Spin Dependent Interactions of Free Carriers and Manganese Ions in Nanostructures of Wide Band Gap II-Mn-VI Semiconductors - Mechanism of Lifetime Reduction - Katalog OPAC zbiorów

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Spin Dependent Interactions of Free Carriers and Manganese Ions in Nanostructures of Wide Band Gap II-Mn-VI Semiconductors - Mechanism of Lifetime Reduction
Autorzy:: Yatsunenko, S.
Khachapuridze, A.
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Khoi, Le Van
Gołacki, Z.
Karczewski, G.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Klar, P. J.
Heimbrodt, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2036034.pdf
Data publikacji:: 2003-06
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Gs
76.30.Fc
76.70.Hb
78.55.Et
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 643-648
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Based on the results of optically detected magnetic resonance and time-resolved investigations we relate the observed lifetime shortening of intra-shell Mn$\text{}^{2+}$ emission to spin dependent magnetic interactions between localized spins of Mn$\text{}^{2+}$ ions and spins/magnetic moments of free carriers. We show that this mechanism is active in both bulk and in low dimensional structures, such as quantum wells, quantum dots, and nanostructures.

Informacja

Spin Dependent Interactions of Free Carriers and Manganese Ions in Nanostructures of Wide Band Gap II-Mn-VI Semiconductors - Mechanism of Lifetime Reduction

Powiązane pozycje