Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kaminska, E." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 157
Tytuł:
Przygotowanie materiału kontrolnego do rutynowych badań enzymatycznych
Prigotovlenie kontrolnogo materiala dlja rutinovykh ehnzimaticheskikh issledovanijj
Preparation of control material for routine enzymatic testing
Autorzy:
Kamińska, E.
Łysiak, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2188599.pdf
Data publikacji:
1979
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Diagnostyki Laboratoryjnej
Źródło:
Diagnostyka Laboratoryjna; 1979, 15, 4; 165-171
0867-4043
Pojawia się w:
Diagnostyka Laboratoryjna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Changes in alpha-amylases activity in wheat and malted wheat grain after long storage
Ocena zmian aktywności alfa-amylaz w pszenicy i jej słodach po długotrwałym okresie przechowywania
Autorzy:
Warchalewski, J.R.
Klockiewicz-Kamińska, E.
Madaj, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398377.pdf
Data publikacji:
1985
Wydawca:
Instytut Rozrodu Zwierząt i Badań Żywności Polskiej Akademii Nauk w Olsztynie
Tematy:
wheat
stored wheat
malted wheat grain
amylolytic activity
Opis:
The effect of prolonged storage on α-amylases activity in wheat and malted wheat grain was studied. It was demonstrated that four-year storage increases the activity of α-amylases and at the same time decreases the total activity of combined α- and β-amylases and the protein level.
Badano wpływ długotrwałego czasu przechowywania na aktywność amylolityczną w ziarnie pszenicy i jej słodach. Do badań użyto ziarno pszenicy ozimej odmiany ARIA oraz jej słody: 4-dniowy z dodatkiem kwasu giberelinowego (GA3) i 6-dniowy bez GA₃. W ekstraktach z ziarniaków pszenicy i jej słodów oznaczono zawartość białka, łączną aktywność α i β-amylaz oraz aktywność α-amylaz, a także liczbę opadania. Wszystkie analizy wykonano 3 miesiące po zbiorze pszenicy i po 4 latach przechowywania ziarna. Stwierdzono, że 4-letni okres przechowywania ziarna w kontrolowanych warunkach wpływa na wzrost aktywności α-amylaz, jednocześnie obniżając łączną aktywność α i β-amylaz oraz poziom białka.
Źródło:
Acta Alimentaria Polonica; 1985, 11, 4; 379-384
0137-1495
Pojawia się w:
Acta Alimentaria Polonica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Regeneracja kolumn chromatograficznych wchodzących w skład zestawu Glyco Test 100 firmy Pierce do oznaczania zawartości hemoglobiny glikozylowanej we krwi
Regeneracija khromatograficheskikh kolonn v komplekse Glyco Tests 100 firmy Pierce dlja oboznachenija soderzhanija glikozilovannogo gemoglobina v krovi
Regeneration of chromotographic columns in the Glyco Test 100 manufactured by Pierce for determination of the blood content of glycosylated haemoglobin
Autorzy:
Kamińska, E.
Adamczyk, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2187393.pdf
Data publikacji:
1989
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Diagnostyki Laboratoryjnej
Tematy:
badania krwi
zestaw Glyko Test 100
kolumny chromatograficzne
regeneracja
kolumny regenerowane
skutecznosc dzialania
hemoglobina glikozylowana
oznaczanie
Źródło:
Diagnostyka Laboratoryjna; 1989, 25, 4-5; 247-249
0867-4043
Pojawia się w:
Diagnostyka Laboratoryjna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Conductance Fluctuations in Microstructures of HgCdMnTe Bicrystals
Autorzy:
Grabecki, G.
Lenard, A.
Plesiewicz, W.
Jaroszyński, J.
Cieplak, Marek
Skośkiewicz, T.
Dietl, T.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Bulka, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890700.pdf
Data publikacji:
1991-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Lq
Opis:
Microscopic four-contact probes to semimagnetic HgCdMnTe grain-boundary inversion layers have been photolithographically patterned. Magnetoresistance measurements performed on these samples revealed aperiodic conductance fluctuations of the magnitude of the order of e$\text{}^{2}$/h. Quantitative analysis of both fluctuation amplitude and their mean period indicate that we have approached the mesoscopic regime in our system. This opens new possibilities in studies of spin-subsystem dynamics in semimagnetic semiconductors.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 2; 307-310
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Direct Measurements of Arsenic and Phosphorus Evolution During Cap-Annealing of Gold-Based Metallizations on GaAs and InP
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Guziewicz, M.
Veresegyhazy, R.
Mojzes, I.
Pecz, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891383.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Evolution of arsenic and phosphorus during heat treatment of unprotected and encapsulated Au, AuZn and AuGeNi contacts on GaAs and InP has been examined and correlated with their ohmic behavior.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 457-460
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
FFirst TSC and DLTS Measurements of Low Temperature GaAs
Autorzy:
Muszalski, J.
Babiński, A.
Korona, K. P.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Kamińska, M.
Weber, E. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891236.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
72.80.Ey
Opis:
The first thermally stimulated current (TSC) and deep level transient spectroscopy (DLTS) studies performed on GaAs grown by molecular beam epitaxy (MBE) at low substrate temperatures (LT GaAs) are reported. TSC experiments, conducted on as grown and 400-580°C annealed layers showed domination of arsenic antisite (EL2-like) defect and supported its key role in hopping conductivity. DLTS studies, performed on Si doped and annealed at 800°C layers revealed substantially lower concentration of EL2-like defect and an electron trap of activation energy ΔE = 0.38 eV was found.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 413-416
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Atomic Scale Morphology of Thin Au(Zn)/GaAs Ohmic Contacts
Autorzy:
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Żarecka, R.
Barcz, A.
Mizera, E.
Kwiatkowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923883.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Very thin Au(Zn) contacts to p-GaAs were studied by means of transmission electron microscopy and secondary ion mass spectrometry. It was found that such contacts when cap annealed became ohmic, even though the reaction between the metallization and GaAs is confined to a very close vicinity of the interface.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 853-856
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Deep Defects in Low-Temperature GaAs
Autorzy:
Korona, K. P.
Muszalski, J.
Kamińska, M.
Weber, E. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923822.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
72.80.Ey
Opis:
Conductivity of GaAs layers grown by molecular beam epitaxy at low substrate temperature (190-200°C) and then annealed at few different temperatures (between 300 and 600°C) were studied. It was confirmed that electron transport is due to hopping between arsenic antisite defects. Parameters describing hopping conductivity and their dependence on temperature of annealing are discussed. Other deep defects with activation energies of 0.105, 0.30, 0.31, 0.47, 0.55 eV were found using photoinduced current transient spectroscopy measurements.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 821-824
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Defects Studies in As Grown and Neutron Irradiatcd Phosphorus Rich GaP
Autorzy:
Jasiński, J.
Palczewska, M.
Korona, K.
Kamińska, M.
Bourret, E. D.
Elliot, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923836.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
78.50.Ge
76.30.Mi
Opis:
Semi-insulating, p- and n-type liquid encapsulated Czochralski grown phosphorus rich GaP crystals before and alter neutron irradiation were studied. EPR measurements proved that the phosphorus antisite defect P$\text{}_{Ga}$ introduced by neutron irradiation was exactly the same as in as grown materials, i.e. surrounded by four substitutional phosphorus atoms. In neutron irradiated crystals EPR showed also a signal, similar to the one found in plastically deformed GaAs and GaP. The concentrations of P$\text{}_{Ga}$ and of the other defect were estimated to be of the same order of magnitude. Two absorption bands at 0.81 and 1.12 eV were found for irradiated materials. The temperature dependence of resistivity indicated hopping as the mechanism of conduction in samples irradiated with doses higher than 4 × 10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-2}$.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 829-832
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dual Role of TiN Reaction Barrier in Gold Based Metallization to GaAs
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Guziewicz, M.
Adamczewska, J.
Kwiatkowski, S.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923915.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Reactively sputtered TiN films were evaluated as annealing cap improving the formation of Au(Zn) ohmic contact and as antidiffusion barrier protecting contact metallization and underlying GaAs against reaction with Au overlayers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 857-860
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of Phosphorus Release during Annealing of Au Contacts to InP
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Kwiatkowski, S.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923864.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
The analysis of phosphorus release from Au/InP contacts heat treated at temperature from the range 360-480°C showed that P evaporation accompanies any stage of contact reaction. The use of encapsulating layer during contact annealing suppresses the loss of phosphorus and changes the kinetics of thermally activated interfacial reaction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 849-852
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical and Electrical Measurements of Low-Temperature InAlAs
Autorzy:
Korona, K. P.
Wysmołek, A.
Bożek, R.
Kamińska, M.
Baranowski, J. M.
Weber, E. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923833.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
73.60.Br
78.55.Cr
Opis:
Photoluminescence, photocurrent, thermally stimulated current and photoinduced current transient spectroscopy measurements done on molecular beam epitaxy In$\text{}_{0.52}$Al$\text{}_{0.48}$As layer, lattice matched to InP are reported. The investigated layers were grown on semi-insulating InP wafers, at temperature range from 215 to 450°C. It was found that the Fermi level was pinned to a dominant midgap center (most likely similar to EL2 center). Moreover, there were at least 7 other defects but with much smaller concentrations. Their activation energies were equal to 0.076, 0.11, 0.185, 0.295, 0.32 and 0.40 eV. The layers exhibited a very low luminescence and a small photocurrent.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 825-828
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Interaction between Thin Films of Zinc and (100) GaAs
Autorzy:
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Żarecka, R.
Mizera, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929624.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Interfacial reactions between thin films of Zn and GaAs were studied by means of transmission electron microscopy. Low-temperature interaction is governed by the penetration of Zn into the native oxide layer at the metal/GaAs interface. At 360°C the formation of Zn$\text{}_{3}$As$\text{}_{2}$ phase, highly oriented with respect to the (100) substrate takes place.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 527-529
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Isometries of Musielak-Orlicz spaces II
Autorzy:
Jamison, J. E.
Kamińska, A.
Lin, Pei-Kee
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1292975.pdf
Data publikacji:
1993
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Matematyczny PAN
Opis:
A characterization of isometries of complex Musielak-Orlicz spaces $L_Φ$ is given. If $L_Φ$ is not a Hilbert space and $U : L_Φ → L_Φ$ is a surjective isometry, then there exist a regular set isomorphism τ from (T,Σ,μ) onto itself and a measurable function w such that U(f) = w ·(f ∘ τ) for all $f ∈ L_Φ$. Isometries of real Nakano spaces, a particular case of Musielak-Orlicz spaces, are also studied.
Źródło:
Studia Mathematica; 1993, 104, 1; 75-89
0039-3223
Pojawia się w:
Studia Mathematica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Second Harmonic Generation in Spin-Glass Microstructures and Fabrication of Microstructures in IV-VI Epilayers
Autorzy:
Grabecki, G.
Dietl, T.
Cieplak, Marek
Plesiewicz, W.
Lenard, A.
Skośkiewicz, T.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Żarecka, R.
Springholz, G.
Bauer, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929753.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Jv
Opis:
We studied magnetoconductance of two different mesoscopic systems: microregions containing two-dimensional electron gas adjacent to a grain-boundary plane in bicrystals of Hg$\text{}_{0.79}$Cd$\text{}_{0.19}$Mn$\text{}_{0.02}$Te and photolithographically patterned microstructures of Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se. In both systems universal conductance fluctuations and generation of the second-harmonic voltage were observed at T ≤ 1 K. Moreover, in the former system the second harmonic signal exhibited distinct rise when the sample was cooled below the spin-glass freezing temperature (100 mK).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 781-784
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 157

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies