Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Godlewski, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 53
Tytuł:
Zwiększenie współczynnika stateczności globalnej skarpy wysokiego nasypu poprzez wzmocnienie podłoża sztywnymi kolumnami betonowymi CMC/TM
Increase global stability of high embankments by soil reinforcement by application of CMC/TM concrete columns
Autorzy:
Godlewski, T.
Fudali, J.
Saloni, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/349242.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
kolumna CMC/TM
współczynnik stateczności globalnej
wzmocnienie podłoża
CMC/TM column
global factor of safety
soil reinforcement
Opis:
Przedmiotem artykułu jest zastosowanie wzmocnienia podłoża metodą kolumn CMC/TM w celu zwiększenia stateczności globalnej wysokich nasypów. W artykule opisano technologię wzmacniania podłoża za pomocą kolumn betonowych typu CMC/TM. Scharakteryzowano warunki gruntowe, w których zastosowanie kolumn CMC/TM ma szczególne uzasadnienie techniczne. Przedstawiono podstawowe założenie dotyczące projektowania, mając na uwadze przede wszystkim poprawienie współczynnika stateczności globalnej podłoża. Pokazano przykład poprawnego zastosowania technologii CMC/TM, w którym dzięki zaprojektowaniu odpowiedniego rozstawu kolumn, technologii wykonania i zbrojeniu podstawy nasypu spełniono stan graniczny stateczności globalnej wysokiej budowli ziemnej.
Soil reinforcement by application of CMC/TM columns to increase global stability of high embankments is the subject of this article. The technology of reinforcement by CMC/TM is described. Soil conditions in which the column are justified can be applied are characterized. Basis design assumptions which leads to improvement of global factor of safety are presented. Proper design of column spacing, technology of execution that satisfied the EQU limit state for the subbase of embankment is show on example.
Źródło:
Górnictwo i Geoinżynieria; 2008, 32, 2; 125-137
1732-6702
Pojawia się w:
Górnictwo i Geoinżynieria
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnO by ALD - Advantages of the Material Grown at Low Temperature
Autorzy:
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Krajewski, T.
Wachnicki, Ł.
Łuka, G.
Paszkowicz, W.
Domagała, J.
Przeździecka, E.
Łusakowska, E.
Witkowski, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791286.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ga
78.66.Hf
72.80.Ey
Opis:
The 3D-architecture is a prospective way in miniaturization of electronic devices. However, this approach can be realized only if metal paths are placed not only at the top, but also beneath the electronic parts, which imposes drastic temperature limitations for the electronic device processing. Therefore last years a lot of investigations are focused on materials which can be grown at low temperature with electrical parameters appropriate for electronic applications. Zinc oxide grown by the atomic layer deposition method is one of the materials of choice. We obtained ZnO-ALD films at growth temperature range between 100°C and 200°C, and with controllable electrical parameters. Free carrier concentration was found to scale with deposition temperature, so it is possible to grow ZnO films with desired conductivity without any intentional doping. We used correlation of electrical and optical parameters to optimize the deposition process. Zinc oxide layers obtained in that way have free carrier concentration as low as $10^{16} cm^{-3}$ and high mobility ($10-50 cm^{2}$/(Vs)), which satisfies requirements for a material used in three-dimensional memories.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 814-817
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Effect of Synthesis Pressure on Properties of Eu-Doped ZnO Nanopowders Prepared by Microwave Hydrothermal Method
Autorzy:
Rosowska, J.
Kaszewski, J.
Witkowski, B.
Wachnicki, Ł.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1185714.pdf
Data publikacji:
2016-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Hx
81.07.Wx
81.20.Ka
78.60.Hk
Opis:
In the current research, europium doped ZnO nanopowders prepared by a microwave hydrothermal method are investigated. The effects of synthesis pressure on the morphologies, crystal structures, and optical properties of Eu-doped ZnO were analyzed by scanning electron microscopy, X-ray diffraction, cathodo- and photoluminescence. From our investigations it can be concluded that the synthesis pressure strongly influences the surface morphology. With the increase of the synthesis pressure from 2 MPa to 10 MPa significant changes can be observed. An increase of the mean crystallites sizes and change of the intensity ratio between the near band edge and defect related deep level emission band of ZnO were observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1205-1208
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The distribution and chemical coding of urinary bladder trigone-projecting neurons in testicular and aorticorenal ganglia in male pigs
Autorzy:
Pidsudko, Z.
Godlewski, J.
Wąsowicz, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/16539341.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czasopisma i Monografie PAN
Tematy:
prevertebral ganglia
urinary bladder trigone
immunohistochemistry
retrograde tracing
neuropeptides
male pig
Opis:
Combined retrograde tracing and double-labelling immunofluorescence were used to investigate the distribution and chemical coding of neurons in testicular (TG) and aorticoerenal (ARG) ganglia supplying the urinary bladder trigone (UBT) in juvenile male pigs (n=4, 12 kg. of body weight). Retrograde fluorescent tracer Fast Blue (FB) was injected into the wall of the bladder trigone under pentobarbital anesthesia. After three weeks all the pigs were deeply anesthetized and transcardially perfused with 4% buffered paraformaldehyde. TG and ARG, were collected and processed for double-labelling immunofluorescence. The expression of tyrosine hydroxylase (TH) or dopamine beta-hydroxylase (DBH), neuropeptide Y (NPY), somatostatin (SOM), galanin (GAL), nitric oxide synthase (NOS) and vesicular acetylcholine transporter (VAChT) were investigated. The cryostat sections were examined with a Zeiss LSM 710 confocal microscope equipped with adequate filter blocks. The TG and ARG were found to contain many FB-positive neurons projecting to the UBT (UBT-PN). The UBT-PN were distributed in both TG and ARG. The majority of them were found in the right ganglia, mostly in TG. Immunohistochemistry disclosed that the vast majority of UBT-PN were noradrenergic (TH- and/or DBH-positive). Many noradrenergic neurons contained also immunoreactivity to NPY, SOM or GAL. Most of the UBT-PN were supplied with VAChT-, or NOS- IR (immunoreactive) varicose nerve fibres. This study has revealed a relatively large population of differently coded prevertebral neurons projecting to the porcine urinary bladder. As judged from their neurochemical organization these nerve cells constitute an important element of the complex neuro-endocrine system involved in the regulation of the porcine urogenital organ function.
Źródło:
Polish Journal of Veterinary Sciences; 2022, 25, 3; 483-487
1505-1773
Pojawia się w:
Polish Journal of Veterinary Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Struktury fotowoltaiczne z planarnym heterozłączem półprzewodnik II-VI / półprzewodnik molekularny
Photovoltaic Devices Based on Planar II-VI Semiconductor / Molecular Semiconductor Heterojunction
Autorzy:
Signerski, R.
Jarosz, G.
Szostak, J.
Godlewski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159630.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
efekt fotowoltaiczny
ogniwa hybrydowe
photovoltaic effect
hybrid solar cells
Opis:
Artykuł przedstawia wybrane wyniki badań własnych nad układami hybrydowymi zbudowanymi na bazie złącza półprzewodnik nieorganiczny II-VI / półprzewodnik organiczny. Na podstawie analizy położenia pasm energetycznych warstw wchodzących w skład wytworzonych ogniw oraz charakterystyk spektralnych prądu zwarcia tych urządzeń, określone zostały procesy prowadzące do fotogeneracji nośników ładunku w badanych układach. W ogniwach zbudowanych na bazie złącz CdS/ZnPc oraz ZnTe/F16ZnPc zaobserwowano zarówno generację bezpośrednią w półprzewodniku nieorganicznym (przejście pasmo-pasmo), jak i generację wynikającą z dysocjacji ekscytonów wzbudzonych w półprzewodniku molekularnym, zachodzącą na złączu obydwu półprzewodników. W przypadku układów zbudowanych na bazie złącza CdTe/DIP, zaobserwowano jedynie fotogenerację drugiego typu.
This article presents chosen results of research on hybrid solar cells based on inorganic II-VI semiconductor/molecular semiconductor heterojunctions. On the basis of energetic structure of fabricated devices and short-circuit current spectral response measured for these cells possible processes leading to photogeneration of free charge carriers were determined. For the cells based on CdS/ZnPc and ZnTe/F16ZnPc heterojunctions two processes were identified: direct photogeneretaion in inorganic semiconductors via band-to-band transitions and dissociation of excitons generated in molecular semiconductors that takes place at the interface of both semiconductors forming the junction. In contrast, only the latter process was observed in case of devices with CdTe/DIP heterojunction.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2014, 264; 91-98
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spin Dependent Interactions of Free Carriers and Manganese Ions in Nanostructures of Wide Band Gap II-Mn-VI Semiconductors - Mechanism of Lifetime Reduction
Autorzy:
Yatsunenko, S.
Khachapuridze, A.
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Khoi, Le Van
Gołacki, Z.
Karczewski, G.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Klar, P. J.
Heimbrodt, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036034.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Fc
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:
Based on the results of optically detected magnetic resonance and time-resolved investigations we relate the observed lifetime shortening of intra-shell Mn$\text{}^{2+}$ emission to spin dependent magnetic interactions between localized spins of Mn$\text{}^{2+}$ ions and spins/magnetic moments of free carriers. We show that this mechanism is active in both bulk and in low dimensional structures, such as quantum wells, quantum dots, and nanostructures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 643-648
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Space Charge Limited Currents in Anthracene Crystals under Modulated Illumination
Autorzy:
Uzarczyk, A.
Godlewski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933388.pdf
Data publikacji:
1995-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.40.+w
Opis:
Space charge limited currents have been examined in anthracene crystals illuminated with a chopped beam of monochromatic light (λ = 420 nm). The beam was uniformly absorbed in the anthracene crystal. The primary objective of our research was to determine mechanisms responsible for the release and trapping of charge carriers in the case of space charge limited currents as a function of time. The experimental results concern the dependences of photocurrents on the frequency of light chopping, light intensity, voltage and current decay after illumination. Photocurrent decay as a function of time was exponential for short time periods (i.e. for milliseconds), while for longer periods it was described by the power function t$\text{}^{-1/l}$, where parameter 1 is the characteristic parameter of the exponential distribution of traps.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 4-5; 849-854
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Recombination Processes in Doped CdTe/CdMnTe Multiple Quantum Well Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:
Godlewski, M.
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Kossut, J.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968089.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.47.+p
78.55.Et
Opis:
An influence of doping level on exciton properties in n-doped multiple quantum well structures of CdTe/CdMnTe is studied for multiple quantum well structures prepared in the way that donor (indium) concentration changes within the length of the sample. We show that the formation scenario for neutral donor bound excitons in low-dimensional structures can be different from that observed in bulk samples. We further show that in the case of such quantum well structures we can selectively excite either photoluminescence emission of localized or donor bound excitons, which is a consequence of surprisingly weak energy transfer link between two types of excitonic transitions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 757-760
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoluminescence Studies of Cubic Phase GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy on (001) Silicon Covered with Sic Layer
Autorzy:
Godlewski, M.
Ivanov, V. Yu.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Barski, A.
Langer, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968103.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
78.47.+p
Opis:
In this work we evaluate optical properties of cubic phase GaN epilayers grown on top of (001) silicon substrate prepared by a new process. Prior to the growth Si substrate was annealed at 1300-1400°C in propane. The so-prepared substrate is covered with a thin (≈ 4 nm) SiC wafer, which allowed a successful growth of good morphological quality cubic phase GaN epilayers. The present results confirm recent suggestion on smaller ionization energies of acceptors in cubic phase GaN epilayers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photo-ESR Studies of Ni doped ZnS and ZnSe
Autorzy:
Surma, M.
Zakrzewski, A. J.
Godlewski, M.
Surkova, T. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1932084.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.He
78.55.Et
Opis:
The results of electron spin resonance experiments are presented for nickel doped ZnS and ZnSe. Energy level position of Ni$\text{}^{1+}$ state in band gap of ZnS and ZnSe is determined. The nonradiative recombination processes of donor-acceptor pairs in Ni doped samples are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 221-224
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Origin of Ultrafast Component of Photoluminescence Decay in Nanostructures Doped with Transition Metal or Rare-Earth Ions
Autorzy:
Godlewski, M.
Yatsunenko, S.
Ivanov, V. Yu.
Khachapuridze, A.
Świątek, K.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Klar, P. J.
Heimbrodt, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041630.pdf
Data publikacji:
2005-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Fc
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:
Bulk samples, layers, quantum well, and quantum dot structures of II-Mn-VI samples all show coexistence of slow and fast components of Mn$\text{}^{2+}$ photoluminescence decay. Thus, fast photoluminescence decay cannot be related to low dimensionality of a host material. This also means that the model of the so-called quantum confined atom is incorrect. Based on the results of time-resolved photoluminescence and optically detected magnetic resonance investigations we relate the observed lifetime decrease in Mn$\text{}^{2+}$ intra-shell transition to spin dependent magnetic interactions between localized spins of Mn$\text{}^{2+}$ ions and between Mn$\text{}^{2+}$ ions and spins/magnetic moments of free carriers. The latter mechanism is enhanced in nanostructures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 65-74
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Detected Magnetic Resonance Studies of Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te (x=0.095, 0.007)
Autorzy:
Godlewski, M.
Świątek, K.
Gałązka, R. R.
Monemar, B.
van Loosdrecht, P. H. M.
Wittlin, A.
Perenboom, J. A. A. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929637.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
76.70.Hb
78.55.Et
71.35.+z
Opis:
The dominant mechanism responsible for the optical detection of the Mn$\text{}^{2+}$ magnetic resonance in Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te (x = 0.095, 0.007) is explained. By either change of the external magnetic field or by setting the conditions for the Mn$\text{}^{2+}$ magnetic resonance, we could change the relative efficiencies of the two competing excitonic recombination processes. By lowering magnetization at the magnetic resonance, recombination via the acceptor bound exciton channel, which is mainly nonradiative, is enhanced. Then, a large up to 50% decrease in the total photoluminescence efficiency was observed in the optically detected magnetic resonance experiment. Such observation allows for verification of the large efficiency of the Auger-type transition responsible for the nonradiative decay of the acceptor bound exciton.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 539-542
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Detected Cyclotron Resonance Studies of High Eelectron Mobility AlGaAs/GaAs Structures
Autorzy:
Godlewski, M.
Monemar, B.
Anderson, T. G.
Tsimperidis, I.
Gregorkiewicz, T.
Ammerlaan, C. A. J.
Muszalski, J.
Kaniewska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934059.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Jd
78.66.Fd
73.40.Kp
73.20.Dx
Opis:
Optically detected cyclotron resonance is used for the identification of recombination transitions of two-dimensional electron gas in A1GaAs/GaAs heterostructures. Two photoluminescence emissions are attributed to the recombination of the two-dimensional electron gas. These are the so-called H-band and the Fermi level singularity photoluminescence. Optical detection of cyclotron resonance is related to the change of the band bending across the GaAs active layer and the AlGaAs barrier, which is caused by impact ionization of shallow donors in the barrier region. Influence of a long range carrier scattering on ionized impurities on a mobility of the two-dimensional carriers is studied.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 990-994
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Detected Cyclotron Resonance Studies of CdMnTe/CdTe Multiquantum Wells and CdMgTe/CdMnTe Superlattices
Autorzy:
Godlewski, M.
Świątek, K.
Harris, C. I.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Waag, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1932082.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.47.+ρ
76.70.Hb
68.55.Ln
71.35.+z
Opis:
The results of photoluminescence, time resolved photoluminescence (decay times), optically detected cyclotron and magnetic resonances investigations of CdMnTe/CdTe multiquantum wells and CdMgTe/CdMnTe super-lattices are presented. The role of defects and quantum well width fluctuations in recombination processes of 2D carriers is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 213-216
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Properties of ZnCoO Films and Nanopowders
Autorzy:
Wolska, E.
Łukasiewicz, M.
Fidelus, J.
Łojkowski, W.
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791349.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
78.55.Et
81.07.Wx
61.72.uf
78.66.Hf
Opis:
ZnCoO is one of the most studied and promising semiconductor materials for spintronics applications. In this work we discuss optical and electrical properties of ZnCoO films and nanoparticles grown at low temperature by either atomic layer deposition or by a microwave driven hydrothermal method. We report that doping with cobalt quenches a visible photoluminescence of ZnO. We could observe a visible photoluminescence of ZnO only for samples with very low Co fractions (up to 1%). Mechanisms of photoluminescence quenching in ZnCoO are discussed. We also found that ZnO films remained n-type conductive after doping with Co, indicating that a high electron concentration and cobalt 2+ charge state can coexist.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 918-920
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 53

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies