Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Sierzputowski, L." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Opracowanie i badania modernizowanych naboi sygnałowych kalibru 26 mm typu : NNS-1, NNS-2 i NNS-3 - część II
Development and testing of upgraded 26 mm signalling cartridges (types : NNS-1, NNS-2 i NNS-3) - part II
Autorzy:
Stępniak, W.
Sierzputowski, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/234821.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Wojskowy Instytut Techniczny Uzbrojenia
Tematy:
amunicja sygnałowa
naboje sygnałowe
signal ammunition
signal rounds
Opis:
Niniejszy artykuł stanowi część drugą dwuczęściowej publikacji dotyczącej amunicji sygnałowej. W części pierwszej pt. „Analiza konstrukcji naboi sygnałowych kalibru 26 mm typu: NNS-1, NNS-2 i NNS-3. przedstawiono podstawowe wady tej amunicji oraz zaproponowano przewidywane kierunki zmian wpływających na poprawę ich funkcjonowania”. W części drugiej artykułu przedstawiono rozwiązania konstrukcyjne nowoopracowanych naboi sygnałowych oraz wyniki badań strzelaniem tej amunicji.
The paper is a second part of a publication concerning signalling cartridges. The first part was titled "Analysis of designs of 26 mm signalling cartridges" where some drawbacks and their improvements of such ammunition were presented. The second part includes the newly developed designs of cartridges and results of tests.
Źródło:
Problemy Techniki Uzbrojenia; 2007, R. 36, z. 104; 139-148
1230-3801
Pojawia się w:
Problemy Techniki Uzbrojenia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza konstrukcji naboi sygnałowych kalibru 26 mm typu: NNS-1, NNS-2 i NNS-3. Część I - podstawowe wady tej amunicji oraz przewidywane kierunki zmian wpływających na poprawę jej funkcjonowania
Analysis of 26 mm signalling cartridge designs: NNS-1, NNS-2 and NNS-3, Part I - main drawbacts of the ammunition and predicted ways to improve its functionality
Autorzy:
Stępniak, W.
Sierzputowski, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/236233.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Wojskowy Instytut Techniczny Uzbrojenia
Tematy:
naboje sygnałowe
amunicja sygnałowa
signal rounds
signal ammunition
Opis:
Niniejszy artykuł stanowi część pierwszą dwuczęściowej publikacji dotyczącej amunicji sygnałowej. W artykule przedstawiono zastosowanie amunicji sygnałowej. Następnie przeanalizowano istniejące konstrukcje naboi sygnałowych, na bazie nocnych naboi sygnałowych kalibru 26mm typu: NNS-1, NNS-2 i NNS-3. Przedstawiono ich podstawowe wady skutkujące dużą zawodnością działania. W końcowej części artykułu przedstawiono zaproponowane kierunki zmian wpływających na poprawę funkcjonowania tej amunicji. W części drugiej pt. „Opracowanie i badania zmodernizowanych naboi sygnałowych kalibru 26mm typu: NNS-1, NNS-2 i NNS-3” przedstawione zostaną nowe rozwiązania konstrukcyjne nocnych naboi sygnalizacyjnych zwiększające niezawodność działania tej amunicji.
This is a first part of the whole paper dealing with the signalling ammunition. The application of signalling ammunition is presented in the paper. The analysis of existing designs of signalling cartridges was carried out on the basis of 26 mm night ammunition NNS-1, NNS-2 and NNS-3. The main drawbacks that result in its low dependability are presented. At the end some ways of improving its functionality are included. The second part of the paper titled "Development and Testing 26 mm Upgraded Signalling Cartridges NNS-1, NNS-2 and NNS-3" inciudes some design proposals to includes some design proposals to increase the reliability of this ammunition.
Źródło:
Problemy Techniki Uzbrojenia; 2007, R. 36, z. 103; 83-90
1230-3801
Pojawia się w:
Problemy Techniki Uzbrojenia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On GaN Crystallization by Ammonothermal Method
Autorzy:
Dwiliński, R.
Baranowski, J. M.
Kamińska, M.
Doradziński, R.
Garczyński, J.
Sierzputowski, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1950744.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.Dn
Opis:
GaN crystals are grown using ammonothermal method at pressures below 5 kbar and temperatures below 550°C. In this method, GaN is synthesised from high purity metallic gallium. The main role in the low temperature GaN crystallization is played by the chemically active and dense ammonia and dissolved mineralizer. Morphology of the obtained crystals as well as solubility experiments prove that gallium nitride is dissolved and crystallised from solution. Physical properties of GaN crystals obtained using ammonothermal method depend on the growth conditions and the type of mineralizer. All GaN samples reveal very intensive photoluminescence, also at room temperature. The spectra of crystals grown with lithium compound mineralizer are shifted towards higher energies in comparison to crystals grown with potassium based mineralizer. At helium temperatures, phosphorescence is also observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 763-766
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Some Optical and Epr Properties of Strain-Free GaN Crystals Obtained by Ammono Method
Autorzy:
Dwiliński, R.
Baranowski, J. M.
Kamińska, M.
Doradziński, R.
Garczyński, J.
Sierzputowski, L.
Palczewska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968061.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.Dn
Opis:
AMMONO GaN is grown spontaneously from ammonia solution in form of regular, well shaped, few micrometer crystals. Photoluminescence spectra of these crystals are characterized by fixed positions of very narrow exciton lines (FWHM down to 1 meV), where free excitons A, B, C, resolved two donor bound excitons and acceptor bound exciton are visible. Fixed position of exciton lines is in contrast to small changes of line energies which have been always observed for epitaxial GaN layers because of strain present in them. Free electron concentration of AMMONO GaN is less than few times 10$\text{}^{15}$ cm$\text{}^{-3}$, as estimated from EPR signal of shallow donor. The above-mentioned facts qualified these crystals as state of the art strain-free, model material for basic parameter measurements of GaN. In this work, results of PL and EPR measurements performed on AMMONO GaN crystals are presented and discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 737-741
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
GaN Synthesis by Ammonothermal Method
Autorzy:
Dwiliński, R.
Wysmołek, A.
Baranowski, J.
Kamińska, M.
Doradziński, R.
Garczyński, J.
Sierzputowski, L.
Jacobs, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933907.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.Dn
Opis:
It is shown that ammonothermal method can be successfully used to synthesize GaN powder of good crystallographic quality from ammonia solution at high pressure and a moderate temperature. The size of obtained GaN powder grains was of a few micrometers. The improvement of the powder crystalline quality (examined by X-ray rocking curve, scanning electron microscopy and luminescence measurements) with increasing molar proportion of mineralizer was observed. It was therefore possible to conclude that high molar proportion of mineralizer in ammonia solution plays a crucial role in the polycrystal growth process. Visible luminescence of high efficiency from the GaN powder was found.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 833-836
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies