Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Szatkowski, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-11 z 11
    Tytuł:
    Algorytm dla lokalizacji punktów skupienia ciągów
    Algorithm for identification of limit points of sequences
    Autorzy:
    Szatkowski, A.
    Cichosz, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/267322.pdf
    Data publikacji:
    2004
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Opis:
    Przedstawiono sformułowanie algorytmu numerycznego dla lokalizacji punktów skupienia ciągów w przestrzeni R do n-tej. Proponowany algorytm należy do grupy algorytmów wykorzystujących identyfikację przedziałową (komórkową) oraz sortowanie. W proponowanym algorytmie zastosowano procedurę tworzenia ciągu elementarnych przedziałów selekcji - identyfikacji przyporządkowywanych punktom trajektorii numerycznej - w przypadku, gdy elementy analizowanego ciągu dane są przepisem realizowanym obliczeniowo lub - punktom trajektorii otrzymywanej na podstawie eksperymentu związanego z pomiarami. Rozważane są trajektorie z czasem dyskretnym lub po dyskretyzacji zmiennej niezależnej. Przyporządkowywanie ciągu elementarnych przedziałów selekcji - identyfikacji może być realizowane po utworzeniu lub po zarejestrowaniu ciągu będącego w przypadku ogólnym skończonym podciągiem początkowym analizowanego ciągu.
    An algorithm for identification of the limit points of sequences in an Euclidean space is proposed. The sets of limit points of the analysed sequences are not necessary the one element sets. The example concerning the switched system has been enclosed.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2004, 20; 147-156
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Rozszerzony algorytm eliminacji Gaussa dla komputerowej analizy układów
    Extended Gauss algorithm for computer analysys
    Autorzy:
    Szatkowski, A.
    Cichosz, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/268448.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Opis:
    Przedstawiono opis algorytmu eliminacji Gaussa sformułowanego dla układów równań liniowych o dowolnej liczbie równań i dowolnej liczbie zmiennych niezależnych niewiadomych. Podano warunek konieczny i dostateczny na istnienie rozwiązań dla danego układu równań na niesprzeczność układu równań. Warunek ten sformułowano w postaci odpowiedniej dla potrzeb wykonywanych analiz obliczeniowych oraz z uwzględnieniem organizacji obliczeń realizowanych z wykorzystaniem komputera. Programy komputerowej analizy liniowych sieci elektronicznych, otrzymywanych jako modele małosygnałowe w wyniku linearyzacji zastosowanej w odniesieniu do pełnych modeli nieliniowych dynamicznych układów scalonych dużej skali integracji w otoczeniu zadanych punktów pracy, wymagają dla realizacji zadań obliczeniowych rozszerzonego algorytmu rozwiązywania układów algebraicznych równań liniowych.
    The modified Gauss algorithm for solving systems of linear algebraic equations has been presented. The necessary and sufficient conditions for the existence of the solutions of the systems of linear algebraic equations have been announced. The presented method may be applied to the analyses of linear or linearized models of electronic integrated circuits.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2003, 19; 119-126
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Identyfikacja i przetwarzanie cyfrowe sygnałów szumów RTS występujących w przyrządach półprzewodnikowych
    Identification and digital processing of RTS noise in semiconductor devices
    Autorzy:
    Cichosz, J.
    Szatkowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/268473.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Opis:
    W referacie przedstawiono metody identyfikacji szumów RTS. Zaproponowano graficzną metodę identyfikacji tych szumów oraz sposób wyznaczania średnich czasów trwania impulsów. Metodę oraz sposób wyznaczania średnich czasów trwania impulsów omówiono na przykładzie oceny szumów własnych przyrządów półprzewodnikowych z zakresu małych częstotliwości.
    A new method for recognition of RTS noise is described. The method is useful in quick selection of semiconductor devices for further RTS examination. The results of median filtering of RTS noise are enclosed. An algorithm of estimating of RTS impulses mean times is described.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2005, 21; 29-37
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Komputerowy algorytm identyfikacji szumów RTS
    A computing algorithm of multi-level RTS noise identification
    Autorzy:
    Cichosz, J.
    Konczakowska, A.
    Szatkowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/268745.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Opis:
    W referacie przedstawiono algorytm identyfikacji wielopoziomowych szumów RTS {Random Telegraph Signal) w sygnałach szumowych małej częstotliwości oparty na aproksymacji odcinkowo-stałej. Algorytm umożliwia wydzielanie składowej RTS z sygnału szumowego przyrządu półprzewodnikowego. W wyniku zastosowania algorytmu można wyznaczyć wartości poziomów impulsów RTS i ich czasy trwania. Dokładność wydzielenia składowej RTS przeanalizowano badając zgodność z rozkładem Gaussa lej części sygnału szumowego, którą otrzymano po odjęciu składowej RTS zidentyfikowanej z wykorzystaniem zaproponowanej procedury.
    A computing algorithm of identification of multi-level RTS noise has been proposed. The procedure makes it possible to extract the RTS component from noise signal which has been recorded. The proposed computing algorithm is the well-processing procedure in the case, if an RTS with noise being analysed decomposes into the sum of the RTS component and the remainder component having the mean value equal to zero, where the arithmetic mean value is calculated on the time intervals being the domains of the successive RTS pulses, and next, if a respectively defined separation condition is satisfied by the successive RTS pulses. With the use of the computing procedure one can find the levels and duration times of the sequence of the successive RTS pulses. One can estimate the accuracy of the extraction of an RTS component of an RTS with noise by analysing the statistical properties of the remainder component, which is expected to be a gaussian noise having zero mean value. Also NSP analyses of the extracted Random Telegraph Signals and of the remainder noise components have been taken into account. The procedure has been used and discussed in examination of the low-frequency noise of the semiconductor devices.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2006, 22; 9-18
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Metody analizy szumu telegrafistów przyrządów półprzewodnikowych
    Methods of analysis of random telegraph signal noise (RTS noise) of semiconductor devices
    Autorzy:
    Cichosz, J.
    Konczakowska, A.
    Stawarz-Graczyk, B.
    Szatkowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/153818.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    szum telegrafistów
    metody identyfikacji szumu telegrafistów
    przetwarzanie cyfrowe szumu
    random telegraph noise signal
    methods of RTS noise identification
    digital processing of noise
    Opis:
    Scharakteryzowano szum telegrafistów (Random Telegraph Signal - RTS), który może występować w szumie własnym przyrządów półprzewodnikowych, jako składowa niegaussowska. Podkreślono, że szum telegrafistów jest efektem defektów materiałów zastosowanych w produkcji przyrządów półprzewodnikowych lub nieprawidłowości procesu produkcyjnego. Przedstawiono metody identyfikacji wielopoziomowego szumu telegrafistów, na przykładzie przebiegów szumów własnych przyrządów półprzewodnikowych.
    The Random Telegraph Signal noise which can occur in inherent noise of semiconductor devices as a non-Gaussian component is characterized. It was emphasized that the RTS noise is caused by defects of applied materials or manufacturing incorrectness. The methods of identification of multilevel RTS noise in an inherent noise of semiconductor devices are presented.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2008, R. 54, nr 3, 3; 91-94
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The potential application of sheep wool as a component of composites
    Autorzy:
    Szatkowski, P.
    Tadla, A.
    Flis, Z.
    Szatkowska, M.
    Suchorowiec, K.
    Molik, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2119504.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Zootechniczne
    Tematy:
    sheep wool
    material engineering
    composite material
    polymer
    Opis:
    Composite materials, which can have a wide range of properties, can have an important role in protecting the natural environment. Until now, the most popular fibres used in composites have been those obtained by chemical processes. Natural fibres are much less commonly used, but interest in them is growing due to the principles of eco-development, care for the environment, and their important fact that they are biodegradable. Sheep wool, due to its unique physicochemical properties, such as thermal and sound insulation and the ability to absorb and release moisture, can be used as a fibre in biodegradable composites. Biodegradable polymers are becoming increasingly popular as an alternative to plastics, which have a negative impact on the environment. Although the use of biodegradable polymers is limited by their poor mechanical and thermal properties, a filler in the form of sheep wool fibres increases the mechanical properties of the composite and reduces production costs, while maintaining its biodegradability. Mixed wool is treated as a waste product which is difficult to utilize in the textile industry, but innovative applications in agriculture and medicine provide the opportunity to make use of it. As a fibre with unique physicochemical properties, wool can be used as an element of biocomposites in line with the strategies of bioeconomy and sustainable development.
    Źródło:
    Roczniki Naukowe Polskiego Towarzystwa Zootechnicznego; 2021, 17, 4; 1-8
    1733-7305
    Pojawia się w:
    Roczniki Naukowe Polskiego Towarzystwa Zootechnicznego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep Level Transient Spectroscopy Studies of CdMnTe
    Autorzy:
    Szatkowski, J.
    Płaczek-Popko, E.
    Hajdusianek, A.
    Kuźmiński, S.
    Bieg, B.
    Becla, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1873000.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.30.+y
    Opis:
    Deep levels in Ga doped n-type CdMnTe of 1% and 5% Mn contents and In doped n-type CdMnTe of 20% Mn content were studied using deep level transient spectroscopy technique. Our deep level transient spectroscopy results show presence of several groups of different traps.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 387-390
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Synthesis and characterization of hydroxyapatite/chitosan composites
    Autorzy:
    Szatkowski, T.
    Kołodziejczak-Radzimska, A.
    Zdarta, J.
    Szwarc-Rzepka, K.
    Paukszta, D.
    Wysokowski, M.
    Ehrlich, H.
    Jesionowski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/109806.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    hydroxyapatite
    chitosan
    composite
    one-step co-precipitation
    Opis:
    Hydroxyapatite (HAp)/chitosan (CS) composites were synthesized via a one-step co-precipitation method from aqueous solution, with the use of calcium chloride (CaCl2) and disodium hydrogen phosphate (Na2HPO4). CS was obtained via partial deacetylation of chitin with the use of strong sodium hydroxide solution. Composites were prepared with various HAp/CS ratios (30/70, 50/50, 70/30, 85/15) for comprehensive comparison of their properties. Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FT-IR) analysis showed that hydrogen bonds were formed between the organic matrix and the mineral compound, confirming a successful phase interconnection. X-ray diffraction patterns were obtained, enabling examination of the crystalline properties of the composites, including HAp identification. The porous structure parameters of the composites were investigated, and morphological analysis (SEM) was performed. Differential Thermal Gravimetry (DTG) analysis of the composites indicated that the material is thermally stable up to 200 oC. Additionally, Energy Dispersive Spectroscopy (EDS) analysis of the mineral was carried out to check the Ca/P ratio, and confirmed its similarity to pure HAp.
    Źródło:
    Physicochemical Problems of Mineral Processing; 2015, 51, 2; 575-585
    1643-1049
    2084-4735
    Pojawia się w:
    Physicochemical Problems of Mineral Processing
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Positron Annihilation Characteristics in Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se Mixed Crystals
    Autorzy:
    Firszt, F.
    Szatkowski, J.
    Męczyńska, H.
    Łęgowski, S.
    Saarinen, K.
    Hautojarvi, P.
    Plazaola, A.
    Reniewicz, H.
    Dobrzyński, L.
    Chabik, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1969067.pdf
    Data publikacji:
    1998-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.70.Bj
    78.55.Et
    81.40.Ef
    Opis:
    Positron annihilation characteristics as a function of composition and annealing in zinc vapour were measured and compared with photoluminescence spectra for Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se mixed crystals with 0 ≤ x ≤ 0.6. The positron annihilation data show that there is a substantial number of divacancies present in the system under study. The concentration of such defects is reduced at least by the factor of two upon annealing in zinc vapour.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 300-304
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation of Electronic Structure of Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$ Mixed Crystals by Compton Spectroscopy Method
    Autorzy:
    Reniewicz, H.
    Andrejczuk, A.
    Dobrzyński, L.
    Rećko, K.
    Waliszewski, J.
    Żukowski, E.
    Firszt, F.
    Łęgowski, S.
    Męczyńska, H.
    Szatkowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952072.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.20.-b
    71.45.-d
    61.80.Ed
    71.55.Gs
    Opis:
    The first experimental study of the Compton profiles of Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se for x=0.25, 0.47, 0.56 mixed crystals is presented. The Compton profiles were measured with the use of the $\text{}^{241}$Am radioactive source with a resolution of 0.57 a.u. The experimentally obtained Compton profiles were compared with the theoretical ones based on the free-atom model. The results are interpreted in terms of outermost electrons of Zn and Mg being promoted to the higher momentum states, and 4p-electrons of Se becoming more delocalised in a solid, being thus promoted to the lower momentum states.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 907-910
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep Levels Induced by CdTe/ZnTe Quantum Dots
    Autorzy:
    Zielony, E.
    Placzek-Popko, E.
    Roznicka, A.
    Gumienny, Z.
    Szatkowski, J.
    Dyba, P.
    Pacuski, W.
    Kruse, C.
    Hommel, D.
    Guziewicz, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048061.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ga
    73.21.La
    73.20.Hb
    Opis:
    The electrical properties of the CdTe/ZnTe quantum dot system have been analyzed to identify deep-level defects related with the presence of quantum dots. The capacitance-voltage (C-V) and deep level transient spectroscopy measurements were used to investigate the samples. A reference ZnTe sample (without dots) was also studied for comparison. Both samples were grown by molecular beam epitaxy technique on the n-type GaAs substrate. The quantum dots were formed by a Zn-induced reorganization of a thin CdTe layer. The presence of quantum dot formation was confirmed by micro-photoluminescence measurements. The deep level transient spectra for both samples are complex. In order to characterize individual contributions to the deep level transient spectra the latter have been simulated by separated Gaussian components [1]. The results of the deep level transient spectroscopy measurements yield the conclusion that the same defects are present in both materials but there is an increased concentration of the defects in the quantum dot structures. No deep level associated directly with the quantum dot confinement has been identified.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 630-632
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-11 z 11

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies