Interaction between Thin Films of Zinc and (100) GaAs

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Interaction between Thin Films of Zinc and (100) GaAs
Autorzy:: Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Żarecka, R.
Mizera, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929624.pdf
Data publikacji:: 1993-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Ns
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 527-529
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Interfacial reactions between thin films of Zn and GaAs were studied by means of transmission electron microscopy. Low-temperature interaction is governed by the penetration of Zn into the native oxide layer at the metal/GaAs interface. At 360°C the formation of Zn$\text{}_{3}$As$\text{}_{2}$ phase, highly oriented with respect to the (100) substrate takes place.

Informacja

Powiązane pozycje