Autor: Orłowski, W. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: The effect of the brewing and milling by-products containing in the lambs diet on body weight growth, slaughter value and meat quality
Wpływ zastosowania ubocznych produktów przemysłu browarnianego i młynarskiego w diecie jagniąt na wzrost masy ciała, wartość rzeźną i jakość mięsa
Autorzy:: Radzik-Rant, A.
Rant, W.
Niźnikowski, R.
Świątek, M.
Szymańska, Ż.
Ślęzak, M.
Orłowski, E.
Bednarczyk, M.
Morales-Vilavicencio, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2082399.pdf
Data publikacji:: 2019
Wydawca:: Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:: lambs
by-products
slaughter value
meat quality
Opis:: The effect of the brewing and milling byproducts containing in the lambs diet on body weight growth, slaughter value and meat quality. The aim of the study was to evaluate the growth rate, slaughter value and meat quality characteristics of lambs fed of fresh brewer’s grain and by-product of the milling industry. Research was conducted on 45 Polish merino ram lambs, which were divided into three feeding groups and fattened to their slaughter weight of 40 kg (±2.0 kg). Lambs in control group were fed meadow hay, oat meal and steamed potatoes. In one of experimental group (WBG group) 35% of wet brewer’s grain was added to the feed. The second experimental group (BPM group) received 44% of by-product of the milling industry in the form of crushed grains of various cereal species. The obtained results indicated that the by-products of the brewing and milling industry used in nutrition on fattened lambs did not negatively affect the body weight growth and slaughter value. The application of these components also did not affect the quality of meat in respect to its chemical composition and physical characteristics. The brewer’s grain share in the ration increased the content important for human health monounsaturated and polyunsaturated fatty acids and the isomer C18:2 cis9, trans11 (CLA).
Źródło:: Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Animal Science; 2019, 58[2]; 169-179
1898-8830
Pojawia się w:: Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Animal Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Badania właściwości fizykochemicznych odpadów wtórnych z Instalacji Termicznego Przetwarzania Odpadów Komunalnych ITPOK
Tests of physicochemical properties of secondary wastes from the Municipal Thermal Waste Treatment Plant ITPOK
Autorzy:: Wyrozębska, W.
Orłowski, B.
Czop, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/357058.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Politechnika Śląska
Tematy:: spalanie
odpady wtórne
odpady komunalne
combustion
secondary wastes
municipal waste
Opis:: Przedstawiony artykuł traktuje o właściwościach fizykochemicznych odpadów wtórnych jakimi są popioły i żużle powstałe po termicznym przekształcaniu odpadów komunalnych. Omówiono problemy, obecne tendencje i oczekiwania stawiane w przyszłości gospodarce odpadami komunalnymi. Opisano także aspekty prawne i podstawy działania spalarni odpadów. Scharakteryzowano popiół pochodzący z oczyszczania gazów oraz żużel denny. Wyniki badań zestawiono tabelarycznie i porównano ich wielkości do obecnie obowiązujących norm oraz rozporządzeń. Przedstawiono wykorzystywane na świecie sposoby zagospodarowania odpadów wtórnych, a także zaproponowano konkretne rozwiązania, zgodne z ideą gospodarki o obiegu zamkniętym.
The presented article treats about the physical and chemical properties of secondary waste such as ashes and slags created after the thermal treatment of municipal waste. Problems, current trends and future expectations regarding municipal waste management are discussed. The legal aspects and the basics of the waste incineration plant are also described. Ash from gas treatment and bottom slag are characterized. The results of the research are tabulated and compared to the current standards and regulations. It presents the methods of utilizing secondary waste used in the world, as well as proposes specific solutions in line with the idea of circular economy.
Źródło:: Archiwum Gospodarki Odpadami i Ochrony Środowiska; 2018, 20, 2; 27-38
1733-4381
Pojawia się w:: Archiwum Gospodarki Odpadami i Ochrony Środowiska
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wzrost jagniąt rasy wrzosówka dokarmianych preparatem mlekozastępczym i odchowywanych tradycyjnie
Growth of lambs receiving a supplementary milk replacer or reared traditionally in a flock of Polish Heath sheep
Autorzy:: Rant, W.
Augustin, M.L.
Radzik-Rant, A.
Orlowski, E.
Bednarczyk, M.
Niznikowski, R.
Swiatek, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/843476.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Zootechniczne
Tematy:: owczarstwo
owca wrzosowka
jagnieta
odchow zwierzat
odchow tradycyjny
dokarmianie zwierzat
preparaty mlekozastepcze
wzrost zwierzat
przyrost masy ciala
Źródło:: Roczniki Naukowe Polskiego Towarzystwa Zootechnicznego; 2018, 14, 1
1733-7305
Pojawia się w:: Roczniki Naukowe Polskiego Towarzystwa Zootechnicznego
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: High-coercivity Nd-Fe-B Powders Obtained by High-Temperature Milling
Wysokokoercyjne proszki Nd-Fe-B otrzymywane przez mielenie w wysokiej temperaturze
Autorzy:: Kaszuwara, W.
Michalski, B.
Orlowski, P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/355400.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: hard magnetic materials
Nd-Fe-B
mechanical alloying
mechanical milling
twarde materiały magnetyczne
mechaniczna synteza
obróbka mechaniczna
Opis:: The possibility of employing high temperature milling (600°C) for the production of highly coercive Nd-Fe-B powders was examined. The materials were the Nd₁₂Fe₈₂B₆, alloy which was subjected to mechanical milling and the powders of the constituent elements of this alloy which were processed by mechanical alloying. The processes were conducted in the two variants: the first variant consisted of mechanical milling performed at a high temperature which was maintained during the entire process, and the other variant included preliminary milling carried out at room temperature and then the milling temperature was increased. All the processes gave nanocrystalline powders with hard magnetic properties. The powders produced by mechanical milling had better properties than those produced by mechanical] alloying as they were more homogeneous and contained smaller amounts of the α-Fe phase.
W pracy badano możliwości zastosowania procesu mielenia w wysokiej temperaturze (600°C) do otrzymywania wyso- kokoercyjnych proszków Nd-Fe-B. Mieleniu poddano stop Nd₁₂Fe₈₂B₆,. a także zastosowano metodę mechanicznej syntezy stopów tzn. mielono proszki pierwiastków składników stopu. Procesy prowadzono w dwóch wariantach: cały proces odbywał się w podwyższonej temperaturze lub stosowano wstępne mielenie w temperaturze pokojowej, a następnie mielenie w wysokiej temperaturze. We wszystkich procesach uzyskano nanokrystalicze proszki o właściwościach magnetycznie twardych Proszki uzyskane w procesie mielenia stopu miały właściwości lepsze od proszków otrzymanych w procesie mechanicznej syntezy stopów, ponieważ były bardziej jednorodne i posiadały mniejszy udział fazy α-Fe.
Źródło:: Archives of Metallurgy and Materials; 2014, 59, 1; 47-50
1733-3490
Pojawia się w:: Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: System specjalny do transportu pojazdów ciężkich
Special system for transporting heavy vehicles
Autorzy:: Barnat, W.
Krasoń, W.
Orłowski, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/347711.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Akademia Wojsk Lądowych imienia generała Tadeusza Kościuszki
Tematy:: wagon z obrotową platformą ładunkową
transport intermodalny
systemy transportowe
railcar with rotatable loading floor
intermodal transport
transport systems
Opis:: W europejskim transporcie kolejowym stosowano w ostatnich latach systemy bazujące na przeładunku pionowym lub poziomym. Załadunek i rozładunek w systemach pionowych i poziomych wymaga zastosowania specjalnych terminali z wyposażeniem dodatkowym. Pojazdy wjeżdżają z rampy kolejowej poprzez ostatni wagon używając napędu własnego (system poziomy). W pracy przedstawiono specjalny wagon kolejowy z płaską i nisko umieszczoną obrotową platformą. Konstrukcja ta może być używana do transportu różnego typu pojazdów, takich jak ciągniki, ciężarówki, przyczepy, naczepy i kontenery. Wagon umożliwia szybki i wygodny załadunek i rozładunek pojazdów (bez urządzeń dźwigowych), samozaładunek i rozładunek bez terminali i specjalnego zabezpieczenia logistycznego, wymagany jest tylko utwardzony peron bez dodatkowej infrastruktury; każdy wagon może być załadowany-rozładowany oddzielnie.
In recent years combined systems based on vertical or horizontal handling have been implemented into European intermodal railway transport. In vertical and horizontal systems, loading and unloading require special terminals with additional equipment. Vehicles, using their own engines, are driven on and off platforms over a ramp at the last carriage (horizontal system). A special rail car with a rotatable, low and flat loading floor was presented in the paper. Such a structure can be used for transporting various types of vehicles, like tractors, trucks, trailers, semitrailers and cargo containers. The rail car allows for quick and convenient loading and unloading of vehicles and containers (no cranes needed), self-loading and unloading. No plat-form infrastructure is required, only hardened, flat surface. There is no need for hubs, terminals or special logistics. Each rail car can be operated separately.
Źródło:: Zeszyty Naukowe / Wyższa Szkoła Oficerska Wojsk Lądowych im. gen. T. Kościuszki; 2014, 1; 123-139
1731-8157
Pojawia się w:: Zeszyty Naukowe / Wyższa Szkoła Oficerska Wojsk Lądowych im. gen. T. Kościuszki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Endoscopic, histological and molecular markers of Aberrant Crypt Foci (ACF)
Endoskopowe, histopatologiczne i molekularne wykładniki Aberrant Crypt Foci (ACF)
Autorzy:: Kowalczyk, M.
Pesta, W.
Zinkiewicz, K.
Pedrycz, A.
Paśnik, K.
Siermontowski, P.
Orłowski, M.
Kurpiewski, W.
Juśkiewicz, W.
Kowalczyk, I.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/366601.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Medycyny i Techniki Hiperbarycznej
Tematy:: colorectal cancer
chromoendoscopy
ACF
rak jelita grubego
chromoendoskopia
Opis:: According to the Vogelstein theory, the carcinogenesis model in colorectal cancer is one of the best-characterized models of a multistep and multilevel process associated with the progression from normal colonocyte through aberrant crypt foci (ACF) and adenoma with dysplasia to invasive carcinoma. ACF are not visible in standard colonoscopy but are well identified with the use of highmagnification chromoendoscopy with methylene blue or indigo carmine staining. As compared with endoscopic images of normal crypts, ACF orifices appeared 2-3 times larger and had a thicker epithelial lining of a fissured and/or stellate shape, and, moreover, the mucosa staining in the ACF area was much more intense. Under a microscope ACF agglomerations were noted, consisting of several to 200 intestinal glands characterised by various types of lesions (hyperplastic or dysplastic) affecting both the cyto- and histo-architecture. The distribution of ACF correlates well with adenomas and predilection area for the occurrence of polyps, as well as colorectal cancer (CRC) localization. The epidemiologic, genetic and enzymatic chance of ACF occurrence should be similar to that of adenomas and CRC, and their presence is a good predictor of future CRC development. ACF may be precursors of adenoma and colon cancer in APC and a K-ras-dependent pathways, as well as a rare pathogenetic pathway evoked by microsatellite instability (MSI) combined with DNA hypermethylation. ACF are the first morphologically identifiable (endoscopically and microscopically) precursors of colorectal cancer.
Zgodnie z teorią Vogelsteina karcinogeneza w raku jelita grubego (RJG) jest wieloetapowym i wielopoziomowym procesem zaburzenia regulacji dojrzewania nabłonka błony śluzowej jelita, począwszy od prawidłowej komórki macierzystej tego nabłonka, przez ogniskanieprawidłowych krypt jelitowych (ACF),następnie stadium gruczolaka/dysplazji, na gruczolakoraku kończąc. ACF są niewidoczne w rutynowej kolonoskopii, natomiast dobrze identyfikowalne w kolonoskopii o wysokiej rozdzielczości, połączonej z barwieniem błony śluzowej jelita grubego, przy użyciu błękitu metylenowego lub indygokarminu. W porównaniu z obrazem endoskopowym prawidłowych krypt, w ACF ujście krypt jest 2-3x większe, szczelinowatego i/lub gwiazdkowatego kształtu, przy czym te krypty są otoczone pogrubiałym nabłonkiem a na obszarze ACF błona śluzowa jelita grubego intensywniej chłonie (ciemniejsze wybarwianie się) znacznikowy barwnik. W badaniu mikroskopowym ACF stwierdza się gniazda składające się z od kilku do 200 gruczołów jelitowych, objętych różnego typu zmianami (rozrostowymi i/lub dysplastycznymi) dotyczącymi zarówno cyto-, jak i histoarchitektoniki. Rozmieszczenie ACF w jelicie grubym dobrze koreluje z obszarem predylekcyjnym dla występowania zarówno polipów, jak i dla raka jelita grubego. Uwarunkowania epidemiologiczne, genetyczne i enzymatyczne w ACF są podobne do występujących w gruczolakach i RJG, wobec czego obecność ACF może być dobrym wskaźnikiem ryzyka wystąpienia RJG. ACF mogą być prekursorami gruczolaków i RJG powstających na dwóch szlakach patogenetycznych karcinogenezy: klasycznym szlaku związanym z mutacją genów APC i K-ras oraz z rzadszym szlakiem patogenetycznym, spowodowanym niestabilnością mikrosatelitarną (MSI), połączoną z hipermetylacją DNA. ACF są powszechnie uważane za pierwsze identyfikowalne morfologicznie (endoskopowo i mikroskopowo) prekursory raka jelita grubego.
Źródło:: Polish Hyperbaric Research; 2013, 3(44); 97-109
1734-7009
2084-0535
Pojawia się w:: Polish Hyperbaric Research
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
[310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates
Autorzy:: Hruban, A.
Orłowski, W.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Mirowska, A.
Rojek, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192032.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: arsenek galu
SI GaAs
metoda Czochralskiego
LEC
orientacja
gallium arsenide
Czochralski method
orientation
Opis:: Celem pracy było dowiedzenie warunków otrzymywania półizolacyjnych monokryształów arsenku galu (SI-GaAs) o orientacji [310] i średnicy 2” i 3”. Synteza i monokrystalizacja przebiegała pod wysokim ciśnieniem metodą LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Dobrano warunki termiczne i technologiczne pozwalające otrzymywać monokryształy o średnicy 2” i 3” i ciężarze odpowiednio 2000 g i 3000 g. Monokryształy posiadały wysokie parametry elektryczne (ρ, μ) - typowe dla monokryształów półizolacyjnych o wysokim stopniu czystości. Gęstość dyslokacji kryształów [310] była o (0,5 - 1,5) rzędu niższa w porównaniu z kryształami o orientacji [100]. Warstwy epitaksjalne osadzone na podłożach o orientacji [310] wykazały lepszą morfologię powierzchni w porównaniu z osadzonymi na podłożu [100].
The subject matter of this research work included the synthesis and growth conditions of [310]-oriented SI GaAs (semi-insulating gallium arsenide) crystals 2” or 3” in diameter. High pressure processes were applied for the synthesis and growth of LEC crystals. Thermal conditions and process parameters were determined to obtain single crystals 2” and 3” in dia, 2000 g and 3000 g in weight, respectively. They had high electrical parameters (ρ, μ), characteristic of semi-insulating high purity GaAs. Dislocation density (EPD) of [310]-oriented crystals was (0.5 - 1.5) orders of magnitude lower than in the case of the [100]-orientation. Epitaxial layers grown on [310]-oriented substrates exhibited better surface morphology than those deposited on [100]-oriented substrates.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 18-25
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Wpływ składu chemicznego fazy ciekłej na własności niedomieszkowanych kryształów Bi₂Se₃
Influence of chemical composition of the melt on physical properties of Bi2Se3 crystals
Autorzy:: Hruban, A.
Materna, A.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Diduszko, R.
Romaniec, M.
Dalecki, W.
Wołoś, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192078.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: selenek bizmutu
Bi2Se3
izolator topologiczny
struktura pasmowa
wytrącenia Se
bismuth selenide
topological insulator
band structure
precipitates Se
Opis:: W pracy przedstawione są wyniki badań dotyczących otrzymania dużych kryształów Bi₂Se₃ (L ~ 140 mm) typu n o obniżonej koncentracji nośników prądu. Materiał taki jest niezbędny do otrzymania kryształów Bi₂Se₃ domieszkowanych Ca na typ p, dla których możliwe są obserwacje elektronów z topologicznej, metalicznej powierzchni. Kryształy wzrastały zmodyfikowaną metoda Bridgmana. Własności fizyczne otrzymanych kryształów oceniano przy zastosowaniu następujących metod: parametry elektryczne przez pomiar rezystywności i efektu Halla w temperaturze pokojowej i w funkcji temperatury w zakresie (10 – 320 )K, pomiar składu atomowego metodą EDX, składu chemicznego metodą XRD, jakość struktury oceniano przez obserwację w mikroskopie optycznym, skaningowym i AFM. Otrzymano kryształy typu n o koncentracji nośników w zakresie 2 x 10¹⁹ cm^-3 – 3 x 10¹⁷ cm^-3. W obszarach o koncentracji n < 5 x 10¹⁸ cm^-3 obserwuje się wytrącenia Se. Duże zagęszczenie wydzieleń obserwuje się w końcowej części hodowanych kryształów powyżej 0,9 ich długości. Na próbkach o koncentracji nośników ~ 3 x 10¹⁷ cm^-3 w pomiarach rezystywności w funkcji temperatury w obszarze T < 30 K obserwuje się wzrost rezystywności ze spadkiem temperatury, wskazujący na półprzewodnikowe własności tego materiału.
In this paper the results of the investigation into growth of n – type Bi₂Se₃ crystals with decreased carrier concentration are presented. Such a material is used for obtaining Ca – doped p – type Bi₂Se₃, in the case of which the observation of electrons from the metallic topological surface is possible. Crystals were grown by the Vertical Bridgman method (VB). For the evaluation of their physical properties the following methods were applied: resistivity and Hall effect measurements at room temperature and as a function of temperature in the (10 – 320) K range, EDX (atomic composition of compounds), XRD (chemical composition), Nomarski microscopy, scanning microscopy and AFM. Crystals with n – type conductivity and carrier concentration in the range between 2 x 10¹⁹ cm^-3 and 3 x 10¹⁷ cm^-3 were grown. In the material with carrier concentration n < 5 x 10¹⁸ cm^-3 the precipitates of metallic Se were observed. A high concentration of Se inclusions as detecteded in the tail part of the crystals, above 0.9 of their length, when the Se excess in the melt was significantly raised. For the samples with carrier concentration n ~ 3 x 10¹⁷ cm^-3, an increase in resistivity when decreasing the temperature was observed, which indicates semiconducting properties of the material.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 3, 3; 27-39
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3 zmodyfikowaną metodą Czochralskiego
Evaluation of growth conditions for 3 gallium antimonide single crystals by the modified Czochralski method
Autorzy:: Mirowska, A.
Orłowski, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192136.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: GaSb
metoda Czochralskiego
domieszkowanie
segregacja
defekty
in situ synthesis
Czochralski method
doping
segregation
defects
Opis:: Zbadano możliwość zwiększenia (do 3 cali) średnicy monokryształów antymonku galu (GaSb) w układzie termicznym niskociśnieniowego urządzenia wykorzystywanego do otrzymywania kryształów o średnicy 2 cale. Zmodyfikowano technologiczne warunki procesu krystalizacji umożliwiając otrzymanie kryształów o ciężarze ~ 1,9 kg i stabilnej średnicy. Opracowano warunki otrzymywania monokryształów antymonku galu o średnicy 3 cale zmodyfikowaną metodą Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na przebieg procesu monokrystalizacji oraz własności otrzymywanych kryształów. Przeprowadzono procesy krystalizacji zmodyfikowaną metodą Czochralskiego, jak też proces zintegrowany (synteza in-situ połączona z monokrystalizacją) uzyskując kryształy GaSb domieszkowane tellurem o koncentracji elektronów w zakresie od 2 x 10¹⁷cm^-3 do 2 x 10¹⁸cm^-3 . Zbadano koncentrację domieszki (metodą GDMS - Glow Discharge Mass Spectroscopy) rozkłady własności elektrycznych (pomiary hallowskie) i strukturalnych (pomiary EPD - Etch Pit Density) otrzymanych kryształów.
The possibility of growing gallium antimonide (GaSb) single crystals measuring 3 inches in diameter in a thermal system previously used for growing 2 - inch crystals was checked. Technological parameters modified for bigger crystals allowed obtaining GaSb crystals weighting ~ 1,9 kg and having a stable diameter ~ 80 mm. An integrated process of in-situ synthesis, modified Czochralski crystal growth as well as recrystallization process were performed. The influence of technological parameters on crystal growth was investigated. Tellurium doped n-type GaSb single crystals with the carrier concentration ranging between 2 x 10¹⁷cm^-3 and 2 x10¹⁸cm^-3 - were obtained. Electrical parameters were determined by Hall measurements, whereas the dopant concentration was estimated by carrying out the GDMS analysis and the structural quality by measuring the etch pit density (dislocation density).
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 4, 4; 58-73
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Influence of Growth Conditions and Doping on Physical Properties of Gallium Antimonide Single Crystals
Autorzy:: Mirowska, A.
Orłowski, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1409657.pdf
Data publikacji:: 2012-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.05.Ea
81.10.Fq
81.10.-h
81.10.St
72.80.Ey
71.55.Eq
61.72.uj
Opis:: Gallium antimonide (GaSb) single crystals were grown by modified Czochralski method integrated with in situ synthesis in a flowing atmosphere of pure hydrogen. The influence of charge material purity as well as other technological parameters on GaSb crystals quality was investigated. High purity undoped GaSb single crystals were grown with residual acceptors concentration < 1.4 × $10^{17} cm^{-3}$ and high mobility ≈ 690 $cm^2$/Vs (at 300 K). P-type GaSb crystals were doped with silicon (carrier concentration up to 2 × $10^{19} cm^{-3}$) and with zinc (up to 1 × $10^{19} cm^{-3}$). Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with concentration up to 2 × $10^{18} cm^{-3}$. Electrical parameters were investigated by the Hall measurements (300 K and 77 K). Temperature dependent Hall measurements (10 ÷ 300 K) were used to compare the quality of undoped GaSb (obtained from Sb of different purity). Dopant concentration was estimated by glow discharge mass spectroscopy analysis. Axial and radial distribution of carrier concentration were investigated especially for Te-doped crystals (low segregation coefficient of Te in GaSb). Great contribution of compensation and self-compensation mechanisms is shown especially for the beginning part of grown crystals and for low Te-doping level. Radial distribution of physical properties for crystals grown in 〈100〉 direction is not axisymmetrical especially for doped GaSb crystals.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1111-1114
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów SI GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the Liquid Encapsulated Czochralski method
Autorzy:: Hruban, A.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Materna, A.
Dalecki, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192082.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: SI GaAs
obróbka termiczna
EPD
gallium arsenide
LEC thermal annealing
Opis:: Standardowa technologia otrzymywania półizolujących monokryształów SI GaAs składa się z 3 etapów tzn. syntezy, monokrystalizacji i obróbki termicznej, która jest niezbędna dla uzyskania rezystywności ρ ≥ 10⁷ Ohmcm i ruchliwości nośników ładunku μ ≥ 5000 cm2/Vs. Synteza i monokrystalizacja są wykonywane w ramach jednego procesu w wysokociśnieniowym urządzeniu Czochralskiego. Standardowa obróbka termiczna jest procesem osobnym polegającym na wygrzewaniu kryształów w zamkniętych ampułach kwarcowych w atmosferze par As. Proces ten jest pracochłonny, wymaga dodatkowych urządzeń oraz zwiększa koszty. Przedmiotem pracy było uproszczenie technologii wytwarzania monokryształów SI GaAs przez obróbkę cieplną zintegrowaną z procesami syntezy i monokrystalizacji. Przeprowadzono zintegrowane procesy monokrystalizacji i wygrzewania otrzymując monokryształy o średnicach 2" i 3" i ciężarze ~ 3 kg. Własności takich kryształów porównano z monokryształami wytwarzanymi w procesach standardowych. Wykazano, że właściwości fizyczne takie jak: rezystywność, ruchliwość i gęstość dyslokacji nie zależą od sposobu prowadzenia procesu (standardowy, zintegrowany) lecz są tylko funkcją temperatury wygrzewania. Proces zintegrowany upraszcza technologię wytwarzania, a jednocześnie obniża poziom stresów termicznych eliminując pękanie kryształów.
A standard technological process of manufacturing SI GaAs single crystals consists of 3 steps, namely synthesis, crystal growth and thermal annealing, which are necessary to reach high resistivity (ρ ≥ 10⁷ Ohmcm) and high carrier mobility (μ ≥ 5000 cm2/Vs). Usually both synthesis and crystal growth are realized in one process in a high pressure Czochralski puller. The thermal annealing process is carried out in a sealed quartz ampoule under arsenic (As) vapor pressure. This increases the costs of the process due to a need for the equipment and, in addition, is time consuming. The subject matter of this work was the improvement of the SI GaAs technology by integrating the thermal annealing step with synthesis and crystal growth. The integrated manufacturing processes of SI GaAs crystals with 2" and 3" in diameter and ~ 3000 g in weight were performed. Their physical properties were compared with these of the crystals obtained in a standard process. Preliminary results of this work indicate that it is possible to improve the SI GaAs technology and decrease the manufacturing costs. They also prove that thermal stress in the crystals can be decreased, as a result of which cracks will not appear during the mechanical treatment (cutting, lapping).
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 38-47
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Influence of Chemical Composition of Liquid Phase and Growth Process on Physical Properties of $Bi_2Se_3,$ $Bi_2Te_3$ and $Bi_2Te_2Se$ Compounds
Autorzy:: Hruban, A.
Materna, A.
Dalecki, W.
Strzelecka, G.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Diduszko, R.
Romaniec, M.
Orłowski, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1492965.pdf
Data publikacji:: 2011-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.-i
72.10.-d
72.15.-v
72.20.-I
73.20.-r
Opis:: We studied synthesis and crystal growth of $Bi_2Te_3,$ $Bi_2Se_3$ and $Bi_2Te_2Se$ compounds by means of vertical Bridgman method. Crystals were grown from stoichiometric melts and under different molar ratio of Bi:Te, Bi:Se or Bi:Te:Se. The obtained crystals were characterized by X-ray diffraction analysis, energy dispersive X-ray spectroscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and the Hall effect measurements. Some of the samples demonstrated insulating bulk behavior, by means of resistivity versus temperature measurements.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 950-953
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Jednorodność własności elektrycznych monokryształów antymonku galu domieszkowanych tellurem
Homogeneity of electrical parameters of tellurium-doped gallium antimonide single crystals
Autorzy:: Mirowska, A.
Orłowski, W.
Piersa, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192114.pdf
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: GaSb
metoda Czochralskiego
segregacja
własności elektryczne
Czochralski method
segregation
electrical parameters
homogeneity
Opis:: Monokryształy antymonku galu (GaSb) domieszkowane tellurem prezentowane w tej pracy otrzymane zostały zmodyfikowaną metodą Czochralskiego zintegrowaną z syntezą in-situ. Uzyskano płytki monokrystaliczne GaSb:Te o przewodnictwie zarówno typu n jak i typu p. Płytki GaSb:Te typu n charakteryzowały się standardową koncentracją nośników ładunku (od 2 x 10¹⁷ do 2 x 10¹⁸ cm^-3) oraz poniżej 2 x 10¹⁷ cm^-3. Dla płytek monokrystalicznych GaSb:Te typu p koncentracja dziur wynosiła od 2 x 10¹⁶do 4 x 10¹⁶ cm^-3. Zbadano zarówno osiowe, jak i radialne rozkłady własności elektrycznych otrzymanych kryształów GaSb:Te. W oparciu o pomiary hallowskie w funkcji temperatury porównano własności niedomieszkowanych monokryształów otrzymanych z antymonu pochodzącego z różnych źródeł oraz kryształów domieszkowanych tellurem o typie przewodnictwa p oraz typie n.
Gallium antimonide (GaSb) single crystals undoped and doped with tellurium with n-type or p-type conductivity were grown by a modified Czochralski method integrated with in-situ synthesis. Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with standard carrier concentration from 2 x 10¹⁷ to 2 x 10¹⁸ cm^-3 as well as below 2 x 10¹⁷ cm^-3 for low Te-doped single crystals. Hole concentration in the cas of tellurium doped p-type GaSb wafers varied between 4 x 10¹⁶ and 2 x 10¹⁶ cm^-3. Axial and radial distribution of electrical parameters were investigated for the obtained Te-doped GaSb single crystals. A great contribution of compensation and self-compensation mechanisms was confirmed especially for low Te-doped GaSb single crystals. Temperature dependent Hall measurements were used to compare undoped GaSb crystals obtained from Sb of different purity tellurium doped GaSb with n-type or p-type conductivity.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 3-21
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Photoemission Electronic Spectra οf CdTe/$Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$/CdTe
Autorzy:: Orlowski, B.
Dziawa, P.
Gas, K.
Reszka, A.
Mickievicius, S.
Thiess, S.
Drube, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1492971.pdf
Data publikacji:: 2011-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 79.60.Jv
71.20.Mq
73.40.-c
Opis:: The synchrotron radiation was used to apply tunable high energy X-ray photoemission spectroscopy for investigation of electronic structure of semiconductor nanostructure CdTe/$Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$/CdTe/GaAs(001) top part. The $Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$ (6 nm thick) was buried under thin (22 nm) top layer of CdTe transparent for part of electrons photoemitted from $Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$ buried layer. The top layer of CdTe was sputtered by Ar ion bombardment for surface cleaning and for leaving the thickness of CdTe more transparent for photoelectrons emitted from buried layer. For these thickness of the top layer the photoemission energy distribution curves corresponding to the valence band and core levels electrons of the buried layer atoms were measured with application of synchrotron radiation of energy hν = 3510 eV. The measured spectra corresponding to the buried layer atoms were observed in the valence band region and in the high binding energy region for core levels of Pb 4f, Pb 3d. The valence band contribution and core levels Cd 4d and Cd 3d were obtained mainly from top cover layer. Measured Te 4d, Te 3d and Te 4d spectra possess contribution as well from top cover layer as from the buried layer. The amount of Eu atoms was to small to be reasonable detected and presented in the paper.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 960-963
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: A Comparison of the Valence Band Structure of Bulk and Epitaxial GeTe-based Diluted Magnetic Semiconductors
Autorzy:: Pietrzyk, M.
Kowalski, B.
Orlowski, B.
Knoff, W.
Story, T.
Dobrowolski, W.
Slynko, V.
Slynko, E.
Johnson, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1538868.pdf
Data publikacji:: 2010-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 79.60.-i
71.20.Mq
71.20.Be
Opis:: In this work we present a comparison of the experimental results, which have been obtained by the resonant photoelectron spectroscopy for a set of selected diluted magnetic semiconductors based on GeTe, doped with manganese. The photoemission spectra are acquired for the photon energy range of 40-60 eV, corresponding to the Mn 3p → 3d resonances. The spectral features related to Mn 3d states are revealed in the emission from the valence band. The Mn 3d states contribution manifests itself in the whole valence band with a maximum at the binding energy of 3.8 eV.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 293-295
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Orłowski, W." wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język