission at 1.9 eV has been observed. We tentatively assign this emission to the recombination of the excitons bound with isoelectronic complex PGaCp. A deep-centre luminescence with the maximum at 1.33 eV was dominant in n-type GaP and in electron-irradiated samples. The obtained results indicate that this emission results from native defect complex.
W pracy przedstawione są badania niedomieszkowanych kryształów GaP otrzymywanych w ITME metodą LEC ze szczególnym uwzględnieniem ich własności luminescencyjnych. Pomiary Halla, absorpcyjne i GDMS wykazały, że głównymi płytkimi domieszkami resztkowymi w otrzymywanych kryształach są węgiel i krzem. Półizolujące własności badanych kryształów determinowane były obecnością fosforowego antystrukturalnego defektu P4PGa. Obecność jego została potwierdzona poprzez obecność linii rezonansowej w widmie ESR, jak również poprzez obecność emisji w podczerwieni z maksimum przy l .05 eV. W kryształach typu p, w których potwierdzona została obecność defektu P4PGa oraz stwierdzono relatywnie wysoką koncentrację węgla w widmie luminescencyjnym pojawiło się pasmo luminescencyjne z maksimum przy l .9 eV. Nasza sugestia odnośnie pochodzenia tej emisji wiązana jest z wytworzeniem się isoelektronowego kompleksu PGaCp. W niedomieszkowanych próbkach typu w jak również w próbce naświetlanej elektronami luminescencja pochodząca od głębokich centrów zdominowana była obecnością pasma leżącego przy 1.33 eV. Przeprowadzone badania wykazały, że jest ona związana z obecnością kompleksu wytworzonego przez macierzyste atomy sieci, natomiast nie zależy od koncentracji domieszek resztkowych.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 38-46
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Development of Large Vocabulary Continuous Speech Recognition for Polish
Autorzy:
Demenko, G.
Szymański, M.
Cecko, R.
Kuśmierek, E.
Lange, M.
Wegner, K.
Klessa, K.
Owsianny, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1490468.pdf
Data publikacji:
2012-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
43.72.-p
43.72.+q
Opis:
In this study, the results of acoustic modeling used in a large vocabulary continuous speech recognition system are presented. The acoustic models have been developed with the use of a phonetically controlled large corpus of contemporary spoken Polish. Evaluation experiments showed that relatively good speech recognition results may be obtained with adequate training material, taking into account: (a) the presence of lexical stress; (b) speech styles (a variety of segmental and prosodic structures, various degrees of spontaneity of speech (spontaneous vs. read speech), pronunciation variants and dialects); (c) the influence of the sound level and background noises. The present large vocabulary continuous speech recognition evaluation results were obtained with Sclite assessment software. Moreover, the article delivers information about the speech corpus structure and contents and also a brief outline of the design and architecture of the automatic speech recognition system.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 1A; A-086-A-091
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Integrated methods of mosquito control in Wroclaw area
Autorzy:
Rydzanicz, K.
Kosierb, J.
Lonc, E.
Markiewicz, M.
Puzio, A.
Wegner, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/836945.pdf
Data publikacji:
1999
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
Tematy:
parasite
catastrophic flood
control
mosquito
Wroclaw area
larva
Odra River
Źródło:
Annals of Parasitology; 1999, 45, 4
0043-5163
Pojawia się w:
Annals of Parasitology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Borrelia burgdorferi in ectoparasites of small mammals in a focus of Lyme borreliosis
Autorzy:
Stanczak, J.
Racewicz, M.
Wegner, Z.
Kruminis-Lozowska, W.
Kubica-Biernat, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/839097.pdf
Data publikacji:
1998
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
Tematy:
Lyme borreliosis
Borrelia burgdorferi
small mammal
ectoparasite
Źródło:
Annals of Parasitology; 1998, 44, 3
0043-5163
Pojawia się w:
Annals of Parasitology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni
Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals
Autorzy:
Strzelecka, S.
Hruban, A.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192034.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaP
własności elektryczne
własności optyczne
optical properties
electrical properties
Opis:
Niedomieszkowane monokryształy GaP o niskiej koncentracji nośników n ≤ 2 × 10^16cm-³ stosowane są głównie na elementy optyczne pracujące w bliskiej podczerwieni w zakresie widmowym (1-8) μm oraz w dalekiej podczerwieni (100 - 200) μm. Elementy te mogą posiadać duże rozmiary Φ (2”-3”). Jednym z podstawowych wymagań dla monokryształów stosowanych na elementy optyczne jest duża jednorodność własności, których miernikiem może być transmitancja. Na wartość i jednorodność transmitancji mogą mieć wpływ takie czynniki jak poziom i rozkład koncentracji nośników prądu, gęstości dyslokacji i koncentracji centrów defektowych. W ramach obecnej pracy badano wpływ tych czynników. Stwierdzono, że istnieje jednoznaczna zależność transmitancji tylko od koncentracji nośników prądu. Empirycznie wyznaczono tę zależność dla zakresu koncentracji nośników n = 10^15 - 5× 10^16cm-³ przy długości fali λ = 3100 nm.
Undoped GaP crystals with low carrier concentration n ≤ 2 × 10^16cm-³ are mainly used on optic elements working in near infrared (1-8) um and far infrared (100 - 200) um wave range. These elements can be large Φ = (2”-3”). High homogeneity of the properties responsible for transmittance value is one of the fundamental requirement for GaP crystals used on optical elements. Value and distribution of carrier concentration, etch pits density and concentration defect centers can influence on value and homogeneity of transmittance. In the present work these factors were investigated. Distinct transmittance dependence on carrier concentration was only confirmed. This dependence was empirically determined in concentration range n = 10^15 - 5x10^16cm-³ at wavelength λ = 3100nm.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 22-27
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP
Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals
Autorzy:
Strzelecka, S.
Hruban, A.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192036.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaP
obróbka termiczna
materiał półizolujący
własności elektryczne
annealing
SI crystal
electrical properties
Opis:
Zbadano wpływ procesów wygrzewania na własności niedomieszkowanych monokryształów fosforku galu (GaP) otrzymanych z wsadów o różnym składzie chemicznym: bliskim stechiometrii, z nadmiarem galu lub z nadmiarem fosforu, a także o różnej koncentracji węgla. Procesom wygrzewania poddano bloki monokryształów o grubości 10-20 mm oraz płytki o grubości ∼ 700 μm. Określono warunki obróbki termicznej takie jak temperatura i czas wygrzewania oraz ciśnienie par fosforu w ampule pozwalające na otrzymanie materiału półizolujacego. Stwierdzono, że w przypadku monokryształów GaP typu n o koncentracji nośników ładunku n = (2 - 5) × 10^16 cm-³ i koncentracji węgla Nc ≤ 1 × 10^16 cm-³ w wyniku wygrzewania można otrzymać materiał półizolujący typu n. Przy koncentracji węgla Nc ∼ 5 × 10^16 cm-³ otrzymywany jest materiał półizolujący typu p.
Influence of annealing conditions on the properties of undoped gallium phosphide crystals obtained from the melt: near stoichiometric, with gallium excess or phosphorus excess, as well as with different carbon concentration was investigated. Monocrystalline blocks with a thickness of 10 - 20 mm and wafers with a thickness of ∼ 700 urn were annealed. Annealing conditions such as the temperature, time and phosphorus vapor pressure in the ampoule allowing for obtaining semi-insulating material, were determined. It was confirmed that as result of annealing undoped GaP crystals with the carrier concentration n = (2 - 5) × 10^16 cm-³ and carbon concentration Nc ≤ 1 × 10^16 cm-³ we can obtain SI n - type material. At the carbon concentration Nc ∼ 5 × 10^16 cm-³ the SI material of p - type can be obtained.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 27-38
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni
Determination of carbon concentration single crystals from absorption spectra in in range
Autorzy:
Strzelecka, S.
Surma, B.
Hruban, A.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192178.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
widmo absorpcyjne w podczerwieni
krzywa kalibracji
niedomieszkowany monokryształ GaP
określanie koncentracji węgla
Opis:
W oparciu o pomiar absorpcji na lokalnych modach drgających (LVM) opracowano warunki pomiaru i krzywą kalibracji pozwalającą na określenie koncentracji węgla w niedomieszkowanych monokryształach GaP. Granice detekcji w temperaturach 12 K i 300 K wynoszą odpowiednio 1 x 10[indeks górny]15 cm-³ i 1 x 10[indeks górny]16 cm-³. Badania metodą Glow Discherge Mess Spectroscopy (GDMS) wskazują, że granicą detekcji dla tej metody jest Nc ≥ l x 10[indeks górny]17 cm-³. Pomiary hallowskie w funkcji temperatury wskazują, że węgiel jest głównym akceptorem w niedomieszkowanych monokryształach GaP.
Method of carbon concentration assessment in GaP crystals was v It is based on absorption measurement on local vibration modes (LVM) method calibration curve and measurement conditions were found. Detection limit at 12 K and 300 K are 1 x 10[sup]15 cm³ i 1 x 10[sup]l6cm-³ respectively. GDMS dons indicate that limit detection is Nc ≥ 1 x 10[sup]17cm-³ for this method, surements versus reciprocal temperature confirm that carbon is a main undoped GaP monocrystals.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 2, 2; 24-35
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Chemical Composition of Liquid Phase and Growth Process on Physical Properties of $Bi_2Se_3,$ $Bi_2Te_3$ and $Bi_2Te_2Se$ Compounds
Autorzy:
Hruban, A.
Materna, A.
Dalecki, W.
Strzelecka, G.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Diduszko, R.
Romaniec, M.
Orłowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492965.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
72.10.-d
72.15.-v
72.20.-I
73.20.-r
Opis:
We studied synthesis and crystal growth of $Bi_2Te_3,$ $Bi_2Se_3$ and $Bi_2Te_2Se$ compounds by means of vertical Bridgman method. Crystals were grown from stoichiometric melts and under different molar ratio of Bi:Te, Bi:Se or Bi:Te:Se. The obtained crystals were characterized by X-ray diffraction analysis, energy dispersive X-ray spectroscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and the Hall effect measurements. Some of the samples demonstrated insulating bulk behavior, by means of resistivity versus temperature measurements.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 950-953
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
[310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates
Autorzy:
Hruban, A.
Orłowski, W.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Mirowska, A.
Rojek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192032.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
arsenek galu
SI GaAs
metoda Czochralskiego
LEC
orientacja
gallium arsenide
Czochralski method
orientation
Opis:
Celem pracy było dowiedzenie warunków otrzymywania półizolacyjnych monokryształów arsenku galu (SI-GaAs) o orientacji [310] i średnicy 2” i 3”. Synteza i monokrystalizacja przebiegała pod wysokim ciśnieniem metodą LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Dobrano warunki termiczne i technologiczne pozwalające otrzymywać monokryształy o średnicy 2” i 3” i ciężarze odpowiednio 2000 g i 3000 g. Monokryształy posiadały wysokie parametry elektryczne (ρ, μ) - typowe dla monokryształów półizolacyjnych o wysokim stopniu czystości. Gęstość dyslokacji kryształów [310] była o (0,5 - 1,5) rzędu niższa w porównaniu z kryształami o orientacji [100]. Warstwy epitaksjalne osadzone na podłożach o orientacji [310] wykazały lepszą morfologię powierzchni w porównaniu z osadzonymi na podłożu [100].
The subject matter of this research work included the synthesis and growth conditions of [310]-oriented SI GaAs (semi-insulating gallium arsenide) crystals 2” or 3” in diameter. High pressure processes were applied for the synthesis and growth of LEC crystals. Thermal conditions and process parameters were determined to obtain single crystals 2” and 3” in dia, 2000 g and 3000 g in weight, respectively. They had high electrical parameters (ρ, μ), characteristic of semi-insulating high purity GaAs. Dislocation density (EPD) of [310]-oriented crystals was (0.5 - 1.5) orders of magnitude lower than in the case of the [100]-orientation. Epitaxial layers grown on [310]-oriented substrates exhibited better surface morphology than those deposited on [100]-oriented substrates.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 18-25
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 20

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies