Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Transformation of Native Defects in GaAs under Ultrasonic Treatment

Tytuł:
Transformation of Native Defects in GaAs under Ultrasonic Treatment
Autorzy:
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Witczak, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1861348.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ji
62.80.+f
71.55.Eq
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 653-656
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Effect of high-intensity ultrasonic vibration on the spectrum of deep electron traps in bulk GaAs has been studied giving rise to a discussion on microscopic structure of native defects associated with the traps.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies