Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Domagała, B." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Changes of GaP: N Defect Structure under Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Kozankiewicz, B.
Misiuk, A.
Adamczewska, J.
Skibska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1924323.pdf
Data publikacji:
1993-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
65.70.+y
Opis:
The changes of defect structure of GaP:N epitaxial layers subjected to hydrostatic pressures up to 1.8 GPa are investigated by X-ray diffraction and photoluminescence. The observed changes are more pronounced at higher pressures and depend on the nitrogen concentration, c$\text{}_{N}$, and on initial defect structure. Especially complex hydrostatic pressure induced properties are observed for the sample with c$\text{}_{N}$ > 10$\text{}^{20}$ at. cm$\text{}^{-3}$. The model explaining the hydrostatic pressure induced defect structure changes is proposed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 1; 87-93
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Oscillations in Reflectivity of Samples with X-ray Waveguide Layers
Autorzy:
Pełka, J. B.
Lagomarsino, S.
Di Fonzo, S.
Jark, W.
Domagała, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1945221.pdf
Data publikacji:
1996-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.65.+g
78.20.Ci
Opis:
The glancing-angle reflectivity profiles in samples containing an X-ray waveguide layer are studied. Oscillations observed at angles within the region of resonance and above, are interpreted by angle dependent interference of the monochromatic X-ray beam in thin layer. The discussion is extended to the structures composed of more than one layer. Experimental reflectivity spectra recorded with Cu K$\text{}_{α}$ radiation are compared with the theoretical calculations. It leads to the model of oscillations in reflectivity consistent both for the resonant and non-resonant regions, and clarifies interpretation of oscillations in the region above the resonances. A brief discussion of potential applications of the reflectivity spectra to the studies of structure of thin layers is done.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 89, 3; 323-328
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Defect Structure of Pressure Treated Czochralski Grown Silicon Investigated by X-Ray Topography and Diffractometry
Autorzy:
Misiuk, A.
Härtwig, J.
Prieur, E.
Ohler, M.
Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964154.pdf
Data publikacji:
1997-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Yx
81.40.Vw
61.10.-i
Opis:
The defect structure of Czochralski grown silicon single crystals annealed at 870-1400 K under hydrostatic pressure up to 1 GPa was investigated by conventional and synchrotron radiation X-ray topography and by reciprocal space mapping. Hydrostatic pressure promotes oxygen precipitation from oversaturated Si-O solid solution and the creation of structural defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 987-991
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Grazing Incidence X-Ray Reflectivity Study of MBE-Grown Co/Cu Multilayers
Autorzy:
Pełka, J. B.
Baczewski, L. T.
Wawro, A.
Domagała, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1963397.pdf
Data publikacji:
1997-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.30.Gw
75.30.-m
75.70.-i
Opis:
In this work we report preliminary grazing-incidence X-ray reflectometry studies of multilayer structures composed of 3d metals Co and Cu deposited in the ultra-high vacuum molecular beam epitaxy system. The multilayers of different modulation period were deposited on glass substrate directly, or on 3d -metallic buffers of various thicknesses. The experimental specular reflectivity spectra were analyzed by a comparison with a theoretical model calculated from a recursive algorithm based on the Fresnel formula [1, 2]. It enabled us to estimate the structural parameters concerning layer thickness and roughness. The results obtained are correlated with magnetization measurements of the layered structures, as a function of modulation period, buffer type and thickness. A special attention to influence of interfacial roughness on magnetization results is paid.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 859-863
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Study of Si(111) Implanted with As Ions by X-Ray Diffraction and Grazing Incidence Methods
Autorzy:
Pełka, J. B.
Górecka, J.
Auleytner, J.
Domagała, J.
Bąk-Misiuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964119.pdf
Data publikacji:
1997-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
68.55.Jk
Opis:
The Si(111) wafer cut from a bulk single crystal obtained by the Czochralski method was implanted with 5×10$\text{}^{16}$ I cm$\text{}^{-2}$ of As ions of energy 80 keV. The dose applied was chosen above the amorphization limit of the silicon substrate. Two samples, implanted and a reference, were studied by grazing incidence X-ray reflectometry and X-ray diffraction methods using a high resolution Philips MRD system equipped with a Cu source and a channel-cut monochromator. The obtained spectra were compared with distributions of ion range and defect production calculated with TRIM program [1], as well as with theoretical models of reflectivity [2, 3]. The results of grazing incidence X-ray reflectometry reflectivity of the implanted sample show well-pronounced oscillations, which can be associated with a layer about 50 nm thick, approximately comparable to the thickness of the defected layer estimated from the TRIM method. Theoretical calculations of reflectivity clearly indicate an occurrence of a Si layer of electron density lower about 10-15% comparing to the unimplanted Si sample. This can be due to the vacancy production during ion implantation. A comparison of the spectra with a density distribution profile concluded from the TRIM calculations shows large discrepancies. The results indicate the applicability of grazing incidence X-ray reflectometry method in a study of amorphization processes in implanted layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 905-910
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Properties of Fe Doped β-HgS under Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Szuszkiewicz, W.
Skierbiszewski, C.
Paszkowicz, W.
Dybko, K.
Domagała, J.
Dynowska, E.
Witkowska, B.
Zinn, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992279.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.10.Gs
64.60.My
71.55.Gs
Opis:
High pressure- high temperature studies of the structural (zinc blende- cinnabar) phase transitions were performed in Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$ S mixed crystals (x<0.1) using synchrotron radiation and multianvil X-ray diffraction press. Pressure investigations of the Hall effect and conductivity of crystals containing up to a few percent of Fe were also performed at 295 K and 77 K. It was demonstrated that Fe in β-HgS creates deep, localized donor state resonant with the conduction band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 570-574
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
PVT-Grown Single Crystals of Cd$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Te (x ≤ 0.25) and ZnTe as Substrates for Epitaxy
Autorzy:
Mycielski, A.
Szadkowski, A.
Łusakowska, E.
Kowalczyk, L.
Domagała, J.
Bąk-Misiuk, J.
Wilamowski, Z.
Witkowska, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991957.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
81.10.Bk
Opis:
The process of growth of single crystals of Cd$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Te (x ≤ 0.25) and ZnTe by physical vapour transport has been optimized and the twin-free single crystals with a very good crystal structure and low density of dislocations are grown as substrates for MBE and other techniques of epitaxy. Characterization of the crystals is described.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 441-445
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Rzeczka Bukowa w aglomeracji miejskiej Szczecina - od zrodel na bezrzeczu do ujscia do Odry - badania biologiczne i chemiczne
Autorzy:
Domagala, J
Poleszczuk, G.
Kasprzyk, A.
Kosowska, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/802408.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:
hydrobiologia
ochrona srodowiska
Szczecin
rzeki
hydrochemia
rzeka Bukowa
ekosystemy wodne
aglomeracje miejskie
ksztaltowanie srodowiska
zagrozenia srodowiska
Opis:
W okresie jesień 1999 - wiosna 2000 prowadzono badania ekosystemu cieku - strumienia Bukowa przepływającego przez aglomerację miejską Szczecina. Zebrane dane umożliwiły dokonanie opisu fizjograficznego rzeki Bukowej oraz ocenę stanu fito- i zoocenoz tego cieku, a także dokonanie oceny jakości wód rzeki wzdłuż drogi ich spływu. Wyniki badań biologicznych i chemicznych wykazały, że ciek - strumień Bukowa, począwszy od źródła w dzielnicy Bezrzecze, aż do ujścia do rzeki Odry, jest właściwie kanałem, którym spływają martwe biologicznie i - mierząc według kryteriów chemicznych - zdeklasowane wody, przeważnie pochodzenia ściekowego.
The ecosystem of Bukowa stream, flowing across the Szczecin agglomeration, was investigated within the period of autumn 1999 - spring 2000. The data collected made possible to accomplish the Bukowa physiographical description, to asses the phyto- and zoocenose conditions and to evaluate the water quality in Bukowa, along the couse of flow. Results of biological and chemical investigations showed, that Bukowa-stream, from the spring at Bezrzecze quarter to Odra River mouth, is in fact sewer, with flowing of biologicaly dead and declassified water, mostly of sewage origin.
Źródło:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych; 2001, 476; 357-364
0084-5477
Pojawia się w:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Corbicula fluminea (O. F. Müller, 1774) (Bivalvia: corbiculidae) – a species new to the Polish malacofauna
Autorzy:
Domagala, J.
Labecka, A.M.
Pilecka-Rapacz, M.
Migdalska, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/84175.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Uniwersytet Mikołaja Kopernika. Wydział Biologii i Ochrony Środowiska. Stowarzyszenie Malakologów Polskich
Opis:
Dispersal of the exotic bivalve Corbicula fluminea has been observed in Europe for more than 20 years. In October 2003, the bivalve was for the first time recorded in Poland; its first Polish site is the heated water canal of the Dolna Odra power station in Western Pomerania.
Źródło:
Folia Malacologica; 2004, 12, 3
1506-7629
Pojawia się w:
Folia Malacologica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Epitaxial Growth and Optical Properties of PbTe/CdTe Semiconductor Heterostructures
Autorzy:
Szot, M.
Kowalczyk, L.
Smajek, E.
Domukhovski, V.
Domagała, J.
Łusakowska, E.
Taliashvili, B.
Dziawa, P.
Knoff, W.
Wiater, M.
Wojtowicz, T.
Story, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811996.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Hx
78.67.De
78.67.Hc
78.67.Pt
Opis:
Growth optimization, optical and structural properties of PbTe/CdTe multilayers grown by molecular beam epitaxy on GaAs (001) as well as on $BaF_2$ (111) substrates is reported. An intense photoluminescence in the mid-infrared region is observed from PbTe quantum wells excited with 1.17 eV pulsed YAG:Nd laser. The energy of the emission peak shows blue shift with decreasing PbTe well width and has a positive temperature coefficient. The influence of thermal annealing on photoluminescence spectra of PbTe/CdTe multilayers grown on $BaF_2$ substrate is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1391-1396
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Experimental analysis of velocity field structure in isothermal countercurrent jets
Eksperymentalna analiza struktury pola prędkości w izotermicznych strugach przeciwbieżnych
Autorzy:
Wojciechowska, B.
Domagała, P.
Drobniak, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/280212.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Mechaniki Teoretycznej i Stosowanej
Tematy:
countercurrent jets
turbulence intensity
turbulence scales
Opis:
The paper presents results of experimental analysis of the flowfield in isothermal countercurrent round jets. The velocity measurements were carried out by means of a hot-wire anemometry. The instantaneous signals collected during the experiment were digitally processed and used to determine the statistics of velocity fields and distributions of turbulence scales. The results revealed that the fluid aspiration at the jet periphery significantly influences the mixing and entrainment in the free flow.
Artykuł przedstawia wyniki eksperymentalnej analizy pola prędkości izotermicznych strug przeciwbieżnych. Eksperyment przeprowadzony został z wykorzystaniem pionowego tunelu aerodynamicznego wyposażonego w układ dwóch dysz do generacji osiowosymetrycznych, koncentrycznych strug przeciwbieżnych. Pomiar prędkości został wykonany przy użyciu termoanemometrii. Uzyskane w trakcie badań wyniki pokazują, że zewnętrzna struga zwrotna ma istotny wpływ na rozwój wewnątrz strugi osiowosymetrycznej. Najistotniejszy parametr niniejszych badań, tzn. stosunek prędkości wewnętrznej i zewnętrznej strugi, wykazał wartość krytyczną I = 0.2. Prawidłowość tę zaobserwowano dla obydwu badanych liczb Reynoldsa, chociaż dla niższych liczb Reynoldsa tendencja ta była bardziej widoczna. Nowym elementem poznawczym było określenie rozkładu charakterystycznych skal turbulencji, które według wiedzy autorów nie były prezentowane w literaturze dla badanego przepływu.
Źródło:
Journal of Theoretical and Applied Mechanics; 2009, 47, 1; 3-16
1429-2955
Pojawia się w:
Journal of Theoretical and Applied Mechanics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnO by ALD - Advantages of the Material Grown at Low Temperature
Autorzy:
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Krajewski, T.
Wachnicki, Ł.
Łuka, G.
Paszkowicz, W.
Domagała, J.
Przeździecka, E.
Łusakowska, E.
Witkowski, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791286.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ga
78.66.Hf
72.80.Ey
Opis:
The 3D-architecture is a prospective way in miniaturization of electronic devices. However, this approach can be realized only if metal paths are placed not only at the top, but also beneath the electronic parts, which imposes drastic temperature limitations for the electronic device processing. Therefore last years a lot of investigations are focused on materials which can be grown at low temperature with electrical parameters appropriate for electronic applications. Zinc oxide grown by the atomic layer deposition method is one of the materials of choice. We obtained ZnO-ALD films at growth temperature range between 100°C and 200°C, and with controllable electrical parameters. Free carrier concentration was found to scale with deposition temperature, so it is possible to grow ZnO films with desired conductivity without any intentional doping. We used correlation of electrical and optical parameters to optimize the deposition process. Zinc oxide layers obtained in that way have free carrier concentration as low as $10^{16} cm^{-3}$ and high mobility ($10-50 cm^{2}$/(Vs)), which satisfies requirements for a material used in three-dimensional memories.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 814-817
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Capability of Semiconducting NiO Films in Gamma Radiation Dosimetry
Autorzy:
Guziewicz, M.
Jung, W.
Grochowski, J.
Borysiewicz, M.
Golaszewska, K.
Kruszka, R.
Baranska, A.
Piotrowska, A.
Witkowski, B.
Domagala, J.
Gryzinski, M.
Tyminska, K.
Stonert, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492706.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Jc
29.40.-n
87.53.Bn
Opis:
Electrical properties of RF magnetron sputtered p-NiO films were characterized after fabrication and after gamma irradiations using $\text{}^{137}Cs$ and $\text{}^{60}Co$ sources. Electrical parameters are obtained from the Hall measurements, impedance spectroscopy and C-V measurement of n-Si/p-NiO junction diodes. The results show that resistivity of the NiO film is gradually increased following after sequential irradiation processes because of the decrease in holes' concentration. Hole concentration of a NiO film decreases from the original value of $4.36 \times 10^{16} cm^{-3}$ to $2.86 \times 10^{16} cm^{-3}$ after $\text{}^{137}Cs γ$ irradiation with doses of 10 Gy. In the case of γ irradiation from $\text{}^{60}Co$ source, hole concentration of the film decreases from $6.3 \times 10^{16}//cm^3$ to $4.1 \times 10^{16}//cm^3$ and to $2.9 \times 10^{16}//cm^3$ after successive expositions with a dose of 20 Gy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-069-A-072
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Epitaxial ZnO Films Grown at Low Temperature for Novel Electronic Application
Autorzy:
Wachnicki, Ł.
Dużyńska, A.
Domagala, J.
Witkowski, B.
Krajewski, T.
Przeździecka, E.
Guziewicz, M.
Wierzbicka, A.
Kopalko, K.
Figge, S.
Hommel, D.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492723.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Aa
61.05.cp
81.05.Dz
Opis:
Monocrystalline films of zinc oxide were grown at 300C by atomic layer deposition. ZnO layers were grown on various substrates like ZnO bulk crystal, GaN, SiC and $Al_2O_3$. Electrical properties of the films depend on structural quality. Structural quality, surface morphology and optical properties of ZnO films were characterized using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and photoluminescence, respectively. High resolution X-ray diffraction spectra show that the rocking curve FWHM of the symmetrical 00.2 reflection equals to 0.058° and 0.009° for ZnO deposited on a gallium nitride template and a zinc oxide substrate, respectively. In low temperature photoluminescence sharp excitonic lines in the band-edge region with a FWHM equal to 4 meV, 5 meV and 6 meV, for zinc oxide deposited on gallium nitride, zinc oxide and sapphire substrate, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-007-A-010
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie topologicznej analizy gęstości elektronowej do opisu oddziaływań niekowalencyjnych
The use of topological analysis of electron density in characterization of noncovalent interactions
Autorzy:
Bankiewicz, B.
Rybarczyk-Pirek, A.
Małecka, M.
Domagała, M.
Palusiak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/172723.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Chemiczne
Tematy:
Kwantowa teoria Atomów w Cząsteczkach
QTAIM
gęstość elektronowa
analiza topologiczna
wiązanie chemiczne
oddziaływanie niekowalencyjne
Quantum Theory of Atoms in Molecules
electron density
topological analysis
chemical bonding
noncovalent bonding
Opis:
All atomic and molecular properties are governed by an electron density distribution. Thus, the methods that deal with an analysis of the electron density distribution should have a particular appeal for chemists and help to understand the electron structure of molecules. The Quantum Theory of Atoms in Molecules gives the unique opportunity to have an insight into a region (e.g., an atom) of a given system (e.g. a molecule), delivering partitioning scheme which is defined explicitly within the rigorous quantum theory, from one side, and is applicable for experimentally available set of observables, from the other side. In that way QTAIM delivers a chemist a theoretical tool to study a small part of a molecule only, instead of dealing with the total energy of a whole system. In consequence, QTAIM has become one of the most powerful utilities of modern chemistry, forming a bridge between advanced theoretical and experimental techniques. In particular the properties of the electron density function in the so-called bond critical point (BCP, the (3, -1) saddle point on electron density curvature) seem to be valuable information for chemists, since it was proven in many papers that the chemical bonding can be characterized and classified on the basis of electron density characteristics measured in BCPs . In this review we firstly give a brief introduction to the theory, explaining most basic terms and dependences. In the main part of the review we discuss application of QTAIM in the qualitative and quantitative analysis of several various noncovalent interactions, focusing readers attention on such aspects as classification of interactions and interaction energy assessment. Both theoretical and experimental approaches are taken into account. We also discuss extensions of QTAIM to the analysis of the so called source function – the method which additionally enlarge interpretative possibilities of its parent theory. Finally, we give some examples which perhaps escape a rigorous QTAIM definition of chemical bonding. We acquaint the potential reader with arguments being pro- and against the QTAIM-based deterministic model of a chemical bond.
Źródło:
Wiadomości Chemiczne; 2014, 68, 5-6; 457-486
0043-5104
2300-0295
Pojawia się w:
Wiadomości Chemiczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies