Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Krajewski, T." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-25 z 32
Tytuł:
Gospodarka wodna w lasach
Autorzy:
Ciepielowski, A.
Krajewski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/815263.pdf
Data publikacji:
1993
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Leśne
Tematy:
wykorzystanie sciekow
konferencje
stosunki wodne
lasy
hydrologiczne funkcje lasu
lesnictwo
oczyszczanie sciekow
gospodarka wodna
Warszawa konferencja
Źródło:
Sylwan; 1993, 137, 03; 73-78
0039-7660
Pojawia się w:
Sylwan
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Silniki rakietowe foteli katapultowych samolotów bojowych (analiza rozwiązań konstrukcyjnych)
Ejection Seat Rocket Motors of Aircrafts : Analysis of Construction
Autorzy:
Zygmunt, B.
Krajewski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/403598.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
mechanika
fotel katapultowy
silnik rakietowy
ciąg rakietowy
ładunek napędowy
mechanics
ejection seat
rocket motor
thrust
propelling charge
Opis:
W artykule porównano cechy konstrukcyjne oraz parametry balistyczne silników rakietowych foteli katapultowych współczesnych samolotów bojowych. Autorzy dysponowali danymi z prowadzonych badań własnych oraz zebranymi danymi literaturowymi. Własne badania dotyczą foteli typu KM1M, K-36DM (produkcji rosyjskiej) oraz foteli Mk10 (produkcji brytyjskiej). Dane literaturowe zebrano o fotelu ACES II (USA) oraz VS (produkcji czeskiej). W konkluzji pracy stwierdzono, że fotele o różnorodnej konstrukcji i różnej masie charakteryzują się zbliżonymi parametrami kinematycznymi w trakcie katapultowania, co wynika z uwarunkowań fizjologicznych organizmu pilota poddanego dużym przeciążeniom.
A comparison of structural features and ballistic parameters of rocket motors of ejection seats has been made for contemporary combat aircrafts. The authors had the data obtained from their own researches and of collected literature data. The own investigations concerned KM1M, K-36D (Russian made), and Mk10 (British made) ejection seats. Literature data of ACES II (US made) and VS (Czech made) and other ejection seats were collected from websites. In conclusion, it has been stated that ejection seats of various constructions and masses are described by similar kinematic parameters of the ejection process, what results from physiological limitations of pilot organism subjected to a high overload.
Źródło:
Problemy Mechatroniki : uzbrojenie, lotnictwo, inżynieria bezpieczeństwa; 2014, 5, 3 (17); 69-82
2081-5891
Pojawia się w:
Problemy Mechatroniki : uzbrojenie, lotnictwo, inżynieria bezpieczeństwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Próba introdukcji dzikiego królika Oryctolagus cuniculus metodą małych wolier
Attempt for introduction of rabbit Oryctolagus cuniculus by the metod of small aviares
Autorzy:
Krajewski, T.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/880961.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Leśny Zakład Doświadczalny. Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej w Rogowie
Tematy:
zwierzyna drobna
krolik
Oryctolagus cuniculus
introdukcja
woliery male
woliery adaptacyjne
zagrozenia zwierzat
drapiezniki
Źródło:
Studia i Materiały Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej; 2013, 15, 3[36]
1509-1414
Pojawia się w:
Studia i Materiały Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wplyw Lesnej Oczyszczalni Sciekow w Ilawie na srodowisko lesne
Autorzy:
Ciepielowski, A
Gumnicka, O.
Krajewski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/818271.pdf
Data publikacji:
1999
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Leśne
Tematy:
scieki przemyslu ziemniaczanego
Lesna Oczyszczalnia Sciekow Ilawa
drzewostany sosnowe
stan sanitarny
oddzialywanie na srodowisko
oczyszczalnie gruntowo-roslinne
stan zdrowotny lasu
lesnictwo
czystosc wod
lesne oczyszczalnie sciekow
wody gruntowe
oczyszczanie sciekow
Źródło:
Sylwan; 1999, 143, 09; 105-114
0039-7660
Pojawia się w:
Sylwan
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stan melioracji wodnych w lasach
Autorzy:
Babinski, S.
Bialkiewicz, F.
Krajewski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/809786.pdf
Data publikacji:
1989
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:
melioracja
lasy
siedliska lesne
gleby
nawodnienie
gleby lesne
uwilgotnienie
wody powierzchniowe
biomasa drzewna
torfowiska
bor bagienny
lasy sosnowe
systemy odwadniajace
retencja wodna
szkolki lesne
Panstwowe Gospodarstwo Lesne Lasy Panstwowe
edukacja lesna
wilgotnosc gleby
systemy odplywow regulowanych
Źródło:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych; 1989, 375
0084-5477
Pojawia się w:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Melioracje wodne w lasach i ich wpływ na warunki siedliskowe
Vodnye melioracii v lesakh i ikh vlijanie na uslovija mestoproizrastanija
Water meliorations in the forests and their influence on the site conditions
Autorzy:
Babinski, S.
Bialkiewicz, F.
Krajewski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/822447.pdf
Data publikacji:
1989
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Leśne
Tematy:
lesnictwo
lasy
melioracje wodne
oddzialywanie na las
warunki siedliskowe
warunki wodne
Źródło:
Sylwan; 1989, 133, 07
0039-7660
Pojawia się w:
Sylwan
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effects of cisplatin and selenite on the level of thiols in pig blood platelets
Autorzy:
Wachowicz, B
Krajewski, T.
Olas, B.
Zbikowska, H.M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/70215.pdf
Data publikacji:
1995
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Fizjologiczne
Tematy:
pig
sulphydryl group
platelet lipid
platelet fraction
sodium selenite
protein
thiol
glutathione
DNA
in vitro
platelet
selenite
Źródło:
Journal of Physiology and Pharmacology; 1995, 46, 1
0867-5910
Pojawia się w:
Journal of Physiology and Pharmacology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Barriers in Miniaturization of Electronic Devices and the Ways to Overcome Them - from a Planar to 3D Device Architecture
Autorzy:
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Gierałtowska, S.
Łuka, G.
Krajewski, T.
Wachnicki, Ł.
Kopalko, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807598.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.35.-p
73.40.Lq
73.40.Qv
81.05.Dz
81.15.-z
Opis:
We witness a new revolution in electronic industry - a new generation of integrated circuits uses as a gate isolator $HfO_{2}$. This high-k oxide was deposited by the atomic layer deposition technique. The atomic layer deposition, due to a high conformality of deposited films and low growth temperature, has a large potential to be widely used not only for the deposition of high-k oxides, but also of materials used in solar cells and semiconductor/organic material hybrid structures. This opens possibilities of construction of novel memory devices with 3D architecture, photovoltaic panels of the third generation and stable in time organic light emitting diodes as discussed in this work.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-19-S-21
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Plonowanie nagoziarnistych i oplewionych odmian jęczmienia jarego nawożonego azotem
Autorzy:
Krajewski, W.T.
Szempliński, W.
Bielski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/11236588.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Uniwersytet Przyrodniczy w Lublinie. Wydawnictwo Uniwersytetu Przyrodniczego w Lublinie
Tematy:
jeczmien jary
uprawa roslin
azot
nawozenie azotem
plonowanie
odmiany roslin
odmiany nagie
lata 2001-2002
jeczmien jary Rastik
jeczmien jary Stratus
warunki uprawowe
efektywnosc dzialania
terminy nawozenia
dawki nawozowe
masa 1000 ziaren
Źródło:
Annales Universitatis Mariae Curie-Skłodowska. Sectio E. Agricultura; 2013, 68, 1; 18-29
0365-1118
Pojawia się w:
Annales Universitatis Mariae Curie-Skłodowska. Sectio E. Agricultura
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
RBS/Channeling Analysis of Zinc Oxide Films Grown at Low Temperature by Atomic Layer Deposition
Autorzy:
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Guziewicz, E.
Gierałtowska, S.
Krajewski, T.
Luka, G.
Wachnicki, L.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400467.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
77.55.hf
81.05.Dz
81.15.Hi
68.55.ag
82.80.Yc
61.85.+p
Opis:
The results of the Rutherford backscattering/channeling study of ZnO layers are presented. ZnO layers were deposited on the silicon single crystals and GaN epitaxial layers at low temperature by atomic layer deposition. Deposition temperature varied between 100 and 300°C. A random spectra analysis was performed to determine layer thickness and composition. In turn, analysis of the aligned spectra allows us to study evolution of ingrown defects. The Rutherford backscattering study supports the results of X-ray photoelectron spectroscopy measurements, performed separately, that the ZnO-ALD layers deposited at low temperature contain a higher oxygen content. Composition measurements, performed as a function of growth temperature, show that oxygen content decreases with the increasing temperature of the atomic layer deposition growth process.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 899-903
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structure Dependent Conductivity of Ultrathin ZnO Films
Autorzy:
Snigurenko, D.
Kopalko, K.
Krajewski, T.
Łuka, G.
Gierałtowska, S.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Dybko, K.
Paszkowicz, W.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1403646.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ga
78.66.Hf
81.15.Gh
Opis:
Zinc oxide films dedicated for hybrid organic/inorganic devices have been studied. The films were grown at low temperature (100°C, 130C and 200°C) required for deposition on thermally unstable organic substrates. ZnO layers were obtained in atomic layer deposition processes with very short purging times in order to shift a structure of the films from polycrystalline towards amorphous one. The correlation between atomic layer deposition growth parameters, a structural quality and electrical properties of ZnO films was determined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1042-1044
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hybrid Organic/ZnO p-n Junctions, with n-Type ZnO, Grown by Atomic Layer Deposition
Autorzy:
Łuka, G.
Krajewski, T.
Szczerbakow, A.
Łusakowska, E.
Kopalko, K.
Guziewicz, E.
Wachnicki, Ł.
Szczepanik, A.
Godlewski, M.
Fidelus, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811956.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.J-
73.40.Lq
81.05.Lg
Opis:
We report on fabrication of hybrid inorganic-on-organic thin film structures with polycrystalline zinc oxide films grown by atomic layer deposition technique. ZnO films were deposited on two kinds of thin organic films, i.e. pentacene and poly(dimethylosiloxane) elastomer with a carbon nanotube content (PDMS:CNT). Surface morphology as well as electrical measurements of the films and devices were analyzed. The current density versus voltage (I-V) characteristics of ITO/pentacene/ZnO/Au structure show a low-voltage switching phenomenon typical of organic memory elements. The I-V studies of ITO/PDMS:CNT/ZnO/Au structure indicate some charging effects in the system under applied voltages.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1229-1234
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnO by ALD - Advantages of the Material Grown at Low Temperature
Autorzy:
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Krajewski, T.
Wachnicki, Ł.
Łuka, G.
Paszkowicz, W.
Domagała, J.
Przeździecka, E.
Łusakowska, E.
Witkowski, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791286.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ga
78.66.Hf
72.80.Ey
Opis:
The 3D-architecture is a prospective way in miniaturization of electronic devices. However, this approach can be realized only if metal paths are placed not only at the top, but also beneath the electronic parts, which imposes drastic temperature limitations for the electronic device processing. Therefore last years a lot of investigations are focused on materials which can be grown at low temperature with electrical parameters appropriate for electronic applications. Zinc oxide grown by the atomic layer deposition method is one of the materials of choice. We obtained ZnO-ALD films at growth temperature range between 100°C and 200°C, and with controllable electrical parameters. Free carrier concentration was found to scale with deposition temperature, so it is possible to grow ZnO films with desired conductivity without any intentional doping. We used correlation of electrical and optical parameters to optimize the deposition process. Zinc oxide layers obtained in that way have free carrier concentration as low as $10^{16} cm^{-3}$ and high mobility ($10-50 cm^{2}$/(Vs)), which satisfies requirements for a material used in three-dimensional memories.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 814-817
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterization of ZnO Films Grown at Low Temperature
Autorzy:
Przeździecka, E.
Krajewski, T.
Wójcik-Głodowska, A.
Yatsunenko, S.
Łusakowska, E.
Paszkowicz, W.
Guziewicz, E.
Wachnicki, Ł.
Szczepanik, A.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811975.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.-m
81.10.-h
85.30.Fg
Opis:
ZnO thin films were grown by atomic layer deposition method at extremely low temperature using a reactive diethylzinc as a zinc precursor. Optical properties, electrical properties and surface morphology were examined by photoluminescence, Hall effect and atomic force microscope. The study shows correlation between optical, electrical properties and surface morphology in a series of samples of different thickness.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1303-1310
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Schottky Junctions Based on the ALD-ZnO Thin Films for Electronic Applications
Autorzy:
Krajewski, T.
Luka, G.
Smertenko, P.
Zakrzewski, A.
Dybko, K.
Jakiela, R.
Wachnicki, L.
Gieraltowska, S.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492501.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.ag
73.50.-h
73.50.Bk
73.61.Ga
81.15.-z
81.15.Gh
Opis:
The ZnO-based Schottky diodes revealing a high rectification ratio may be used in many electronic devices. This paper demonstrates several approaches to obtain a ZnO-based Schottky junction with a high rectification ratio. The authors tested several methods such as: post-growth annealing of the ZnO layer, acceptor (nitrogen) doping, as well as the ZnO surface coating with a properly chosen dielectric material. The influence of these approaches on the diode's rectification ratio together with modeling based on the differential approach and thermionic emission theory are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-017-A-021
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnCoO Films by Atomic Layer Deposition - Influence of a Growth Temperature οn Uniformity of Cobalt Distribution
Autorzy:
Łukasiewicz, M.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Sawicki, M.
Paszkowicz, W.
Łusakowska, E.
Jakieła, R.
Krajewski, T.
Kowalik, I.
Kowalski, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791350.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
68.55.Nq
78.66.Hf
81.15.Kk
Opis:
We report on the structural, electrical and magnetic properties of ZnCoO thin films grown by atomic layer deposition method using reactive organic precursors of zinc and cobalt. As a zinc precursor we applied either dimethylzinc or diethylzinc and cobalt(II) acetyloacetonate as a cobalt precursor. The use of these precursors allowed us the significant reduction of a growth temperature to 300°C and below, which proved to be very important for the growth of uniform films of ZnCoO. Structural, electrical and magnetic properties of the obtained ZnCoO layers will be discussed based on the results of secondary ion mass spectroscopy, scanning electron microscopy, energy dispersive spectroscopy, X-ray diffraction, atomic force microscopy, Hall effect and SQUID investigations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 921-923
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Extra-Low Temperature Growth of ZnO by Atomic Layer Deposition with Diethylzinc Precursor
Autorzy:
Kowalik, I. A.
Guziewicz, E.
Kopalko, K.
Yatsunenko, S.
Godlewski, M.
Wójcik, A.
Osinniy, V.
Krajewski, T.
Story, T.
Łusakowska, E.
Paszkowicz, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047710.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
78.66.Hf
81.15.Kk
Opis:
ZnO thin films were grown on silicon substrate by atomic layer deposition method. We explored double-exchange chemical reaction and used very volatile and reactive diethylzinc as a zinc precursor. These enables us to obtain zinc oxide thin films of high quality at extremely low growth temperature (90-200ºC). The films are polycrystalline as was determined by X-ray diffraction and show flat surfaces with roughness of 1-4 nm as derived from atomic force microscopy measurements. Photoluminescence studies show that an edge emission of excitonic origin is observed even at room temperature for all investigated ZnO layers deposited with the diethylzinc precursor.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 401-406
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thin Film ZnO as Sublayer for Electric Contact for Bulk GaN with Low Electron Concentration
Autorzy:
Grzanka, S.
Łuka, G.
Krajewski, T. A.
Guziewicz, E.
Jachymek, R.
Purgal, W.
Wiśniewska, R.
Sarzyńska, A.
Bering-Staniszewska, A.
Godlewski, M.
Perlin, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048094.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.80.Ey
73.40.Kp
73.40.Lq
Opis:
Fabrication of low resistivity ohmic contacts to N polarity gallium nitride crystal is an important issue for the construction of the vertical current flow devices like laser diodes and high brightness light emitting diodes. Gallium nitride is a challenging material because of the high metal work function required to form a barrier-free metal-semiconductor interface. In practice, all useful ohmic contacts to GaN are based on the tunneling effect. Efficient tunneling requires high doping of the material. The most challenging task is to fabricate high quality metal ohmic contacts on the substrate because the doping control is here much more difficult that in the case of epitaxial layers. In the present work we propose a method for fabricating low resistivity ohmic contacts on N-side of GaN wafers grown by hydride vapor phase epitaxy. These crystals were characterized by a n-type conductivity and the electron concentration of the order of 10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$. The standard Ti/Au contact turned out to be unsatisfactory with respect to its linearity and resistance. Instead we decided to deposit high-n type ZnO layers (thickness 50 nm and 100 nm) prepared by atomic layer deposition at temperature of 200°C. The layers were highly n-type conductive with the electron concentration in the order of 10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$. Afterwards, the metal contact to ZnO was formed by depositing Ti and Au. The electrical characterization of such a contact showed very good linearity and as low resistance as 1.6 × 10$\text{}^{-3}$ Ω cm$\text{}^{2}$. The results indicate advantageous properties of contacts formed by the combination of the atomic layer deposition and hydride vapor phase epitaxy technology.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 672-674
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Epitaxial ZnO Films Grown at Low Temperature for Novel Electronic Application
Autorzy:
Wachnicki, Ł.
Dużyńska, A.
Domagala, J.
Witkowski, B.
Krajewski, T.
Przeździecka, E.
Guziewicz, M.
Wierzbicka, A.
Kopalko, K.
Figge, S.
Hommel, D.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492723.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Aa
61.05.cp
81.05.Dz
Opis:
Monocrystalline films of zinc oxide were grown at 300C by atomic layer deposition. ZnO layers were grown on various substrates like ZnO bulk crystal, GaN, SiC and $Al_2O_3$. Electrical properties of the films depend on structural quality. Structural quality, surface morphology and optical properties of ZnO films were characterized using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and photoluminescence, respectively. High resolution X-ray diffraction spectra show that the rocking curve FWHM of the symmetrical 00.2 reflection equals to 0.058° and 0.009° for ZnO deposited on a gallium nitride template and a zinc oxide substrate, respectively. In low temperature photoluminescence sharp excitonic lines in the band-edge region with a FWHM equal to 4 meV, 5 meV and 6 meV, for zinc oxide deposited on gallium nitride, zinc oxide and sapphire substrate, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-007-A-010
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnCoO Films Obtained at Low Temperature by Atomic Layer Deposition Using Organic Zinc and Cobalt Precursors
Autorzy:
Łukasiewicz, M.
Wójcik-Głodowska, A.
Guziewicz, E.
Jakieła, R.
Krajewski, T.
Łusakowska, E.
Paszkowicz, W.
Minikayev, R.
Kiecana, M.
Sawicki, M.
Godlewski, M.
Wachnicki, Ł.
Szczepanik, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811957.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
68.55.Nq
78.66.Hf
81.15.Kk
Opis:
In this paper we report on ZnCoO thin films grown by atomic layer deposition method in reactor F-120 Satellite. ZnCoO films were grown at low temperature ($T_s$=160°C) with a new zinc precursor (dimethylzinc - DMZn) and with cobalt (II) acetyloacetonate (Co(acac)₂) as a cobalt precursor and deionized water as an oxygen precursor. In this paper we concentrate on the methods of homogenizing Co distribution in ZnCoO films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1235-1240
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Genotype-environment interaction of barley DH lines in terms of morphological and physical traits of the stem and the degree of lodging
Autorzy:
Jezowski, S.
Surma, M.
Krajewski, P.
Adamski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25820.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
physical trait
genotype-environment interaction
DH line
lodging resistance
barley
morphology
Hordeum vulgare
environment condition
Źródło:
International Agrophysics; 2003, 17, 2
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-25 z 32

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies