Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Mąkosa, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 23
Tytuł:
Transformation of Native Defects in GaAs under Ultrasonic Treatment
Autorzy:
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Witczak, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1861348.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ji
62.80.+f
71.55.Eq
Opis:
Effect of high-intensity ultrasonic vibration on the spectrum of deep electron traps in bulk GaAs has been studied giving rise to a discussion on microscopic structure of native defects associated with the traps.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 653-656
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Interface Roughness on Resonant Tunnelling in Double-Barrier Heterostructures
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1950747.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
85.30.Mn
68.35.Ct
Opis:
We argue that the well-boundary roughness in a double-barrier heterostructure induces subsidiary subbands in the quantum well which, in turn, lead to the appearance of a broad shoulder beyond the principal resonance peak in the current-voltage characteristics.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electric Field Enhanced Emission of Holes from the Double Donor Level of the EL2 Defect in GaAs
Autorzy:
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Szkiełko, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923805.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
61.70.-r
Opis:
Strong electric-field enhancement of the thermal emission rate of holes from the doubly ionized charge state of the EL2 defect was revealed with the deep-level transient spectroscopy in p-type GaAs and analyzed in a model of phonon-assisted tunnel effect. Similar dependence observed for the electric field directions parallel to three main crystallographic axes suggests tetrahedral symmetry of the defect which is consistent with its identification as the arsenic antisite.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 813-816
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Native Defects in Gallium Arsenide Grown by Synthesis, Solute Diffusion Method
Autorzy:
Fronc, K.
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890874.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.70.-r
71.55.Eq
Opis:
High-purity n-type GaAs crystal was grown by the Synthesis, Solute Diffusion (SSD) method. Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) characterization of the crystal revealed three deep traps related to native defects. Microscopic origin of the traps is discussed and prospective use of SSD-grown GaAs as a bulk material with the high luminescence efficiency is emphasized.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 349-352
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Deep-Level Defects at Lattice-Mismatched GaAsSb/GaAs Interface
Autorzy:
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Raczyńska, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1872887.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Hb
61.72.Lk
71.55.Eq
Opis:
Lattice-mismatch-induced defects were studied by means of deep-level transient spectroscopy in high-purity GaAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$ layers (x = O to 3%) grown by liquid phase epitaxy on GaAs substrates. Microscopic nature and formation mechanism of two electron traps and two hole traps, which appeared in the layers as a result of Sb incorporation into the crystal lattice, are briefly discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 369-372
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On Electrostatic Aharonov-Bohm Effect in Solids
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Morawski, A.
Mąkosa, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969073.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
03.65.Bz
72.15.Gd
Opis:
We analyse conditions for an appearance of the electrostatic Aharonov- Bohm interference in two systems: a single-channel quantum-wire loop and an open ballistic quantum dot. We show that in the first system the effect will be destroyed by charge fluctuations, which probably is the reason why it has not been clearly observed, while in the second system the effect is still open for exploration.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 305-308
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Observation of the Coulomb Blockade at 77 K in a Lattice-Mismatched GaAs/Si Heterojunction
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Riesz, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968070.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Lk
73.40.Gk
73.40.Kp
Opis:
We investigated current-voltage characteristics of a lattice-mismatched GaAs(n)/Si(p) heterojunction. For low bias voltages at 77 K it exhibits a behaviour characteristic of the Coulomb blockade. We discuss why this unexpected phenomenon can occur in the investigated structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 745-748
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Tunnelling in Double-Barrier Heterostructures with an Accumulation Layer
Autorzy:
Wosiński, T.
Figielski, T.
Mąkosa, A.
Wrotek, S.
Dobrowolski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992612.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
73.50.Jt
85.30.Mn
Opis:
Two modes of electron gas injection in resonant tunnelling through GaAs/AlGaAs double-barrier heterostructures were revealed while studying their current-voltage characteristics. Examining peculiarities of the characteristics within the temperature range 4-350 K and under a high magnetic field, we were able to distinguish the contribution to resonant tunnelling of ballistic electrons injected from a three-dimensional electron gas in the emitter contact and that of electrons injected from a two-dimensional electron gas in the accumulation layer formed near the emitter barrier.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 617-621
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Aharonov-Bohm Effect at Misfit Dislocations in GaAsSb/GaAs Heterostructures
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Raczyńska, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1950746.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.10.Fk
73.40.Kp
03.65.Bz
Opis:
We examined the current flowing through p$\text{}^{+}$-n junction of the lattice mismatched GaAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$/GaAs heterostructure in a transverse magnetic field at 1.8 K. We have found the appearance of current oscillations, periodic as a function of the magnetic field, that are due to the Aharonov-Bohm effect of holes passed around charged dislocations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 773-776
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Native Deep-Level Defects in MBE-Grown p-Type CdTe
Autorzy:
Olender, K.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Dłużewski, P.
Kolkovsky, V.
Karczewski, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492964.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
68.37.Lp
61.72.J-
61.72.Lk
Opis:
Deep-level transient spectroscopy was used to study the defect levels in p-type CdTe layers grown by the molecular-beam epitaxy technique on lattice-mismatched GaAs substrates. In our measurements we have observed five hole traps. Two of the traps, displaying exponential capture kinetics, have been assigned to native point defects, the Cd vacancy and a complex formed of Cd vacancy and Te antisite, produced in the CdTe layers during their growth. The other two traps have been attributed to electronic states of threading dislocations on the ground of their logarithmic capture kinetics. The last trap, which was observed only when the investigated space charge region was close to the metal-semiconductor interface, has been ascribed to surface states.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 946-949
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Inelastic Electron Scattering in Double-Barrier Resonant Tunneling Structure Revealed with Photoexcitation
Autorzy:
Figielski, T.
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Harness, P. C.
Singer, K. E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929767.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
85.30.Mn
Opis:
We investigated current-voltage and photocurrent-voltage characteristics of a double-barrier resonant tunneling structure based on AlGaAs. To explain the observed "double-step" feature of the characteristics, we have proposed a mechanism including a multiple phonon emission of an electron dwelling in the quantum well.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 817-819
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Deep-Level Defects in MBE-Grown GaN-Based Laser Structure
Autorzy:
Tsarova, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Skierbiszewski, C.
Grzegory, I.
Perlin, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047691.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
73.20.Hb
61.72.Lk
81.15.Hi
Opis:
We present results of deep-level transient spectroscopy investigations of defects in a GaN-based heterostructure of a blue-violet laser diode, grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on a bulk GaN substrate. Three majority-carrier traps, T1 at E$\text{}_{C}$ - 0.28 eV, T2 at E$\text{}_{C}$ - 0.60 eV, and T3 at E$\text{}_{V}$ + 0.33 eV, were revealed in deep-level transient spectra measured under reverse-bias conditions. On the other hand, deep-level transient spectroscopy measurements performed under injection conditions, revealed one minority-carrier trap, T4, with the activation energy of 0.20 eV. The three majority-carrier traps were revealed in the spectra measured under different reverse-bias conditions, suggesting that they are present in various parts of the laser-diode heterostructure. In addition, these traps represent different charge-carrier capture behaviours. The T1 trap, which exhibits logarithmic capture kinetics, is tentatively attributed to electron states of dislocations in the n-type wave-guiding layer of the structure. In contrast, the T2, T3, and T4 traps display exponential capture kinetics and are assigned to point defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 331-337
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bistability of (Ga,Mn)As Ferromagnetic Nanostructures Due to the Domain Walls Switching
Autorzy:
Andrearczyk, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Figielski, T.
Wróbel, J.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791342.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.Jt
75.50.Pp
75.30.Gw
75.60.Ch
85.75.-d
Opis:
We designed and investigated four-arm nanostructures, composed of two perpendicularly crossed stripes, fabricated from ferromagnetic (Ga,Mn)As layer by means of electron-beam lithography patterning and chemical etching. The nanostructures exhibit a bistable resistance behavior resulting from two configurations of magnetic domain walls in the central part of the structures. We demonstrate a possibility of switching between two stable resistance states in zero magnetic field by applying a pulse of either weak magnetic field or electric current through the structure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 901-903
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Magnetic Field on Fine Structure of Tunnel Current in Double-Barrier Resonant-Tunneling Devices
Autorzy:
Belyaev, A. E.
Vitusevich, S. A.
Glavin, B. A.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933716.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
85.30.Mn
Opis:
An effect of magnetic field on a fine oscillatory structure revealed in the resonant current flowing through double-barrier resonant-tunneling devices is examined. It is found that the observed variation of the fine structure in a magnetic field parallel to the current direction differs considerably from that appearing in tunnel current flowing through single-barrier structures. Experimental results are explained in terms of the quantum interference effect arising in structures having wide spacer layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 675-678
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetically Controlled Interference of Ballistic Electrons Tunnelled throughout the Double-Barrier Resonator
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Vitusevich, S. A.
Belyaev, A. E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1950748.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
85.30.Mn
Opis:
An effect of magnetic field normal to the tunnel current on the amplitude and phase of the fine oscillatory structure, discovered in the resonance current-voltage curve in double-barrier AlAs/GaAs heterostructures, has been examined. All the obtained results are consistently explained in terms of the interference of ballistic electrons, escaped from the quantum well, in the collector part of the structure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 781-784
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 23

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies