Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Misiuk, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 25
Tytuł:
Znaczenie badań okulistycznych u pracowników zatrudnionych przy produkcji chloru metodą rtęciową
The significance of ocular examinations in workers involved in the production of chlorine using the mercury method
Autorzy:
Kobierzycka-Bala, A.
Misiuk-Hojło, M.
Hill-Bator, A.
Affelska-Jercha, A.
Lewczuk, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/180875.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
rtęć
chlor
produkcja chloru metodą rtęciową
narażenie zawodowe
narząd wzroku
toksyczność rtęci
wyniki badań
mercury
chlorine
production of chlorine using mercury method
occupational exposure
ocular
results of research
Opis:
Rtęć i chlor mogą wpływać toksycznie na narząd wzroku. Celem przedstawionej w artykule pracy była ocena wpływu rtęci na narząd wzroku u osób zatrudnionych przy produkcji chloru metodą rtęciową. Przebadano 20 pacjentów (39 oczu). Oceniano stan przedniego odcinka i dno oka, ciśnienie wewnątrzgałkowe, pole widzenia podstawowe oraz na barwę czerwoną i zieloną. U większości pacjentów stwierdzono zmiany w przednim odcinku oka. Zaburzenia pola widzenia stwierdzono w 7 oczach, a zaburzenia pola widzenia na barwy w 14. Uzyskane wyniki wskazują na konieczność okresowych badań okulistycznych u pracowników narażonych na działanie rtęci i chloru.
Mercury and chlorine may be toxic for eyes. The aim of this study was to assess the influence of mercury on the eyes of workers involved in the production of chlorine using the mercury method. We evaluated 39 eyes. We examined the state of anterior and posterior segments of eyes, intraocular pressure, the basic visual field and the visual fields for red and green. Most patients had abnormalities in the anterior segment. Impairments in the visual field was found in 7 eyes and loss of colour vision in 14. The results prove regular ophthalmological examinations in workers exposed to mercury and chlorine are necessary.
Źródło:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2007, 11; 7-9
0137-7043
Pojawia się w:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-ray Synchrotron Studies of Nanostructure Formation in High Temperature - Pressure Treated Silicon Implanted with Hydrogen
Autorzy:
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Graeff, W.
Misiuk, A.
Barcz, A.
Bryja, L.
Popov, V. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035493.pdf
Data publikacji:
2002-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
61.46.+w
Opis:
The effects of various high temperature-pressure treatments in Czochralski grown silicon (Cz-Si) implanted with 130 keV hydrogen to the dose of 4times10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-2}$ were investigated using synchrotron X-ray topographic methods and rocking curve measurements. The high temperature- pressure processes included 10 h annealing at 450°C, 650°C, and 725°C at argon pressure 12 kbar and 1 bar. The topographic investigations were performed with projection and section methods in back-reflection and transmission geometry. It was found that annealing resulted in significantly reduced strain induced by the implantation, which became undetectable with presently used very sensitive synchrotron arrangement. A significant difference between the Cz-Si:H samples annealed at high and atmospheric pressure was observed. In the first case a distinct topographic contrast attributed to the formation of comparatively larger inclusions was observed. This effect was different at different temperatures. The samples annealed at enhanced pressure were more uniform and often produced significant interference effects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 2; 239-244
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-ray Study of Strain Relaxation in Heteroepitaxial AlGaAs Layers Annealed under High Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Bąk-Misiuk, J.
Adamczewska, J.
Misiuk, A.
Regiński, K.
Wierzchowski, W.
Wieteska, K.
Kozanecki, A.
Kuritsyn, D.
Glukhanyuk, W.
Trela, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030644.pdf
Data publikacji:
2002-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.40.-z
68.55.Ln
Opis:
The effect of treatment at up to 1270 K under hydrostatic argon pressure, up to 1.2 GPa, on strain relaxation of AlGaAs layers was investigated by X-ray diffraction and related methods. The 1.5μm thick AlGaAs layers were grown by molecular beam epitaxy method on 001 oriented semi-insulating GaAs substrate at 950 K. An increase in intensity of X-ray diffuse scattering, originating from hydrostatic pressure-induced misfit dislocations, was observed for all treated samples. For the samples treated at 920 K during 1 h under 0.6 GPa, the diffuse scattering was confined to the [110] crystallographic direction perpendicular to the direction of dislocations. For the samples treated at 1.2 GPa at the same temperature and time conditions as for 0.6G Pa, a different behaviour is observed, namely the diffuse scattering extends along all azimuthal directions, indicating that dislocations are created in both [110] and [¯110] directions. The change of strain after the treatment was most pronounced for the samples treated at 1.2 GPa for 1 h at 920 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 689-699
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transformation of AlGaAs/GaAs Interface under Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Trela, J.
Leszczyński, M.
Misiuk, A.
Härtwig, J.
Prieur, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1945264.pdf
Data publikacji:
1996-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.40.-z
65.70.+y
Opis:
AlGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates were investigated before and after high hydrostatic pressure (1.2 GPa) at high temperature (770 K) treatment (HP-HT treatment). An influence of HP-HT treatment on the properties of the AlGaAs/GaAs system was studied by lattice parameter measurements using the high resolution diffractometer and by X-ray topography. Observed changes in the lattice parameter of the AlGaAs layers after HP-HT treatment are related to the strain relaxation and explained by the creation of misfit dislocations and other extended defects which are visible on the topographs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 89, 3; 405-409
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structural Perfection of Czochralski Grown Silicon Crystals Annealed above 1500 K under Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Datsenko, L.
Khrupa, V.
Krasulya, S.
Misiuk, A.
Härtwig, J.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964116.pdf
Data publikacji:
1997-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.40.-z
81.05.Cy
Opis:
The structural perfection of Czochralski grown silicon crystals annealed at 1580-1620 K under hydrostatic pressure up to 10$\text{}^{9}$ Pa was investigated by X-ray diffractometry and topography supplemented by the method of absorption of infrared rays. Such treatment suppresses dissolution of oxygen-related defects. From the static Debye-Waller factor dependence on the reflection order it was concluded that large clusters or dislocation loops are the dominant type of defects for most of the samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 929-933
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Rola administracji publicznej w zakresie obronności państwa
Role of public administration in the field of state defense
Autorzy:
Misiuk, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/98594.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
państwo
administracja publiczna
zadanie publiczne
obronność państwa
state
public administration
public task
state defense
Opis:
W artykule przedstawiono powinności państwa w dziedzinie obronności. Należą one do podstawowych funkcji państwa. Zważywszy na powyższe należy wyraźnie podkreślić, że jednym z podstawowych obowiązków państwa jest zapewnienie jego obronności oraz bezpieczeństwa obywateli, czego wyrazem jest treść art. 5 Konstytucji Rzeczypospolitej Polskiej z dnia 2 kwietnia 1997 r. Następnie poddano analizie ustrój administracji publicznej przez pryzmat realizacji określonych zadań z obszaru obronności państwa. Uwzględniono jej strukturę terytorialną i podział na administrację rządową i samorządową oraz specyfikę charakteru tego zadania.
The article presents the state’s defense obligations. They belong to the basic functions of the state. Given the above, it is important to emphasize clearly that one of the basic duties of the state is to ensure its defense and the security of its citizens, as reflected in the content of art. 5 of the Constitution of the Republic of Poland of April 2, 1997. Subsequently, an analysis was made of the system of public administration through the prism of accomplishing certain tasks in the area of defense of the state. It included its territorial structure and division into government and self-government administration and the specific nature of this task.
Źródło:
Przegląd Nauk o Obronności; 2017, 2, 3; 31-52
2450-6869
Pojawia się w:
Przegląd Nauk o Obronności
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Revealing the Defects Introduced in N- or Ge-doped Cz-Si by γ Irradiation and High Temperature-High Pressure Treatment
Autorzy:
Wieteska, K.
Misiuk, A.
Prujszczyk, M.
Wierzchowski, W.
Surma, B.
Bąk-Misiuk, J.
Romanowski, P.
Shalimov, A.
Capan, I.
Yang, D.
Graeff, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812256.pdf
Data publikacji:
2008-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.c-
61.72.-y
61.82.-d
Opis:
Effect of processing under high hydrostatic pressure (= 1.1 GPa), applied at 1270 K, on Czochralski grown silicon with interstitial oxygen content $(c_O)$ up to $1.1×10^{18} cm^{-3}$, admixed with N or Ge (Si-N, c_N ≤ $1.2×10^{15} cm^{-3}$, or Si-Ge, $c_{Ge} ≈ 7×10^{17} cm^{-3}$, respectively), pre-annealed at up to 1400 K and next irradiated withγ-rays (dose, D up to 2530 Mrad, at energy E = 1.2 MeV), was investigated by high resolution X-ray diffraction, Fourier transform infrared spectroscopy, and synchrotron topography. Processing of γ-irradiated Si-N and Si-Ge under high pressure leads to stimulated precipitation of oxygen at the nucleation sites created by irradiation. It means that radiation history of Si-N and Si-Ge can be revealed by appropriate high temperature-high pressure processing.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 439-446
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
PVT-Grown Single Crystals of Cd$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Te (x ≤ 0.25) and ZnTe as Substrates for Epitaxy
Autorzy:
Mycielski, A.
Szadkowski, A.
Łusakowska, E.
Kowalczyk, L.
Domagała, J.
Bąk-Misiuk, J.
Wilamowski, Z.
Witkowska, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991957.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
81.10.Bk
Opis:
The process of growth of single crystals of Cd$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Te (x ≤ 0.25) and ZnTe by physical vapour transport has been optimized and the twin-free single crystals with a very good crystal structure and low density of dislocations are grown as substrates for MBE and other techniques of epitaxy. Characterization of the crystals is described.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 441-445
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Properties of Si:V Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Misiuk, A.
Wierzchowski, W.
Wieteska, K.
Barcz, A.
Bak-Misiuk, J.
Chow, L.
Vanfleet, R.
Prujszczyk, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504150.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Dd
61.72.uf
64.75.Qr
66.30.Xj
81.40.Xj
Opis:
It is known that processing of silicon implanted with vanadium, Si:V, at high temperature-pressure, HT-HP, can lead to magnetic ordering within the V-enriched area. New data concerning structure of Si:V (prepared using $V^{+}$ doses, D = (1-5) × $10^{15} cm^{-2}$, and energy, E = 200 keV), as implanted and processed for up to 10 h at HT ≤ 1400 K under enhanced hydrostatic pressure, HP ≤ 1.1 GPa, are presented. In effect of implantation, amorphous (a-Si) area is produced near range of implanted species. Transmission electron microscopy, secondary ion mass spectrometry, X-ray, and synchrotron methods were used for sample characterisation. At HT-HP the a-Si layer is subjected to solid phase epitaxial re-growth. Depending on HP, distinct solid phase epitaxial re-growth and formation of $VSi_2$ are observed at HT ≥ 720 K. HP applied at processing results in the improved solid phase epitaxial re-growth in Si:V. This can be related, among others, to the effect of HP on diffusivity of $V^{+}$ and of implantation-induced point defects. Our results can be useful for development of the new family of diluted magnetic semiconductors.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 196-199
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pressure Variation of the Strain State of MnAs Nanoclusters Embedded in GaAs
Autorzy:
Bak-Misiuk, J.
Dynowska, E.
Romanowski, P.
Misiuk, A.
Sadowski, J.
Caliebe, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1431599.pdf
Data publikacji:
2012-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.cp
75.50.Pp
81.40.Vw
Opis:
Granular GaAs:(Mn,Ga)As films were prepared by annealing at 500°C under ambient and enhanced hydrostatic pressure (1.1 GPa), of $Ga_{1-x}Mn_xAs//GaAs$ layers (x = 0.025, 0.03, 0.04, 0.05 and 0.063) grown at 230°C by molecular beam epitaxy method. Distinct influence of enhanced hydrostatic pressure applied during sample annealing on strain state of inclusions was found. An increase of lattice distortion and of strain of inclusions for the samples treated under hydrostatic pressure is related to different bulk moduli of GaAs and of MnAs
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 903-905
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Positron Annihilation Studies of Czochralski-Grown Silicon Annealed Under Pressure
Autorzy:
Karwasz, G. P.
Brusa, R. S.
Misiuk, A.
Zecca, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2008074.pdf
Data publikacji:
1999-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.60.+z
78.70.Bj
71.55.Cn
Opis:
Two positron techniques have been applied to study dynamics of oxygen precipitation in Czochralski-grown silicon, annealed under high (up to 1.4 GPa) pressure. Lifetime measurements were performed with 180 ps resolution; Doppler broadening with a variable-energy slow-positron beam. Different thermal treatings rise the mean lifetime of positrons from 222 ps in as-grown samples up to 227 ps. In samples with a high (up to 85%) amount of oxygen precipitated, an intermediate (550-800 ps) lifetime is observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1999, 95, 4; 575-580
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Oxygen Precipitation in Si:O Annealed under High Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Misiuk, A.
Bąk-Misiuk, J.
Bryja, L.
Kątcki, J.
Ratajczak, J.
Jun, J.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030659.pdf
Data publikacji:
2002-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.10.-i
61.72.Yx
81.40.Vw
Opis:
Effect of hydrostatic pressure up to 1.2 GPa on oxygen-implanted silicon, Si:O (O$\text{}^{+}$ dose, D, within the 6×10$\text{}^{17}$-2×10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-2}$ range), treated at 1230-1570 K, was investigated by X-ray, transmission electron microscopy and photoluminescence methods. The pressure treatment affects oxygen precipitation and defect creation, especially in low oxygen dose implanted Si:O (D=6×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-2}$). Such investigation helps in understanding the stress related phenomena in Si wafers with buried insulating layer.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 719-727
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nauki o bezpieczeństwie – geneza, istota i perspektywy rozwoju
Security Sciences and Their Origin, Essence and Development Perspectives
Autorzy:
Misiuk, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/373630.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Centrum Naukowo-Badawcze Ochrony Przeciwpożarowej im. Józefa Tuliszkowskiego
Tematy:
nauka
dyscyplina naukowa
tożsamość
bezpieczeństwo
zagrożenie
science
scientific discipline
identity
security
threat
Opis:
Cel: Celem artykułu jest przedstawienie zakresu samodzielności i komplementarności dyscypliny naukowej – nauk o bezpieczeństwie. Metody: W artykule wykorzystano metodę analizy systemowej oraz porównawczej. W pierwszym przypadku poddano badaniu kluczowe elementy systematyki naukowej w celu racjonalizowania efektów już wprowadzonych zmian oraz prognozowania skutków zmian planowanych, jakie mogą się pojawić w dynamicznie zmieniającym się otoczeniu. W drugim przypadku porównano modele systematyki naukowej w ujęciu dynamicznym. Wyniki: W artykule przedstawiono prawne aspekty usytuowania nowej dyscypliny naukowej, jaką są nauki o bezpieczeństwie, w systematyce nauki polskiej. Omówiono schematy tworzenia systematyk podziału dziedzin i dyscyplin naukowych oraz podstaw formalnych ich usamodzielnienia się. W Polsce przyjmuje się, że cała wiedza naukowa pod względem złożoności obszaru badań i problematyki jest ułożona według pewnej hierarchii. Największą jednostką jest obszar badań, który jest dość niedookreśloną platformą aktywności naukowej. W jego skład wchodzą dziedziny naukowe stanowiące logiczną i treściową, zwartą część nauki. Główna aktywność badawcza koncentruje się w ramach dyscypliny naukowej. Wyniki tej aktywności kształtują specyfikę tożsamości i celów badawczych. W artykule zdefiniowano uwarunkowania genezy nauk o bezpieczeństwie wynikające ze wzrostu zagrożeń dla bezpieczeństwa w wymiarze globalnym. Następnie przeanalizowano zainteresowania problematyką bezpieczeństwa w innych dyscyplinach naukowych i wynikające z tego powodu trudności z jednoznacznym określeniem tożsamości nauk o bezpieczeństwie. Wnioski: Autor zaproponował ujęcie funkcjonalne nauk o bezpieczeństwie, a więc takie, w którym zasadniczym problemem jest analiza związku między stanem bezpieczeństwa a zagrożeniami w kontekście stopnia ryzyka. Podjął próbę egzemplifikowania problemów badawczych, które powinny się znajdować w obszarze zainteresowania nauk o bezpieczeństwie, a którymi są: teoria bezpieczeństwa, rodzaje bezpieczeństwa, podmioty bezpieczeństwa, zagrożenia. Dyskusji o tożsamości nowej dyscypliny nie sprzyja stawianie tezy o jej interdyscyplinarności. Bardziej właściwe jest traktowanie badania różnych aspektów bezpieczeństwa przez pryzmat multidyscyplinarności, czyli udziału elementów różnych dyscyplin naukowych w procesie badawczym.
Aim: To present the scope of independence and complementarity of the scientific discipline called security sciences. Methods: The article uses the method of systemic and comparative analysis. In the first case, the key elements of scientific taxonomy were analysed in order to rationalise the effects of already introduced changes and forecast the effects of planned changes that may occur in a dynamically changing environment. The second one compared models of scientific taxonomy using a dynamic approach. Results: The article presents the legal aspects of the location of security sciences as a new scientific discipline in the taxonomy of Polish science. The diagrams of creating the taxonomy of scientific fields and disciplines as well as the formal foundations of their separation are discussed. In Poland, it is assumed that all scientific knowledge in terms of the complexity of the research area and the subject matter are arranged according to a certain hierarchy. The largest unit is the research area, which is a fairly underdefined platform of scientific activity. It consists of scientific fields which constitute a logical and content-focused, exact part of science. The main research activities concentrate around scientific disciplines. Their results shape the specific characteristics of identity and research goals. The article defines the origin of this discipline resulting from the increase of security threats in the global dimension. Next, the interests in the subject of security in other scientific disciplines were analysed, along with the resulting difficulties resulting in the unambiguous identification of the identity of security sciences. Conclusions: The author proposed a functional approach to security sciences, where the fundamental problem is to analyse the relationship between the state of security and threats in the context of the degree of risk. He attempted to exemplify research problems that should be in the area of interest of security sciences: the security theory, types of security, security entities and threats. Furthermore, emphasising the interdisciplinary nature of security sciences is not beneficial for the identity of this new discipline. It is more appropriate to treat the study of various aspects of security through the prism of multidisciplinarity or the share of the components of different scientific disciplines in the research process.
Źródło:
Bezpieczeństwo i Technika Pożarnicza; 2018, 50, 2; 16-26
1895-8443
Pojawia się w:
Bezpieczeństwo i Technika Pożarnicza
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Preannealing on Perfection of Czochralski Grown Silicon Crystals Subjected to High Pressure Treatment
Autorzy:
Datsenko, L. I.
Misiuk, A.
Härtwig, J.
Briginets, A.
Khrupa, V. I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931660.pdf
Data publikacji:
1994-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.40.-z
61.70.-r
Opis:
The effect of high temperature (up to 1120°C)-high pressure (up to 1.1 GPa) treatment on the resulting defect structure of preannealed (450-725°C, up to 96 hours) Czochralski grown Si crystals was studied by X-ray diffraction. The values of the Debye-Waller static factor and of the root-mean-square atomic displacement due to defects were determined for various Lane reflections. Well-defined development of the cluster like defect structure after high temperature pressurization depending to a substantial extent on the preannealing conditions was observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 4; 585-590
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Impact of the orofacial area reflexes on infant’s speech development
Autorzy:
Kondraciuk, A.
Manias, S.
Misiuk, E.
Kraszewska, A.
Kosztyła-Hojna, B.
Szczepański, M.
Cybulski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1916364.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Uniwersytet Medyczny w Białymstoku
Tematy:
reflex
articulation disorders
growth & development
speech therapy
infant
Opis:
A child at the moment of birth has certain inborn patterns allowing it to spontaneously respond to the surrounding world and yet unknown sensations - called reflex. The most significant for speech development are reflexes of the orofacial area. The well-functioning reflexes allow the child to eat properly. The movements involved in alimentary action are reflected in the articulation of the sounds. The absence of orofacial area reflexes or their impaired integration inhibits the child’s normal speech development. It impairs motor efficiency of the articulation organs, and consequently leads to incorrect articualtion of sounds. The aim of this paper is to present the impact of orofacial reflexes on the development of alimentary functions and the development of the child's speech. The knowledge of the aforementioned subject plays a significant role in logopaedic prevention / early logopaedic intervention.
Źródło:
Progress in Health Sciences; 2014, 4, 1; 188-194
2083-1617
Pojawia się w:
Progress in Health Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 25

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies