Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Ciszewski, A" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 17
Tytuł:
Renowacja krzyża na Giewoncie
Autorzy:
Mikoś, T.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/365020.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Nowoczesne Budownictwo Inżynieryjne
Tematy:
geotechnika
Giewont
Krzyż na Giewoncie
renowacja
Zakopane
cross
geotechnics
renovation
Opis:
Metalowy krzyż na Giewoncie od przeszło stu lat należy do najbardziej znanych i rozpoznawalnych symboli polskich Tatr, Podhala i samego Zakopanego. Stanowi wyrazisty symbol uczuć religijnych i patriotycznych Polaków. Jest też czytelnym punktem orientacyjnym w górach i celem wędrówek tysięcy turystów. Z tego względu informacje o pogarszającym się stanie technicznym konstrukcji zabytkowego krzyża oraz podłoża, na którym go posadowiono, budzą od lat wielkie emocje i niebywałe zaciekawienie.
Źródło:
Nowoczesne Budownictwo Inżynieryjne; 2011, 1; 71-73
1734-6681
Pojawia się w:
Nowoczesne Budownictwo Inżynieryjne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nucleation and Crystal Growth of Cu on Ir Tips Under Ultra-High Vacuum and in the Presence of Oxygen
Autorzy:
Zuber, S. M.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2013288.pdf
Data publikacji:
2000-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.16.Fk
81.15.Ef
68.35.Bs
Opis:
Results concerning the morphology of Cu adsorption layers deposited from vapor under ultrahigh vacuum on Ir tip and the influence of oxygen on this morphology are reported. The method employed was field electron emission microscopy. It was found that the presence of oxygen decreases the copper wettability of iridium. Preadsorption of oxygen on the Ir surface is followed by an increase in cohesion interaction between atoms of the Cu deposited onto the tip at room temperature. Coadsorption of Cu and O on the Ir tip surface at liquid nitrogen temperature, when followed by gradually heating the adlayer, results in crystallization of the deposit in the temperature range from 430 K to about 700 K. Some evidence indicates the formation of Cu$\text{}_{2}$O with a high degree of crystallinity under these conditions. Cu and O coadsorption on the Ir surface at a temperature higher than 1090 K leads to selective accumulation of Cu on the {111} faces and to formation of epitaxial crystals which are oriented to the substrate in the same manner as the Cu crystals grown at ultra-high vacuum from Cu flux containing no oxygen. Oxygen incorporated into the Cu beam interact preferentially with {011} and {001} Ir faces, where it can produce oxide layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 4; 681-692
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modification of Electronic Structure of n-GaN(0001) Surface by N⁺-Ion Bombardment
Autorzy:
Grodzicki, M.
Mazur, P.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033786.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.47.Fg
73.30.+y
82.80.Pv
Opis:
The electronic structure of n-type GaN(0001) surface and its modification by N⁺ ion bombardment are presented in this report. The studies were carried out in situ in ultrahigh vacuum by ultraviolet photoelectron spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, and low-energy electron diffraction. Low-energy N⁺ ion bombardment, which was done using an ion gun at an energy of 200 eV, leads to nitriding of the surface. The process changes the surface stoichiometry and, consequently, provides formation of a disordered altered GaN layer. The calculated electron affinity of the clean n-GaN surface of 3.4 eV and band bending of 0.2 eV became changed after bombardment to 2.9 eV and 0.8 eV, respectively. The obtained difference in valence band maximum between the clean sample and the bombarded one was 0.6 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 351-353
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
PTCDI-C8 Adsorption on Si(100)
Autorzy:
Lament, K.
Mazur, P.
Zuber, S.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399078.pdf
Data publikacji:
2013-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.Pr
79.60.-i
68.37.Ef
Opis:
Adsorption of N, N'-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide (PTCDI-C8) on the Si(100) surface has been examined using X-ray photoelectron spectroscopy and scanning tunneling microscopy. X-ray photoelectron spectroscopy results show that the bonds are formed between the carbonyl groups of the molecules and the substrate. Scanning tunneling microscopy results show that the first and further layers are disordered.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 775-776
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reconstruction of Tungsten (111) and (211) Surfaces Induced by Carbon and Oxygen
Autorzy:
Szczudlo, Z.
Zuber, S.
Szczepkowicz, A.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035646.pdf
Data publikacji:
2002-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.35.Bs
07.79.Cz
Opis:
Scanning tunneling microscopy is used to obtain images of reconstructed W(111) and W(211) surfaces. The reconstruction is induced by submonolayer coverages of carbon and oxygen.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 6; 781-784
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Formation of Cr ohmic contact on graphitized 6H-SiC(0001) surface
Autorzy:
Grodzicki, M
Mazur, P
Wasielewski, R
Ciszewski, A
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173424.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
silicon carbide
chromium
electric contacts
graphitization
Opis:
Ohmic electrical contacts were formed at room temperature on n-type, Si-oriented 6H-SiC substrates, with Cr layers vapor-deposited under ultra-high vacuum conditions on the samples being graphitized prior to the deposition. The contacts reveal a very good linearity of the local I–V characteristics. This method of ohmic contact formation does not require the use of samples with high doping concentration and the application of high-temperature annealing during the processing of contacts. Results of characterization of the contacts and of the in situ graphitization process of the SiC substrates, obtained by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), low energy electron diffraction (LEED) and atomic force microscopy (AFM) with conducting tip, are given in this paper.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 91-98
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
AFM/STM Modification of Thin Sb Films on 6H-SiC(0001)
Autorzy:
Mazur, P.
Zuber, S.
Grodzicki, M.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1195467.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
68.37.Ps
68.37.Ef
68.37.-d
81.10.Bk
81.07.-b
Opis:
Atomic force microscopy and scanning tunneling microscopy have been used for nanometer scale modifications of Sb films deposited on 6H-SiC(0001) surface. The films are grown in situ by vapor deposition under ultrahigh vacuum. The growth follows the Volmer-Weber mode. Ultrathin (up to 3 nm on average) Sb films which consist of no coalesced islands can be modified by moving the island over the substrate surface by the AFM tip. Thicker films, which are firmer due to the coalescence, can be modified by the field and/or current produced by STM tip. Final result of the modifications is adsorbate free 6H-SiC(0001) surface restitution over the modified area.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1131-1133
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Formation of Excess Silicon on 6H-SiC(0001) during Hydrogen Etching
Autorzy:
Grodzicki, M.
Wasielewski, R.
Surma, S.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807513.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.65.Cf
81.15.Gh
72.80.Jc
79.60.Dp
68.37.Ps
Opis:
The surface of 6H-SiC(0001) samples was subjected to etching under $H_{2}$/Ar gas mixture in a cold-wall tubular furnace. Its topography and properties were characterized by atomic force microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy before and after hydrogen etching. The conditions have been found, under which surface polishing-related damages could be removed. Si droplets were observed under certain etching conditions. The effect of the samples' cooling rate on the obtained surface morphology and chemistry was investigated to unveil the mechanism of Si recrystallization onto the crystal surface upon etching.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-82-S-85
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
TiO2 thin films grown on SiO2–Si(111) by the reactive evaporation method
Autorzy:
Grodzicki, M
Wasielewski, R
Mazur, P
Zuber, S
Ciszewski, A
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173459.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
titanium oxide
wettability
X-ray photoelectron spectroscopy
UV radiation
Opis:
TiO2 thin films were grown on silicon substrates using an electron-beam evaporator. Grainy TiO was used as the evaporation material. Temperature substrate during TiO2 growth was relatively low (about 150 °C), what is important for many optoelectronic devices and multilayers mirrors. High vacuum condition allows to maintain clean surfaces substrates before and during oxide growth. The morphology of titanium oxide thin films was ex situ investigated using atomic force microscopy operating in contact mode, X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray powder diffractometry, and by means of a contact angle analyzer. The influence of annealing treatment and exposure to UV–VIS radiation on the morphology has been also discussed.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 99-107
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Sb Layers on p-GaN: UPS, XPS and LEED Study
Autorzy:
Grodzicki, M.
Mazur, P.
Pers, J.
Zuber, S.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1376064.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
68.37.Ps
68.37.Ef
68.37.-d
81.10.Bk
81.07.-b
Opis:
The electronic structure of p-type GaN(0001) surfaces and its modification by antimony adsorption, and properties of Sb/GaN(0001) interface, are presented in this report. The studies were carried out in situ by ultraviolet photoelectron spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, and low-energy electron diffraction. Thin Sb layers were deposited under ultrahigh vacuum conditions onto the substrate at room temperature. Electron affinity of clean p-GaN surface amounted to 3.0 eV. A small amount of Sb on GaN(0001) surface reduced the electron affinity to 1.9 eV. The work function of the Sb layer was equal to 4.4 eV. For the Schottky barrier height of the Sb/GaN interface, the value of 2.50 eV was obtained.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1128-1130
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electronic Properties of Structures Containing Films of Alq₃ and LiBr Deposited on Si(111) Crystal
Autorzy:
Sito, J.
Grodzicki, M.
Lament, K.
Wasielewski, R.
Mazur, P.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033793.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.Pr
73.40.Ty
79.60.-i
Opis:
The electronic structures of Alq₃/Si(111) and Alq₃/LiBr/Si(111) interfaces are presented in this report. The studies were carried out in situ in ultrahigh vacuum by ultraviolet photoelectron spectroscopy. Alq₃ and LiBr layers were vapour deposited onto a single crystal of n-type Si(111). The energy level diagrams were prepared for the structures. The formation of the LiBr interfacial layer results in a decrease of the energy barrier at the interface.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 357-360
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ru/GaN(0001) Interface Properties
Autorzy:
Wasielewski, R.
Grodzicki, M.
Sito, J.
Lament, K.
Mazur, P.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033790.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.47.Fg
73.30.+y
82.80.Pv
Opis:
We report the results of our studies of ruthenium layer structures adsorbed on GaN(0001). Ruthenium was evaporated at room temperature under ultrahigh vacuum conditions onto n-type GaN substrates epitaxially grown on sapphire. While X-ray photoelectron spectroscopy confirmed the presence of Ru bonds in the deposited adlayers, the ultraviolet photoelectron spectroscopy show a peak at the Fermi level as well as lines originating from ruthenium. The height of the Schottky barrier was calculated based on the data measured by X-ray photoelectron spectroscopy and ultraviolet photoelectron spectroscopy and amounts to 1.5 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 354-357
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Model rezerwowej baterii aktywowanej termicznie na bazie układu Li/KCI-LiCI-RbCI-LiF/FeS2
A model of the stand-by electric battery based on the system Li/KCl-LiCl-RbCl-LiF/FeS2
Autorzy:
Styczyński, S.
Czajka, B.
Tabat, S.
Szcześniak, B.
Ciszewski, A.
Wachowski, L
Sołopa, W.
Rydzyńska, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/235472.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Wojskowy Instytut Techniczny Uzbrojenia
Tematy:
bateria
prace badawcze
battery
research works
Opis:
Opracowano model nowej baterii rezerwowej aktywowanej termicznie opartej na układzie elektrochemicznym Li|KCl-LiCl-RbCl-LiF|FeS2 oraz mieszanine grzewczej Fe-KClO4. W badaniach stosowano dwuogniwową baterią termiczną, dla której wyznaczono wartość jej pojemności cieplnej oraz określono optymalną masę tabletki mieszaniny grzewczej. Ponadto określono wpływ niedogrzania lub przegrzania baterii na podstawowe parametry elektryczne oraz wyznaczono wartości temperatury poszczególnych jej elementów.
The model of a new thermally activated stand-by battery based on the electrochemical chain Li/KCl-LiCl-RbCl-LiF/FeS2 and heating composition of Fe-KClO4 was developed. A thermal two-cell battery was used for tests and its thermal capacity and the optimal mass of the heating tablet was determined. Moreover the dependence of battery electric performance on overheating and not sufficient heating was presented in the paper. There are also included temperatures of battery’s particular components.
Źródło:
Problemy Techniki Uzbrojenia; 2006, R. 35, z. 97; 233-240
1230-3801
Pojawia się w:
Problemy Techniki Uzbrojenia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania nad procesem utleniania grafitu mieszaninami utleniającymi w kwasach nieorganicznych
Survey of graphite oxidation methods using oxidizing mixtures in inorganic acids
Autorzy:
Ciszewski, M.
Mianowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1216851.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Przemysłu Chemicznego. Zakład Wydawniczy CHEMPRESS-SITPChem
Tematy:
grafit
utlenianie
tlenek grafitu
eksfoliacja
graphite
oxidation
graphite oxide
exfoliation
Opis:
W artykule porównano trzy najpopularniejsze metody chemicznego utleniania grafitu zaproponowane przez Brodie, Staudenmaiera i Hummersa. Grafit poddano utlenianiu w mieszaninach silnych utleniaczy i stężonych kwasów nieorganicznych zgodnie z przepisami podanymi w literaturze. W zależności od stosowanej metody utlenianie prowadzono od kilku do kilkuset godzin. Produkty przebadano pod kątem zawartości tlenu, stosunku C/O oraz analizy jakościowej i ilościowej grup funkcyjnych. Na podstawie przeprowadzonych badań ustalono, że najlepiej utleniony grafit można uzyskać stosując najbardziej czasochłonną metodę Brodie. Metoda Staudenmaiera daje dobrze utleniony grafit i możliwość prowadzenia ciągłego procesu, ale wymaga długiego czasu utleniania. Metoda Hummersa jest najkrótsza, jednak pozostawia sporą ilość nieutlenionych atomów węgla.
Three most popular methods of chemical oxidation of graphite proposed by Brodie, Staudenmaier and Hummers has been compared here. Synthetic graphite has been oxidized using strong chemical oxidizing agents in highly-concentrated inorganic acids. Reaction time varied from several to several hundred hours depending on the applied method. Products were characterized with respect to the oxygen content, C/O ratio, full qualitative and quantitative analysis of the oxygencontaining groups. Based on these experiments it was determined that the most oxidized graphite was obtained using the Brodie method. In case of Staudenmaier method, that can be carried out in single step, well-oxidized graphite can be obtained but much longer oxidation time is required. Method proposed by Hummers is the shortest but graphite oxide possesses a plenty of unoxidized carbon atoms.
Źródło:
Chemik; 2013, 67, 4; 267-274
0009-2886
Pojawia się w:
Chemik
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mit paniki - mechanizmy poznawcze, emocjonalne i społeczne reakcji ludzi na zagrożenie pożarem
The myth of panic - cognitive, emotional and social mechanisms determining reactions to fire threath
Autorzy:
Tarnowski, A.
Wizimirska, N.
Ciszewski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/179989.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
panika
ewakuacja
zachowania grupowe
psychologia
panic
evacuation
group behavior
psychology
Opis:
"Potoczna opinia o dużym niebezpieczeństwie związanym z wystąpieniem paniki w sytuacji ewakuacji jest mitem. Omawiane w artykule wyniki badań i teoretyczne modele pokazują, że człowiek w sytuacji zagrożenia przez długi czas działa racjonalnie, kierując się dostępnymi informacjami, dopóki zagrożenie nie stanie się rzeczywiście ekstremalne. Przedstawione modele reakcji człowieka na sytuację pożaru wykazują, że w pierwszej fazie następuje proces weryfikacji informacji o zagrożeniu, i jego przedłużanie się stanowi dużo bardziej realne niebezpieczeństwo niż wystąpienie paniki. Siła stresu (i ryzyko zachowań nieracjonalnych) rośnie wówczas, kiedy uczestnik zdarzenia odczuwa zwątpienie w możliwość poradzenia sobie z sytuacją. W artykule omówiono rolę czynników poznawczych, emocjonalnych i społecznych w rozwoju sytuacji. Ustalenia te prowadzą do sformułowania wskazówek dla osób kierujących ewakuacją i projektowania automatycznych dźwiękowych systemów ostrzegawczych".
Common opinion on emergency evacuation causing panic reactions is nothing more than a myth. Empirical results and theoretical models presented in this paper prove that people in danger act rationally and follow given information and instructions until the threat is really extreme. According to presented models, initially people verify information about the threat; prolongation of this process is more dangerous than the risk of panic. The power of stress (and the risk of irrational behavior) increases when people doubt their coping ability. The paper discusses the impact of cognitive, emotional and social factors on the course of evacuation. It concludes with some directives for people responsible for emergency evacuation and for designers of automated acoustic warning systems.
Źródło:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2009, 7/8; 8-11
0137-7043
Pojawia się w:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 17

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies