Autor: Dobosz, D. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Analiza wzorców kompensacji pionowej postawy ciała u dzieci po obciążeniu plecakiem szkolnym
The analysis of compensation patterns of erect standing posture in children with backpack load
Autorzy:: Dobosz, D.
Sobota, G.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/99163.pdf
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Politechnika Śląska. Katedra Biomechatroniki
Tematy:: dziecko
postawa ciała
parametry stabilograficzne
obciążenie kręgosłupa
child
body posture
stabilography parameters
spine load
Opis:: Na temat reakcji posturalnej dziecka na obciążenie w postaci plecaka powstało wiele prac badawczych. Oceniały one parametry stabilograficzne, zmiany w postawie ciała, relacje między ciężarem i położeniem plecaka, a jakością tych zmian. Autorzy chcąc uzupełnić dotychczas uzyskaną wiedzę na ten temat zdecydowali się na zaprojektowanie badania, które obejmuje próby z plecakiem założonym nie tylko z tyłu, ale i z przodu ciała co pozwoli stwierdzić czy tak zadane obciążenie wywoła różne wzorce kompensacyjne.
Until now many researches about Children‟s postural response to backpack load were done. Research workers have already evaluated changes in the posturographic parameters, body posture, relationship between the size, location of the backpack and the quality of these changes etc. To broaden knowledge about that issue authors decided to do experiment which compares two situations: when backpack is placed at the back and in the front of the body. Such experiment may point out whether this two conditions determine different compensation patterns.
Źródło:: Aktualne Problemy Biomechaniki; 2011, 5; 19-24
1898-763X
Pojawia się w:: Aktualne Problemy Biomechaniki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wyznaczenie parametrów ruchów przestrzennych za pomocą jednej kamery wideo
Calculation of kinematic parameters of three - dimensional movements with help of one video camera
Autorzy:: Dobosz, D.
Sobota, G.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/99253.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Politechnika Śląska. Katedra Biomechatroniki
Tematy:: biomechanika
analiza ruchu
parametry kinematyczne
staw ramienny
kamera wideo
biomechanics
motion analysis
kinematical parameters
shoulder joint
video camera
Opis:: Celem pracy była próba wyznaczenia parametrów kinematycznych ruchów zachodzących w przestrzeni trójwymiarowej przy użycie prostych technik wideo. Wychodząc naprzeciw potrzebie rejestrowania i analizy złożonego aktu ruchowego opracowano systemy takie jak VICON, SMART BTS czy QUALISYS. Dzięki zastosowaniu więcej niż jednej kamery umożliwiają one badanie ruchu przestrzennego we wszystkich płaszczyznach z dużą dokładnością. W pracy zaproponowano algorytm pozwalający na wykorzystanie tylko jednej kamery wideo do wyznaczenia parametrów kinematycznych w innej płaszczyźnie niż płaszczyzna kamery, stosując dodatkowo informacje o parametrach antropometrycznych ciała człowieka. Praktyczne zastosowanie przetestowano dla badania kinematyki ruchu wyciskania sztangi na zawodnikach wysokiej klasy AWF Katowice.
The goal of the paper is to try to point out the kinematical parameters of movements which take place in three - dimensional space by using simple video technique. To record and analyze the complicated body movement different systems such as VICON, Smart BTS or Qualisys have been worked out. With the use of more than one camera this programs enable us to study spatial movements in all plains with high precision. The Authors propose employing an algorithm which let us point out kinematical parameters in a plain other than the recording one, additionally using some information about anthropometric parameters of human body. The handiness of this method was tested during doing researches about kinematic of lifting. The people who participate in researches were high rang competitors from AWF Katowice.
Źródło:: Aktualne Problemy Biomechaniki; 2009, 3; 29-34
1898-763X
Pojawia się w:: Aktualne Problemy Biomechaniki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Electroepitaxial Growth of GaSb and AlGaSb Thick Epitaxial Layers
Autorzy:: Zytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1934052.pdf
Data publikacji:: 1995-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.55.Df
81.10.Dn
Opis:: Semi-bulk epitaxial layers of GaSb and AlGaSb up to 3 and 1 mm thick, respectively, were successfully grown by the liquid phase electroepitaxy on GaSb substrates. The growth procedure allowed us to achieve high crystallographic perfection as well as compositional uniformity of ternary layers.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 965-968
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Substrate Defects Filtration During Epitaxial Lateral Overgrowth of GaAs
Autorzy:: Żytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968454.pdf
Data publikacji:: 1997-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.55.Ln
Opis:: Results on the growth of GaAs on (001) GaAs substrates by the epitaxial lateral overgrowth technique are reported. We show that the ratio of normal to lateral growth rates in the epitaxial lateral overgrowth process can be controlled by the crystallographic orientation of the seeds and by Si adding to the melt. Experimental data showing that the dislocations threading from the substrate are efficiently filtered and cannot propagate to the epitaxial lateral overgrowth layers are presented. These findings prove that the epitaxial lateral overgrowth process is the powerful method to grow epilayers with low dislocation density on high dislocation density substrates.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1079-1082
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Optical and Electrical Properties of Bulk GaSb and AlGaSb
Autorzy:: Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z.
Dobosz, D.
Kaliński, Ż.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1858188.pdf
Data publikacji:: 1995-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 63.20.Pw
61.72.Vv
71.55.Eq
Opis:: Optical measurements of bulk GaSb:S reveal the structure of the lattice two phonon absorption and acceptor-valence band transitions. A sulphur related local vibrational modes and several bands related to the optical transitions from the ground state of the acceptor level are observed. A comparison of transport and optical measurements for GaSb:Te and AlGaSb:Te shows that in the alloy it is easier to obtain high concentrations of the electrically active Te impurity.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 763-766
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Alloy Splitting of the Te-DX States in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
Autorzy:: Ostermayer, G.
Jantsch, W.
Dobosz, D.
Żytkiewicz, Z. R.
Wilamowski, Z.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929750.pdf
Data publikacji:: 1993-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
72.80.Ey
Opis:: We report investigations of the Hall effect and conductivity of Te doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As (x = 0.3). After illumination at low temperature, the conductivity decreases in two steps on warming. These steps are explained in terms of the two sets of energy levels associated with two types of Te-DX centers depending on the neighboring host cation (Ga or Al) which undergoes the 1attice relaxation. The observed persistent increase in mobility is also explained in terms of the two different capture barriers.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 769-772
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Anisotropic Lattice Misfit Relaxation in AlGaAs Semi-Bulk Layers Grown on GaAs Substrates by Liquid Phase Electroepitaxy
Autorzy:: Żytkiewicz, Z. R.
Domagała, J.
Bąk-Misiuk, J.
Dobosz, D.
Leszczyński, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968459.pdf
Data publikacji:: 1997-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.60.Bs
68.55.Ln
Opis:: Experimental evidence for unidirectional microcracking in semi-bulk AlGaAs layers grown on (001) GaAs substrates is presented. The asymmetrical microcracking leads to anisotropic lattice misfit relaxation in the AlGaAs/GaAs structure and is explained in terms of higher mobility of [-110]-oriented α-type dislocations than that of β-type dislocations oriented in [110] direction.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1092-1096
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: High-Pressure Diffraction Study of Ga$\text{}_{1-x}$Al$\text{}_{x}$As
Autorzy:: Paszkowicz, W.
Dynowska, E.
Żytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Otto, J. W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1964159.pdf
Data publikacji:: 1997-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 64.30.+t
62.50.+p
64.70.Kw
Opis:: The Ga$\text{}_{1-x}$Al$\text{}_{x}$As sample of x=0.5 was prepared from a high quality single crystal grown by electroepitaxy on GaAs. The high-pressure diffraction experiments were performed using a diamond anvil cell and a germanium solid state detector. The zinc-blende phase is stable up to about 17.5 GPa on uploading. A high-pressure phase manifests itself at about 17 GPa, a complete phase change occurs at 18.7 GPa. On downloading, the zinc-blende phase reappears at about 10 GPa. The powder pattern of the high-pressure phase shows some similarities with the GaAs high pressure phases.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 993-996
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Formation of the DX State by Donors in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As - Experiment
Autorzy:: Dobaczewski, L.
Kaczor, P.
Missous, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Peaker, A. R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1924251.pdf
Data publikacji:: 1992-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.38.+i
71.55.Eq
78.50.Ge
Opis:: A high-resolution Laplace-transform deep level transient spectroscopy was used to study electron emission from the DX centres related to group IV and VI donor elements in AlGaAs. This provides the experimental evidence that substitutional-interstitial atom motion is responsible for DX behaviour and for the associated metastability effects.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 905-907
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Lattice Sites of Silicon Impurities in AlGaAs Grown by Liquid Phase Epitaxy
Autorzy:: Kaczor, P.
Ashwin, M. J.
Dobosz, D.
Żytkiewicz, Z. R.
Newman, R. C.
Dobaczewski, L.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1951990.pdf
Data publikacji:: 1996-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Fs
63.20.Pw
61.72.-y
Opis:: Localised vibrational mode infrared absorption (10 K) and Hall measurements were made on a series of Si doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As samples with 0 ≤ x ≤ 0.25 grown by liquid phase epitaxy. Localised vibrational modes were detected from Si$\text{}_{Ga}$ donors, Si$\text{}_{As}$ acceptors and Si$\text{}_{Ga}$-Si$\text{}_{As}$ pairs which increased in frequency as x increased. The assignments of new lines observed at 386, 388 and 391 cm$\text{}^{-1}$ are discussed in relation to possible perturbations of the lines from Si$\text{}_{Ga}$ or Si$\text{}_{As}$. The presence of DX centres was inferred from observed persistent photoconductivity and attempts were made to relate this result to the presence of the new IR lines.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 865-868
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Dobosz, D." wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język